beam injection systemとは 意味・読み方・使い方

GAS INJECTION SYSTEM FOR SPECIAL PARTICLE BEAM THERAPY EQUIPMENT AND METHOD FOR OPERATING GAS INJECTION SYSTEM例文帳に追加

とりわけ粒子線治療設備用のガス噴射システムおよびガス噴射システムを動作させるための方法 - 特許庁

The cluster ion beam can decompose gas supplied from a gas injection system 104 and make it deposited or make the gas activated for etching.例文帳に追加

クラスタイオンビームはガス注入システム１０４から供給されるガスを分解して堆積させ、またはガスを活性化させてエッチングすることもできる。 - 特許庁

A light beam L1 from a light projector 1 is taken into a housing 3 through a transparent circumference portion of a reflecting plate 4 to inject into a lens system 5 composed of a convex lens 5a and a concave lens 5b and converts the light beam L1 into a light beam L2 with a smaller diameter than that of before injection by the lens system 5.例文帳に追加

投光器１からの光ビームＬ１を反射板４の透明な周囲部を通して筐体３内に取り込み、凸レンズ５ａと凹レンズ５ｂから構成されたレンズ系５に入射させ、このレンズ系５で光ビームを入射前より小さな径の光ビームＬ２に変換する。 - 特許庁

In an optical system for forming a rectangular beam spot, an optical system that unifies longitudinal or lateral energy distribution of a rectangular beam spot on an irradiated surface is replaced by an optical element having a curved surface pattern on an injection side face of a laser beam and two reflective faces opposed to each other.例文帳に追加

本発明は、長方形状のビームスポットの形成用光学系において、被照射面における長方形状のビームスポットの長辺方向または短辺方向のエネルギー分布を均一化する光学系を、レーザビームの入射側面に曲面形状を有し、かつ向かい合う二つの反射面を有する光学素子に置き換えるものである。 - 特許庁

To provide a seeded light injection module gas discharge laser system capable of generating a high quality-pulse laser beam with about 4,000 Hz of pulse repetition rate or more and pulse energy of about 5 mJ or more.例文帳に追加

約４，０００Ｈｚ又はそれ以上のパルス繰返し率及び約５ｍＪ以上のパルスエネルギーで高品質パルスレーザ光を生成することができるシード光注入モジュール放電ガスレーザシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a seed light injection module gas discharge laser system capable of generating a high quality-pulse laser beam with about 4,000 Hz of pulse repetition rate or more and a pulse energy of about 5 mJ or more.例文帳に追加

約４，０００Ｈｚ又はそれ以上のパルス繰返し率及び約５ｍＪ以上のパルスエネルギーで高品質パルスレーザ光を生成することができるシード光注入モジュール放電ガスレーザシステムを提供する。 - 特許庁

The ion injection system feeds back an injected wafer characteristic data, extracts an area having deterioration tendency within the surface of a wafer 20, compensates a driving speed by an up and down mechanical driving speed controller 17 corresponding to the area and transmits to an ion injection part 2, and drives ion beam 12 to the area having deterioration tendency by changing the driving speed.例文帳に追加

注入されたウェハの特性デ−タをフィ−ドバックし、ウェハ２０面内の悪化傾向のある領域を抽出し、その領域に対応する上下メカニカル駆動速度制御部１７による駆動速度を補正しイオン注入部２に転送し、駆動速度を変えイオンビ−ム１２を悪化傾向の領域に駆動する。 - 特許庁