「buffer concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A drift diffusion layer of low concentration is formed so as to enclose a collector buffer layer of relatively high concentration, including a high-concentration collector diffusion layer in planer structure.例文帳に追加

平面構造において高濃度コレクタ拡散層を含む、比較的高濃度なコレクタバッファ層を包囲するように、低濃度のドリフト拡散層を形成する。 - 特許庁

The N-type buffer layer 6 has a higher impurity concentration than the N^--type drift layer 1.例文帳に追加

Ｎ型バッファ層６は、Ｎ^−型ドリフト層１よりも高い不純物濃度を持つ。 - 特許庁

LIQUID DPD REAGENT, METHOD FOR MEASURING CONCENTRATION OF RESIDUAL CHLORINE, AND PHOSPHATE BUFFER SOLUTION例文帳に追加

液体ＤＰＤ試薬、残留塩素濃度測定方法およびリン酸緩衝液 - 特許庁

For that reason, the gas in the buffer chamber 11 is efficiently mixed, and gas concentration in the buffer chamber 11 can be made even.例文帳に追加

このため、パッファ室１１内部のガスが効率よく混合され、パッファ室１１内のガス密度を均一化することができる。 - 特許庁

The neutralizing agent 11 contains a buffer having a buffer capacity between pH 5 and pH 8, and an alkalizing agent in which the concentration of the buffer is set at C (C_1≤C≤C_2) that does not allow the buffer to substantially precipitate.例文帳に追加

中和剤１１には、ｐＨ５から８に緩衝能を有する緩衝剤と、前記緩衝剤が実質的に析出しない濃度Ｃ（Ｃ_１≦Ｃ≦Ｃ_２）に設定したアルカリ化剤とを含んでいる。 - 特許庁

A molar concentration of a pH buffer system is preferably within a range of 0.002 M-0.2 M, and the pH buffer system is preferably an acetic acid/sodium acetate buffer solution, or a citric acid/sodium citrate buffer solution.例文帳に追加

好ましくは、ｐＨ緩衝系のモル濃度が０．００２Ｍ〜０．２Ｍの間であり、ｐＨ緩衝系が、酢酸／酢酸ナトリウム緩衝液またはクエン酸／クエン酸ナトリウム緩衝液であることが好ましい。 - 特許庁

An anode gas buffer evens out short-duration spikes in the concentration of the oxidizable component.例文帳に追加

アノード・ガス・バッファは、酸化できる成分の濃度内の短時間のスパイクを均して平らにする。 - 特許庁

(a) ≤40 mmol/liter triethanolamine concentration contained in the buffer solution and (b) ≤0.2 mol/liter sucrose concentration in the same manner.例文帳に追加

（ａ）緩衝溶液中に含まれるトリエタノールアミン濃度が４０ミリモル／リットル以下、（ｂ）同様にスクロース濃度が０．２モル／リットル以下。 - 特許庁

A p-type InP buffer layer 2 containing low concentration Zn, and an undoped InP buffer layer 3 with a carrier concentration of 3×10^17 cm^-3 or less, are stacked on a p-type InP substrate 1 containing Zn.例文帳に追加

Znを含むｐ型InP基板１の上に、低濃度のZnを含むｐ型InPバッファ層２、キャリア濃度が３×１０^１７ｃｍ^−３以下となるアンドープInPバッファ層３を積層する。 - 特許庁

The contact surfaces of a p-type high-concentration semiconductor region 10 and an n-type high-concentration buffer region 12 with each other are formed so that they may become uneven and their areas become larger.例文帳に追加

ｐ型高濃度半導体領域１０とｎ型高濃度バッファ領域１２との接面が凹凸状になるように形成する。 - 特許庁

After the carrier concentration of the n-type buffer layer is evaluated in the steps i and ii, a new epitaxial layer is grown by melting back the buffer layer.例文帳に追加

