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buffer concentrationとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 緩衝液濃度
「buffer concentration」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 155件
The impurity concentration of the n^- type buffer layer is made lower than the impurity concentration of the n type buffer layer 3.例文帳に追加
n^−型バッファー層の不純物濃度はn型バッファー層3の不純物濃度よりも低くする。 - 特許庁
The first buffer layer is silicon-doped at a higher concentration than the second buffer layer.例文帳に追加
前記第1のバッファ層は、前記第2のバッファ層よりも高濃度でシリコンドープされる。 - 特許庁
The first buffer tank 5 houses high concentration diborane gas, and the second buffer tank 6 houses hydrogen gas.例文帳に追加
第1のバッファタンク5は高濃度ジボランガスを収容し、第2のバッファタンク6は水素ガスを収容する。 - 特許庁
A channel layer 12 is disposed on the buffer layer 11 and includes n-type impurities at a concentration higher than the concentration of p-type impurities in the buffer layer 11.例文帳に追加
チャネル層12は、バッファ層11上に位置し、バッファ層11におけるp型不純物の濃度より高い濃度のn型不純物を含む。 - 特許庁
the action where a solvent mixture tries to maintain a certain concentration of hydrogen ions, called buffer action発音を聞く 例文帳に追加
混合溶液中で水素イオン濃度を一定に保とうとする作用 - EDR日英対訳辞書
A drift diffusion layer of low concentration is formed so as to enclose a collector buffer layer of relatively high concentration, including a high-concentration collector diffusion layer in planer structure.例文帳に追加
平面構造において高濃度コレクタ拡散層を含む、比較的高濃度なコレクタバッファ層を包囲するように、低濃度のドリフト拡散層を形成する。 - 特許庁
The N-type buffer layer 6 has a higher impurity concentration than the N^--type drift layer 1.例文帳に追加
N型バッファ層6は、N^−型ドリフト層1よりも高い不純物濃度を持つ。 - 特許庁
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「buffer concentration」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 155件
LIQUID DPD REAGENT, METHOD FOR MEASURING CONCENTRATION OF RESIDUAL CHLORINE, AND PHOSPHATE BUFFER SOLUTION例文帳に追加
液体DPD試薬、残留塩素濃度測定方法およびリン酸緩衝液 - 特許庁
For that reason, the gas in the buffer chamber 11 is efficiently mixed, and gas concentration in the buffer chamber 11 can be made even.例文帳に追加
このため、パッファ室11内部のガスが効率よく混合され、パッファ室11内のガス密度を均一化することができる。 - 特許庁
The neutralizing agent 11 contains a buffer having a buffer capacity between pH 5 and pH 8, and an alkalizing agent in which the concentration of the buffer is set at C (C_1≤C≤C_2) that does not allow the buffer to substantially precipitate.例文帳に追加
中和剤11には、pH5から8に緩衝能を有する緩衝剤と、前記緩衝剤が実質的に析出しない濃度C(C_1≦C≦C_2)に設定したアルカリ化剤とを含んでいる。 - 特許庁
A molar concentration of a pH buffer system is preferably within a range of 0.002 M-0.2 M, and the pH buffer system is preferably an acetic acid/sodium acetate buffer solution, or a citric acid/sodium citrate buffer solution.例文帳に追加
好ましくは、pH緩衝系のモル濃度が0.002M〜0.2Mの間であり、pH緩衝系が、酢酸/酢酸ナトリウム緩衝液またはクエン酸/クエン酸ナトリウム緩衝液であることが好ましい。 - 特許庁
An anode gas buffer evens out short-duration spikes in the concentration of the oxidizable component.例文帳に追加
アノード・ガス・バッファは、酸化できる成分の濃度内の短時間のスパイクを均して平らにする。 - 特許庁
(a) ≤40 mmol/liter triethanolamine concentration contained in the buffer solution and (b) ≤0.2 mol/liter sucrose concentration in the same manner.例文帳に追加
(a)緩衝溶液中に含まれるトリエタノールアミン濃度が40ミリモル/リットル以下、(b)同様にスクロース濃度が0.2モル/リットル以下。 - 特許庁
A p-type InP buffer layer 2 containing low concentration Zn, and an undoped InP buffer layer 3 with a carrier concentration of 3×10^17 cm^-3 or less, are stacked on a p-type InP substrate 1 containing Zn.例文帳に追加
Znを含むp型InP基板1の上に、低濃度のZnを含むp型InPバッファ層2、キャリア濃度が3×10^17cm^−3以下となるアンドープInPバッファ層3を積層する。 - 特許庁
The contact surfaces of a p-type high-concentration semiconductor region 10 and an n-type high-concentration buffer region 12 with each other are formed so that they may become uneven and their areas become larger.例文帳に追加
p型高濃度半導体領域10とn型高濃度バッファ領域12との接面が凹凸状になるように形成する。 - 特許庁
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