「buffer concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

An n-type SiC layer 4 having a relatively high dopant concentration as a buffer film is formed so as to coat the entire face of the Schottky barrier metal 3.例文帳に追加

ショットキーバリア金属３の全面を覆うように緩衝膜としてのドーパント濃度の比較的高いｎ型のＳｉＣ膜４が形成されている。 - 特許庁

In this fuel cell system 10, a buffer 50 is filled with hydrogen at the beginning of operation of the fuel cell 20, and the concentration of an impurity IM in the buffer 50 increases with progress of the operation time of the fuel cell 20.例文帳に追加

燃料電池システム１０では、燃料電池２０の運転当初は、バッファ５０内には水素で満たされており、燃料電池２０の運転時間の経過と共にバッファ５０内における不純物ＩＭの濃度が増加する。 - 特許庁

Portions of the buffer trenches 30, which are located at the opposite side to the gate trenches 23 sides in the longitudinal direction of the gate trenches 23, are located in the outer peripheral well region 29, so that concentration of electric field on these portions of the buffer trenches 30 can be moderated.例文帳に追加

また、ゲートトレンチ２３の長手方向においてバッファートレンチ３０のうちゲートトレンチ２３側とは反対側の部分が外周ウェル領域２９内に位置するので、バッファートレンチ３０の当該部分の電界集中を緩和できる。 - 特許庁

To provide a neutralizing agent which allows stable measurement of a concentration of fluoride contained in an acid chemical solution with respect to a change in acid concentration by use of a fluoride ion electrode, and in which a buffer does not crystallize during the measurement.例文帳に追加

酸性薬液に含まれるフッ化物濃度を、フッ化物イオン電極を用いて、酸濃度の変動に対して安定に測定することが可能であり、測定時に緩衝剤が結晶化しない中和剤を提供する。 - 特許庁

The carrier concentration of a III-V compound semiconductor wafer on which an n-type buffer layer is formed is measured through C-V measurement and, in addition, the photoluminescence of the wafer is also measured.例文帳に追加

ｎ型バッファ層形成済みのIII−Ｖ族化合物半導体ウェーハで、Ｃ−Ｖ測定によりキャリア濃度を測定する一方、フォトルミネッセンス測定も行う。 - 特許庁

There are provided a formulation for isolating and purifying nucleic acids comprising a lithium salt at concentration of at least about 1 M, a surfactant, and a buffer.例文帳に追加

核酸を単離および精製するための処方物であって、少なくとも約１Ｍの濃度であるリチウム塩、洗浄剤、および緩衝剤を含有する処方物を提供する。 - 特許庁

The compositions are effectively preserved by a balanced ionic buffer system containing zinc ions at a concentration of 0.04 to 0.9 mM, preferably 0.04 to 0.4 mM.例文帳に追加

前記組成物は、０．０４乃至０．９ｍＭ、好ましくは０．０４乃至０．４ｍＭの濃度で亜鉛イオンを含有する平衡化イオン緩衝系によって効果的に保存される。 - 特許庁

To provide a fuel cell device capable of inhibiting stay of air bubbles in a buffer tank, supplying a fuel of desired concentration constantly, and achieving improvement of power generation efficiency.例文帳に追加

バッファータンク内の気泡溜まりを防止し、所望濃度の燃料を安定して供給し、発電効率の向上を図ることが可能な燃料電池装置を提供する。 - 特許庁

An N type buffer region 12 containing a relatively high concentration of arsenic via an anti-diffusion region 22 and having a relatively small thickness is formed on the collector region 11.例文帳に追加

コレクタ領域１１の上には、拡散防止領域２２を介して、ヒ素を比較的高濃度で含み、比較的厚みの薄いＮ型バッファ領域１２が形成されている。 - 特許庁

The concentration of the n-type impurity is not high in all the buffer layers, this preventing the on-voltage being excessively high with leaving the on-loss low.例文帳に追加

そして、バッファ層すべてにおいてＮ型不純物の濃度が濃くされた訳ではないため、オン電圧が高くなり過ぎず、オン損失を少ないままにすることが可能になる。 - 特許庁

The cross section of the liquid flow channel 90A constituted in the tank body 90 is set according to the type and concentration of the buffer liquid to be used and the material of the tank body 90.例文帳に追加

タンク本体９０に構成される液体流路９０Ａの断面は、使用するバッファー液の種類や濃度と、タンク本体９０の材質に応じて設定する。 - 特許庁

An interface between the buffer layer and the retaining substrate is defined by a method wherein distribution of oxygen concentration in the thickness direction has a peak at a position corresponding to the interface between them.例文帳に追加

厚さ方向に関する酸素濃度分布が、バッファ層と支持基板との界面に相当する位置にピークを有することにより両者の界面が画定される。 - 特許庁

After the capture, BF separation is executed by flowing buffer solution, and a luminescence quantity from the magnetic particles is detected by an optical sensor 13 to thereby analyze the concentration of the specific material in a sample.例文帳に追加