以上の工程によりｎ型バッファ層のキャリア濃度を評価したのち、該ｎ型バッファ層をメルトバックして新たなエピタキシャル層を成長させる。 - 特許庁

A drift layer 32 is provided on the buffer layer 31 and is made from silicon carbide having a smaller impurity concentration than the silicon carbide constituting the buffer layer 31.例文帳に追加

ドリフト層３２は、バッファ層３１上に設けられ、バッファ層３１の不純物濃度よりも小さい不純物濃度を有する炭化珪素から作られている。 - 特許庁

The buffer layer is disposed on the reserve side of the second base layer, and has a higher impurity concentration than the second base layer.例文帳に追加

バッファ層は、第二のベース層の裏面に設けられ、第二のベース層よりも不純物濃度が高い。 - 特許庁

Here, the buffer layer 31 is formed of amorphous silicon carbide, and thickness of the low-concentration amorphous silicon carbide layer 30a is made larger than that of the high-concentration amorphous silicon carbide layer 30b and buffer layer 31.例文帳に追加

ここで、バッファ層３１をアモルファス炭化シリコンで形成するとともに、低濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａの膜厚は、高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ｂ及びバッファ層３１の膜厚よりも厚くする。 - 特許庁

On one surface of a first conductivity type first base layer having a first impurity concentration, a first conductivity type buffer layer having a second impurity concentration higher than the first impurity concentration is formed.例文帳に追加

第１の不純物濃度を有する第１導電型の第１ベース層の一方の面に、第１の不純物濃度よりも高い第２の不純物濃度を有する第１導電型のバッファ層が形成される。 - 特許庁

A high-concentration (n) type buffer layer 12, an (n) type intermediate layer 13, a low-concentration (n) type base layer 14, a (p) type well layer 15, and a high-concentration (n) type emitter layer 16, are sequentially formed on a (p) type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１１上に、高濃度ｎ型バッファ層１２、ｎ型中間層１３、低濃度ｎ型ベース層１４、ｐ型ウェル層１５、高濃度ｎ型エミッタ層１６を順次形成する。 - 特許庁

The first collector layer abuts on part of the reverse side of the buffer layer, and has a higher impurity concentration than the second base layer.例文帳に追加

第一のコレクタ層は、バッファ層の裏面の一部に接し、第二のベース層よりも不純物濃度が高い。 - 特許庁

The concentration of the calcium chloride in the buffer solution is preferably between 5-15 mM, more preferably 10 mM.例文帳に追加

緩衝液中の塩化カルシウム濃度は、好ましくは５〜１５ｍＭの範囲、より好ましくは１０ｍＭである。 - 特許庁

The impurity concentration of the n buffer layer 12 is gradually decreased from the n+ layer 16 toward the n- drift layer 6.例文帳に追加

ｎバッファ層１２の不純物濃度は、ｎ+層１６からｎ-ドリフト層６にかけて緩やかに減少する。 - 特許庁

The reagent consists of a first reagent and a second reagent, wherein the first reagent not contains a buffer or contains a buffer with concentration of 0.1 M or below, contains 4-nitrophenyl phosphoric acid or its salt and has 5-9 of pH, and the second reagent contains a buffer with at least 3 M of concentration.例文帳に追加

第１試薬及び第２試薬より構成され、第１試薬は緩衝剤を含有しないか又は０．１Ｍ以下の濃度の緩衝剤を含有し、かつ４−ニトロフェニルリン酸又はその塩を含有し、かつｐＨがｐＨ５〜ｐＨ９である、第２試薬は３Ｍ以上の濃度の緩衝剤を含有する。 - 特許庁

A first buffer layer 2a near a silicon substrate 1 and second buffer layer 2b on other portions have a high and low concentrations of an n-type impurity, respectively, resulting in some concentration difference.例文帳に追加

シリコン基板１の近傍をＮ型不純物の濃度が濃い第１バッファ層２ａとし、それ以外の部分を濃度が薄い第２バッファ層２ｂとして濃度差をつける。 - 特許庁

The antigen diluent or buffer liquid serves as a stabilizing buffer liquid for the antigens, preferably including DDT with a concentration of approx. 1 mM to 200 mM.例文帳に追加

