bias distortionsとは 意味・読み方・使い方

Then, a bias control circuit 10 controls a base voltage source 5, according to the level of the detected difference frequency signal 2 for changing the bias point of the transistor 6, thus carrying out class A operation having satisfactory linearity for restraining distortions, when a signal having large amplitude for generating from the transistor 6 is amplified.例文帳に追加

そして、バイアス制御回路１０が、検出された差周波信号２のレベルに応じて、ベース電圧源５を制御して、トランジスタ６のバイアス点を変化させる。 - 特許庁

Furthermore, the influence of the distortions on the upper limit side of the AC bias varies according to peak- to-peak voltages of the AC component, and the DC bias value thus becomes unstable.例文帳に追加

さらに、ＡＣバイアス上限側の歪みの影響は、ＡＣ成分のピーク間電圧の大小によって変わってくるので、ＤＣバイアスの値が不安定となる。 - 特許庁

The variable attenuation circuit At can be realized that can make the maximum use of the rate of a capacitance change in the variable-capacitance capacitor Ct by a bias signal, and exhibits small waveform distortions and intermodulation distortions, and is superior in the electric high power handling capability.例文帳に追加

バイアス信号による可変容量コンデンサＣｔの容量変化率を最大限に利用して減衰量を最大限に可変することができ、かつ、波形歪みや相互変調歪みが小さく、耐電力に優れた可変減衰回路Ａｔとすることができる。 - 特許庁

Unidirectional alternating bias magnetic field Hex* of a fixed magnetism layer 2 is set to be 200 kA/m or larger, thereby enabling values of waveform distortions to be suppressed into 7 degrees or less.例文帳に追加

固定磁性層２の一方向性交換バイアス磁界Ｈｅｘ＊を２００ｋＡ／ｍ以上にすることにより、波形歪みを７度以下に抑えることを可能にした。 - 特許庁

Furthermore, the unidirectional alternating bias magnetic field Hex* of the fixed magnetism layer 2 is set to be 320 kA/m or larger, thereby enabling values of waveform distortions to be suppressed into 4 degrees or less.例文帳に追加

さらに、固定磁性層２の一方向性交換バイアス磁界Ｈｅｘ＊を３２０ｋＡ／ｍ以上にして、波形歪みを４度以下にすることも可能である。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit 100 measures the drain current-drain voltage characteristics of the FET, and cancels a polynomial-approximated second-order term, to reduce second-order harmonic distortions and also cancels a third-order term to reduce the third-order harmonic distortions, so that the desired output control is performed based on appropriate bias conditions.例文帳に追加

半導体集積回路１００は、ＦＥＴのドレイン電流−ドレイン電圧特性を測定し、多項式近似した第２次の項をキャンセルすることで第２次の高調波歪みを減少させ、第３次の項をキャンセルすることで第３次の高調波歪みを減少させることができるため、適切なバイアス条件に基づいて所望の出力制御ができる。 - 特許庁