捕捉後、緩衝液を流してＢＦ分離を行い、磁性粒子からの発光量を光センサ１３で検出して試料中の特定物質の濃度を分析する。 - 特許庁

The buffer region 12 has a comparatively high impurity concentration of 5×10^17 cm^-3 or more, and is formed in a comparatively thin thickness of 2 to 10 μm.例文帳に追加

バッファ領域１２は、５×１０^１７ｃｍ^−３以上の比較的高い不純物濃度を有し、２〜１０μｍの比較的薄い厚みで形成されている。 - 特許庁

To provide a method for stabilizing a solid phase immunological reagent and a stabilizing solution used therefor capable of maintaining high stability in a dry state over a long period by combining the saccharide of a specific concentration with the buffer solution of a specific concentration.例文帳に追加

特定濃度の糖類と特定濃度の緩衝液とを組み合わせることによって、乾燥状態で長期間に亘って高い安定性を維持できる固相化免疫試薬の安定化方法およびこれに用いる安定化溶液を提供すること - 特許庁

The IGBT having a buffer layer is constructed so that a small-carriers concentration in forward conduction is higher than an impurity concentration in the region unaffected by an electric field when a break-down voltage is applied forward.例文帳に追加

また、バッファ層を有するＩＧＢＴにおいて、順方向にブレークダウン電圧が印加されたときに電界がかからない領域では、順方向導電時の少数キャリア濃度が当該領域の不純物濃度よりも高くなる構成とする。 - 特許庁

The intermediate layer 13 is set to have an impurity concentration between those of the buffer and base layers 12 and 14 considering its thickness dimension, so that a depletion layer will not reach the buffer layer 12 at the time of turning OFF the L load switching operation.例文帳に追加

中間層１３は、バッファ層１２とベース層１４との中間的な不純物濃度に設定すると共に厚さ寸法を考慮して設定することにより、Ｌ負荷スイッチング動作のターンオフ時に空乏層がバッファ層１２まで到達しないようにすることができる。 - 特許庁

The first buffer layer has a cavity 110a provided over the recessed portion of the sapphire substrate, and the first buffer layer has a first region 110e and a second region 110f provided between the first region and the sapphire substrate and having higher carbon concentration than the first region.例文帳に追加

第１バッファ層は、サファイア基板の凹部の上に設けられた空洞１１０ａを有し、第１バッファ層は、第１領域１１０ｅと、第１領域とサファイア基板との間に設けられ第１領域よりも炭素濃度が高い第２領域１１０ｆと、を有する。 - 特許庁

To provide an electro-optical device capable of forming a buffer layer alleviating stress concentration to a gas barrier layer through flattening of the gas barrier layer and preventing the buffer layer from leaking outside a given region, and to provide a manufacturing method of the same and electronic equipment.例文帳に追加

ガスバリア層を平坦化させて、ガスバリア層への応力集中を緩和させる緩衝層を形成するとともに、緩衝層が所定の領域外に漏出することを防止することができる電気光学装置、その製造方法、及び電子機器を提供する。 - 特許庁

In one embodiment, a precursor composition contains: a citrate at a concentration ranging from about 20 to about 900 mEq/L; a buffer; water; a chloride at a concentration ranging from about 1,000 to about 7,000 mEq/L; and at least one physiologically acceptable cation.例文帳に追加

一実施形態において、本発明の前駆体組成物は、濃度約２０〜約９００ｍＥｑ／Ｌのクエン酸塩と、緩衝液と、水と、濃度約１,０００〜約７,０００ｍＥｑ／Ｌの塩化物と、少なくとも１つの生理学的に許容可能な陽イオンと、を含む。 - 特許庁

The assaying medium keeps a concentration of alginin of 0.02-1.5 M and pH of 7.0-9.5 and contains substantially no buffer other than alginin or contains a reaction product of an alginin inorganic acid salt and an alkali metal hydroxide and a concentration of alginin of 0.02-1.5 M and pH of 7.0-9.5.例文帳に追加

アルギニン濃度が0.02〜1.5Mであり、pHが7.0〜9.5であり、アルギニン以外に緩衝剤を実質的に含まないアッセイ用媒体、及びアルギニン無機酸塩とアルカリ金属水酸化物との反応生成物を含み、アルギニン濃度が0.02〜1.5Mであり、pHが7.0〜9.5であるアッセイ用媒体を提供した。 - 特許庁

The LOD structure 26 has a buffer region 44 having a lower concentration than that of the drain region 40 at a boundary part between the barrier region 42 and drain region 40 to make gentle impurity concentration variation between the barrier region 42 and drain region 40.例文帳に追加

当該ＬＯＤ構造２６には、ドレイン領域４０より低濃度のバッファ領域４４が、バリア領域４２とドレイン領域４０との境界部分に設けられ、バリア領域４２とドレイン領域４０との間の不純物濃度変化を緩やかにする。 - 特許庁

In the buffer layer 2, the concentration of the dopant is reduced linearly from C1 to C2 toward the interface with the silicon carbide drift layer 3 from the interface with the silicon carbide substrate 1.例文帳に追加