抗原希釈剤または緩衝剤は、抗原のための安定化緩衝液として作用するものであり、好ましくは、約１ｍＭから約２００ｍＭの濃度のＤＴＴを含む。 - 特許庁

A concentration inclination region 13 where impurity concentration continuously drops from that of the n buffer region 12b is formed in the n^- semiconductor region 12a.例文帳に追加

ｎ- 半導体領域１２ａには、その不純物濃度がｎバッファ領域１２ｂの不純物濃度から連続的に低下する濃度傾斜領域１３が形成されている。 - 特許庁

When the hydrogen concentration Dh becomes lower than an opening value reference concentration Dhrefo, and an anode exhaust gas shutoff valve 62 is opened, the hydrogen concentration in the buffer 50 quickly increases, and recovers to the level at the beginning of the operation of the fuel cell 20.例文帳に追加

水素濃度Ｄhが開弁基準濃度Ｄhrefo未満となり、アノード排ガス遮断弁６２が開弁されると、バッファ５０内の水素濃度は急速に増加し、燃料電池２０の運転当初のレベルまで回復する。 - 特許庁

To provide a residual chlorine meter capable of obtaining an increase and decrease in current value sufficient with respect to an increase and decrease in the concentration of free chlorine even if a buffer solution is not used, in measuring the concentration of free chlorine of high concentration, and a method for measuring the concentration of residual chlorine.例文帳に追加

高濃度の遊離塩素を濃度測定するに当たり、緩衝液を用いずとも遊離塩素の濃度の増減に対して十分な電流値の増減を得ることができる残留塩素計及び残留塩素の濃度測定方法を提供する。 - 特許庁

A buffer layer is constituted of the superstructure of AlXGa1-XAs (0≤X≤1), where carrier concentration and a compensation ratio are regulated.例文帳に追加

緩衝層をキャリア濃度と補償比とが規定されたＡｌ_XＧａ_1-XＡｓ（０≦Ｘ≦１）の超格子構造から構成する。 - 特許庁

A barrier region 13 is disposed in an area below the gate region 17 in a boundary region of the channel layer 12 and the buffer layer 11, and contains p-type impurities at a higher concentration than the concentration of the p-type impurities in the buffer layer 11.例文帳に追加

バリア領域１３は、チャネル層１２とバッファ層１１との境界領域において、ゲート領域１７の下に位置する領域に配置され、バッファ層１１におけるｐ型不純物の濃度より高い濃度のｐ型不純物を含む。 - 特許庁

Thus, the n type buffer layer 3 is spatially separated from an SJ structure 4, and the concentration of the n type impurity at a connection part 14 between the n type buffer layer 3 and the n type pillar region 5 is made lower than the concentration of the n type impurity in the n type buffer layer 3 and the n type pillar region 5.例文帳に追加

これにより、ｎ型バッファー層３とＳＪ構造４とが空間的に分離され、ｎ型バッファー層３とｎ型ピラー領域５との間の接続部１４におけるｎ型不純物の濃度が、ｎ型バッファー層３及びｎ型ピラー領域５におけるｎ型不純物の濃度よりも低くなる。 - 特許庁

N-type buffer regions 48, which are formed under the lower parts of the regions 36 and 46 in contact with the regions 36 and 46, contain As and phosphous P as N-type impurities, and have a P concentration lower than an As concentration and the As concentration, are formed.例文帳に追加

エクステンション領域３６及びソース／ドレイン領域４６に接してその下方に、ｎ型不純物としてＡｓ及びリン（Ｐ）を含み、かつＰ濃度がＡｓ濃度より低いｎ−バッファ領域４８が形成されている。 - 特許庁

