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bias-dependentとは 意味・読み方・使い方
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「bias-dependent」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 16件
A time dependent average bias and a time dependent uncertainty value of the predicted dependent variable data are determined by using the normalized historical dependent variable data (240), (250), to thereby acquire a risk allowable level of the online plant (260).例文帳に追加
予測従属変数データの時間依存平均バイアスおよび時間依存不確実性値を、正規化されたヒストリカル従属変数データを使用して判定し(240)、(250)、オンラインプラントのリスク許容レベルを得る(260)。 - 特許庁
The bias circuit 22 of the power amplifier 1 is provided with a VBP dependent voltage source circuit 20 and a Nagata current mirror circuit 21.例文帳に追加
電力増幅器1のバイアス回路22には、VBE依存型電圧源回路20とナガタ・カレントミラー回路21とが備えられている。 - 特許庁
Further, the compensation signal 12 may compensate the magnetic disturbance by generating a time-dependent bias or by changing the carrier frequency.例文帳に追加
また、補償信号(12)は、時間依存バイアスを生成したり、搬送周波数を変更したりして、磁気外乱を相殺しても良い。 - 特許庁
METHOD AND DEVICE WHICH CREATE FILTER TAP WEIGHT AND BIAS FOR SIGNAL-DEPENDENT BRANCH METRIC COMPUTING例文帳に追加
信号依存型の分岐メトリック計算のためのフィルタ・タップ重みおよびバイアスを生成する方法および装置 - 特許庁
A subtraction amplification circuit 40 inputs the reference potential REF, the first temperature-dependent potential VTEMPM, and a subtractor trimming signal STM to generate a second temperature-dependent potential Vtg amplified by subtraction amplification using a constant bias potential magnifying the reference potential REF and the first temperature-dependent potential VTEMPM.例文帳に追加
減算増幅回路40は、基準電位REF、第1の温度依存電位VTEMPM及び減算器トリミング信号STMを入力し、基準電位REFを倍率した一定バイアス電位と第1の温度依存電位VTEMPMとの減算増幅によって増幅された第2の温度依存電位Vtgを生成する。 - 特許庁
In order to satisfy the risk allowable level of a plant to be evaluated, the operation margin to the given operation limit is determined based on the determined time dependent average bias and time dependent uncertainty value (270).例文帳に追加
所与の作動限界までの運転マージンを、評価されるプラントのリスク許容レベルを満足するために、判定された時間依存平均バイアス値および時間依存不確実性値に基づいて判定する(270)。 - 特許庁
To provide a method for modeling a semiconductor in which impurity pile up on the Si/SiO2 interface can be simulated and electric characteristics dependent on the impurity concentration (e.g. substrate bias dependence) can be analyzed through high speed calculation.例文帳に追加
Si/SiO_2界面での不純物パイルアップをシミュレーション可能であり,不純物濃度に依存する電気特性(例えば,基板バイアス依存性)を高速計算のもとに解析可能な半導体モデリング方法を提供する。 - 特許庁
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「bias-dependent」の部分一致の例文検索結果
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A system and a method for extending the operating life of a device susceptible to defects caused by total ionizing dose radiation and/or bias dependent degradation are described.例文帳に追加
総線量の電離放射線及び/又はバイアスによる劣化によって引き起こされる欠陥の影響を受けやすいデバイスの動作寿命を延ばすシステム及び方法が記載される。 - 特許庁
To provide a vehicle navigation system for correcting the drift of temperature-dependent bias by a vehicle heading sensor with a dead-reckoning vehicle positioning system.例文帳に追加
推測航法車両測位システムを伴う車両ヘッディング・センサで温度依存性のバイアスのドリフトを補正する車両ナビゲーション・システムを提供する。 - 特許庁
To provide a method and a device for discriminating a plurality of filter tap weights for a noise prediction filter used to create one or more signal-dependent branch metrics, or a bias (or both thereof).例文帳に追加
1つまたは複数の信号依存型分岐メトリックを生成するために使用されるノイズ予測フィルタに対する複数のフィルタ・タップ重みまたはバイアス(あるいはその両方)を判別するための方法および装置を提供すること。 - 特許庁
To realize a ferromagnetic tunnel junction that is high in magnetoresistivity and relatively high in output voltage owing to its large resis tance, and whose magnetoresistivity is lessened in bias voltage- and temperature- dependent properties so as to enhance the junction in practicability.例文帳に追加
大きな磁気抵抗比を得ることができ、かつ大きな抵抗をもつために相対的に大きな出力電圧が得られる強磁性トンネル接合のバイアス電圧および温度に対する磁気抵抗比の依存性を低減し、実用性を高める。 - 特許庁
Between a memory array 6 and a bias supply circuit 1, a load resistance changeover circuit 2 is arranged for the purpose of adjusting the differences in bit line load resistance dependent on the arranged positions of memory cells MCm, n so as to relax or equalize the differences.例文帳に追加
メモリアレイ6とバイアス供給回路1との間には、メモリセルMCm、nの配置位置に依存するビット線負荷抵抗の違いを緩和または同一にするように調整するために負荷抵抗切替回路2が設けられている。 - 特許庁
To solve the problem that a detection output is influenced by an irregularity in a parasitic capacitance Cp due to a production irregularity, because the parasitic capacitance Cp inherent in the detection electrode of a sensor cell contains the junction capacitance of a semiconductor so as to be dependent on a bias.例文帳に追加
センサーセルの検出電極に付く寄生容量Cpは半導体のジャンクション容量も含んでおり、バイアス依存性を持っているために、検出出力に製造バラツキによる寄生容量Cpのバラツキの影響が出る。 - 特許庁
To realize NBTI deterioration simulation and TDDB failure simulation which are very accurate and have wide application by creating an accurate NBTI (Negative Bias Temperature Instability) life model and TDDB (Time Dependent Dielectric Breakdown) life model and using them.例文帳に追加
高精度のNBTI寿命モデルおよびTDDB寿命モデルを新たに作成し、該モデルを使用することにより、高精度で応用範囲の広いNBTI劣化シミュレーションおよびTDDB故障シミュレーションを実現する。 - 特許庁
To accommodate variations of temperature-optimal value characteristics which vary for individual optical pickups and time lapse, and to achieve optimal temperature compensation, in a case of performing temperature compensation for a characteristics varying temperature-dependent adjustment value that is an adjustment item, such as a spherical aberration correction value, a focus bias and a tilt, and varies in an optimal point depending on a temperature.例文帳に追加
球面収差補正値、フォーカスバイアス、チルトなど調整項目であって温度に依存してその最適点が変化する特性変化温度依存調整値についての温度補償を行う場合において、光学ピックアップの個体ごとや経時的に変化する温度−最適値特性のバラツキを吸収して最適な温度補償を実現する。 - 特許庁
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