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alloy diodeとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 合金ダイオード
「alloy diode」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
The diode element 22 is composed of an Se layer 26 on the side of a first address line and a CdSn alloy layer 28 stacked hereon.例文帳に追加
ダイオード素子22は第1のアドレスライン側のSe層26とこの上に積層されたCdSn合金層28から構成される。 - 特許庁
To provide a method for joining an element, such as an LED (light-emitting diode) element, to a substrate especially by an Au-Sn alloy solder paste.例文帳に追加
特にAu−Sn合金はんだペーストを用いてLED(発光ダイオード)素子などの素子を基板に接合する方法を提供する。 - 特許庁
The high-intensity light-emitting diode includes a luminous structure, a non-alloy ohmic contact layer, a metal layer, and a substrate in this order.例文帳に追加
以下の順に配置された発光構造、非合金オームコンタクト層、金属層、及び基板を包含する。 - 特許庁
The diode 4 is an oxide semiconductor of two layer structure film having a first layer mainly containing a zinc oxide formed by the low temperature oxidation of the copper-zinc alloy, and a second layer which is mainly a copper oxide.例文帳に追加
ダイオード4は、銅−亜鉛合金を低温酸化して、形成された亜鉛酸化物を主とする第一層と銅酸化物を主とする第二層とを備えた二層構造膜の酸化物半導体である。 - 特許庁
To provide a method of bonding especially such an element that the long time heating is not preferable, e.g., an LED (light emitting diode) element to a substrate by using an Au-Sn alloy solder paste.例文帳に追加
特にAu−Sn合金はんだペーストを用いて長時間加熱が好ましくない素子、例えば、LED(発光ダイオード)素子を基板に接合する方法を提供する。 - 特許庁
An insulating layer 12 constituting the MIM type diode element is an amorphous oxide film formed by anodically oxidizing a surface of a lower electrode 11, the lower electrode 11 is formed with a single layer film of aluminum or an aluminum alloy or a laminated film having either of them as an outermost layer, and the anodically oxidized single layer film of aluminum or an aluminum alloy is formed into an amorphous body.例文帳に追加
MIM型ダイオード素子を構成する絶縁層12が下部電極11の表面を陽極酸化により形成した非晶質な酸化膜であり、下部電極11をアルミニウムもしくはアルミニウム合金の単層膜、あるいはそれらの何れかひとつを最表層にもつ積層膜で形成し、陽極酸化されるアルミニウムもしくはアルミニウム合金の単層膜を非晶質体とした。 - 特許庁
The semiconductor radiation detector which uses a high-purity InSb single crystal with no impurities doped artificially as a detection medium of radiation and having a surface-barrier-type electrode, formed using an Au/Pd alloy to obtain diode characteristics, is manufactured.例文帳に追加
放射線の検出媒体として、不純物を人工的にドープしない高純度InSb単結晶を用い、かつダイオード特性を得るため、Au・Pd合金を用いて表面障壁型電極を形成した半導体放射線検出器を製作する。 - 特許庁
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「alloy diode」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 10件
This metal electrode for light emitting diode using an n-type zinc oxide-based semiconductor is made of transition metal having a melting point of 1500-3500°C or alloy containing at least either one kind selected from the transition metal, or In or In compound.例文帳に追加
本発明によるn型酸化亜鉛系半導体を用いた発光ダイオード用金属電極は、1,500℃〜3,500℃の融点を有する遷移金属または該遷移金属から選ばれた少なくともいずれか1種を含む合金からなるか、またはInまたはIn化合物からなることを特徴とする。 - 特許庁
In a method of manufacturing a light-emitting diode 1, a state where a GaN substrate 10 is separated from AlGaN layers 16, 18, and 20 formed thereon, and a Cu-W alloy substrate 26 is bonded to the AlGaN layers 16, 18, and 20 is obtained.例文帳に追加
本発明に係る発光ダイオード1の製造方法においては、GaN基板10は、この上に形成したAlGaN層16,18,20から分離されて、AlGaN層16,18,20にはCu−W合金基板26が接着された状態となる。 - 特許庁
To provide: a layered electrode film used for display devices, such as a liquid crystal display, a light emitting diode, an organic EL display and a touch panel, in which adhesion between a transparent oxide layer and an Ag alloy thin film layer is improved; and a method for producing the layered electrode film.例文帳に追加
液晶ディスプレイ、発光ダイオード、有機ELディスプレイ、タッチパネルなどの表示デバイスに用いられる透明酸化物層とAg合金薄膜層との密着性を向上させた積層電極膜およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁
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