The solar cell includes a p-type layer 30, a buffer layer 31, an i-type layer 32 and an n-type layer 34, wherein the p-type layer 30 has a high-concentration amorphous silicon carbide layer 30a and a low-concentration amorphous silicon carbide layer 30b which has a lower dopant concentration of a p-type dopant than the high-concentration amorphous silicon carbide silicon layer 30a.例文帳に追加

ｐ型層３０と、バッファ層３１と、ｉ型層３２と、ｎ型層３４とを備え、ｐ型層３０は高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａと、高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａよりｐ型ドーパントのドーパント濃度が低い低濃度アモルファス炭化シリコン層３０ｂを設ける。 - 特許庁

To prepare the subject concentrate capable of containing an aromatic dialdehyde in a higher concentration while maintaining the physical stability of a pH buffer system and useful for the disinfection and pasteurization of medical instruments by including an aromatic dialdehyde with a concentration higher than a specific value, a solvent miscible with water and a buffering salt.例文帳に追加

ｐＨ緩衝システムの安定性を維持しながら、５ｗ／ｗ％より高い濃度の芳香族ジアルデヒドを含む消毒及び殺菌濃縮液を提供する。 - 特許庁

This IGBT is constituted in a punch through structure having an n^+ buffer layer 13 and has a p^- type low-concentration layer 12 between the buffer layer 13 and a p^+ drain layer 11.例文帳に追加

本発明のＩＧＢＴ１０は、ｎ^＋バッファ層１３を有するパンチスルー構造とされ、ｎ^＋型のバッファ層１３とｐ＋型のドレイン層１１の相互間にｐ^−型の低濃度層１２を有している。 - 特許庁

The distance from the position at which the net doping concentration of the N^+ first buffer layer 2 is maximum to the interface between the P^+ collector layer 3 and the second buffer layer 12 is determined to be 5 μm or more to 30 μm or less.例文帳に追加

また、Ｎ^+第１バッファ層２のネットドーピング濃度が極大の位置から、Ｐ^+コレクタ層３と第２バッファ層１２との界面までの距離を、５μｍ以上３０μｍ以下となるようにする。 - 特許庁

The rapid increase in the hydrogen concentration in the buffer 50 is brought about by flow of fuel gas supplied to the fuel cell 20 into the buffer 50 with the opening of the anode exhaust gas shutoff valve 62.例文帳に追加

バッファ５０内の水素濃度の急速な増加は、アノード排ガス遮断弁６２の開弁に伴い、燃料電池２０に供給された燃料ガスはバッファ５０へと流動することによりもたらされる。 - 特許庁

Moreover, the third adhesive functions as a stress buffer portion, and the stress concentration is suppressed at the side of the substrate 2.例文帳に追加

また、当該第３の接着剤が応力緩衝部分として機能して、基板２の側に応力集中が起きることも抑制できる。 - 特許庁

To provide a purge buffer device capable of mitigate a rise in the concentration of purge gas introduced to an intake system at the start of purge treatment.例文帳に追加

パージ処理の開始時に吸気系に導かれるパージガスの濃度の上昇を緩和することが可能なパージバッファ装置を提供する。 - 特許庁

The invention relates to the method for stabilizing the alkaline phosphatase activity measuring reagent, wherein the first reagent contains no buffer or contains the buffer with concentration of 0.1 M or below and contains 4-nitrophenyl phosphoric acid or its salt and has pH of 5-9, and the second reagent contains the buffer with at least 3 M of concentration.例文帳に追加

また、アルカリ性ホスファターゼ活性測定試薬の安定化方法であり、第１試薬に、緩衝剤を含有させないか又は０．１Ｍ以下の濃度の緩衝剤を含有させ、かつ４−ニトロフェニルリン酸又はその塩を含有させ、かつｐＨをｐＨ５〜ｐＨ９とし、そして第２試薬に３Ｍ以上の濃度の緩衝剤を含有させる。 - 特許庁

Moreover, it is constructed so that the small-carriers concentration from an well region to a collector layer in forward conduction is higher than at least the impurity concentration of part of semiconductor substrate or a buffer layer.例文帳に追加

また、順方向導電時の少数キャリア濃度が、ウェル領域からコレクタ層にわたって、少なくとも一部の半導体基板またはバッファ層の不純物濃度よりも高い構成とする。 - 特許庁

The high breakdown voltage semiconductor device is characterized in that a low concentration collector diffusion layer of a first conductivity type is formed in a second conductivity type collector buffer layer so as to enclose a first conductivity type high concentration collector diffusion layer.例文帳に追加

第２導電型コレクタバッファ層内に第１導電型高濃度コレクタ拡散層を包囲するように第１導電型の低濃度コレクタ拡散層が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The parenteral solution has an amiodarone concentration from 0.2 to 10 mg/mL and a buffer solution selected from the group consisting of lactate buffer, methanesulfonate buffer, or combinations thereof, the solution having a pH within the range from approximately 2.5-4.5.例文帳に追加

この非経口溶液は、０．２〜１０ｍｇ／ｍｌのアミオダロン濃度および乳酸塩緩衝液、メタンスルホン酸塩緩衝液、またはその組み合わせからなる群より選択される緩衝溶液を有し、この溶液は、約２．５〜約４．５の範囲内のｐＨを有する。 - 特許庁

In this residual chlorine concentration measuring method, by adding a buffer agent and a coloring agent into the sample water, to measure the residual chlorine concentration in the sample water, the buffer agent is constituted of at least one selected from among group comprising citrates, acetates and phthalates.例文帳に追加

本発明は、試料水に緩衝剤と呈色試薬とを添加して、試料水の残留塩素濃度を測定する残留塩素濃度測定方法であって、前記緩衝剤が、クエン酸塩、酢酸塩、およびフタル酸塩の少なくとも一つを用いて構成されていることを特徴としている。 - 特許庁

Release of the medicament can be controlled by controlling the in vivo degradation rate of the spherical gel through regulating the metal ion concentration or chitosan deacetylation degree or the chitosan concentration of the aqueous chitosan solution and further through the concentration of a buffer solution dissolving chitosan.例文帳に追加

薬物の放出制御は、調製液中の金属イオン濃度又はキトサンの脱アセチル化度、或いはキトサン水溶液のキトサン濃度、更にはキトサンを溶解する緩衝液濃度によって、球状ゲルの生体内分解速度をコントロールすることによりできる。 - 特許庁

There is provided the pharmaceutical formulation comprising human parathyroid hormone at concentration from 0.3 to 10 mg/mL, a pharmaceutically acceptable citrate buffer solution having a pH of from 4 to 6 at concentration of from 5 to 20 mM, and at least one osmotic modifier of sodium chloride and/or mannitol.例文帳に追加

0.3〜10mg/mlのヒト副甲状腺ホルモンと、pH4〜6である薬学的に許容される5〜20mMの濃度のクエン酸緩衝液と、塩化ナトリウム及び/又はマンニトールの少なくとも一つの浸透圧修飾剤とを含む薬学的製剤。 - 特許庁

The IGBT has a p^+-type high-concentration drain layer 12 which decides the injection volume of a hole and a p^--type low-concentration drain layer 11 which absorbs the fluctuation of the ground amount of the rear surface of a wafer under an n^+-type buffer layer 13.例文帳に追加

本発明のＩＧＢＴは、ｎ^+バッファ層１３の下に、正孔の注入量を決めるｐ^+高濃度ドレイン層１２と、ウェハ裏面研削量のばらつきを吸収するｐ^-低濃度ドレイン層１１を有している。 - 特許庁

Related to a semiconductor device with a pin structure, the impurity concentration gradient of an n+ buffer layer 103 is configured to 2×1018 cm-4 or below.例文帳に追加

ｐｉｎ構造を有する半導体装置において、バッファ層であるｎ^+層１０３の不純物濃度勾配を２×１０^18ｃｍ^-4以下に構成する。 - 特許庁