バッファ層２は、炭化珪素基板１との界面から炭化珪素ドリフト層３との界面に向かって、ドーピング濃度が前記Ｃ１から前記Ｃ２まで線形に減少するように構成した。 - 特許庁

To reduce a stress concentration generated in the part of an outside annular section joined to a support piece while securing high lifting in the outside annular section in a check valve structure of a hydraulic buffer.例文帳に追加

油圧緩衝器のチェックバルブ構造において、外側環状部に高いリフトを確保しながら、支持片に対する外側環状部の接合部に生ずる応力集中を緩和すること。 - 特許庁

There is a strategic jump in germanium and concentration from the buffer side of the interface to the etch-stop material, such that the etch-stop layer is considerably more resistant to the etchant.例文帳に追加

界面のバッファサイドからエッチング停止物質にかけて、エッチング停止層がエッチング剤に対して非常に抵抗力があるように、ゲルマニウムおよび濃度において計画的な飛躍を行う。 - 特許庁

Since the concentration of an electric field generated in the vicinity of the bottom surface of the buffer region 113 is eased by the configuration, voltage resistance between the collector and the emitter can be further increased.例文帳に追加

当該構成により、バッファ領域１１３の底面近傍で発生する電界集中が緩和されることとなるため、コレクタ−エミッタ間の耐圧を更に高くすることが可能となる。 - 特許庁

The hybridization buffer solution used for DNA micro arrays is allowed to contain polyethylene glycol at a concentration in the range that is equal to or higher than 5% (weight/solution) and equal to or lower than 15% (weight/solution).例文帳に追加

ＤＮＡマイクロアレイ用に用いられるハイブリダイゼーション緩衝溶液に、５％（重量/溶液）以上１５％（重量/溶液）以下の範囲の濃度のポリエチレングリコールを含有させる。 - 特許庁

An n++ buffer layer 20 of which at least a part is located on the part opposed to the circumferential face P1oof the second main face, and has an impurity concentration higher than that of the n+ layer 15.例文帳に追加

ｎ＋＋バッファ層２０は、第２主面の外周面Ｐ１ｏに対向する部分の上に少なくとも一部が位置し、ｎ＋層１５よりも高い不純物濃度を有している。 - 特許庁

An object substance region in one row, a high- and-low ion concentration buffer or a spacer region can be formed inside the channel so as to be easily introduced into the very small fluid system.例文帳に追加

一列の対象物質領域、高および低イオン濃度緩衝剤またはスペーサ領域は、微小流体システム内に容易に導入されるようにチャネル内に形成され得る。 - 特許庁

The buffer layer which has carrier concentration higher than that of the semiconductor layer is formed intentionally among the source electrode layer, the drain electrode layer, and the semiconductor layer, thereby an ohmic contact is formed.例文帳に追加

ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 - 特許庁

On a buffer layer 23, an n-type InGaAs channel layer 24 having a large electron affinity and high impurity concentration, an InGaAs channel layer 25 having a large electron affinity and low impurity concentration, an n-type AlGaAs barrier layer (electron feeding layer) 26 having a small electron affinity and high impurity concentration, and an n+-type GaAs contact layer 27, are stacked.例文帳に追加

バッファ層２３の上に、電子親和力が大きくて高不純物濃度のｎ型ＩｎＧａＡｓチャネル層２４、電子親和力が大きくて低不純物濃度のＩｎＧａＡｓチャネル層２５、電子親和力が小さくて高不純物濃度のｎ型ＡｌＧａＡｓ障壁層（電子供給層）２６、ｎ^＋型ＧａＡｓコンタクト層２７を積層する。 - 特許庁

This apparatus uses a microchip 9 having a concentration gradient domain channel 27 on which a concentration gradient of a nucleic acid modifier is formed, a plurality of reservoirs 10 and a channel 26 for supplying two buffer solutions including a modifier on the upstream side in each different concentration, and a sample introduction part 28 for introducing a double-stranded nucleic acid sample on the downstream side.例文帳に追加

装置は、核酸変性剤の濃度勾配が形成される濃度勾配領域チャンネル２７と、その上流側の変性剤を異なる濃度で含有する２つの緩衝液を供給する複数のリザーバー１０及びチャンネル２６と、その下流側の二本鎖核酸試料を導入する試料導入部２８とを有するマイクロチップ９を用いる。 - 特許庁

This method for the chromosome hybridization in fluorescence in situ hybridization(FISH), comparative genomic hybridization(CGH) or the like is characterized by using a buffer solution for the hybridization containing an alkali metal salt at ≥600 mM concentration and sodium citrate at ≥60 mM concentration in the method for the chromosome hybridization using the buffer solution containing the alkali metal salt and the sodium citrate.例文帳に追加

アルカリ金属塩およびクエン酸ナトリウム塩を含有する緩衝溶液を用いる染色体ハイブリダイゼーション方法において、該アルカリ金属塩の濃度が６００mM以上であり、好ましくは該クエン酸ナトリウム塩が６０mM以上含まれてなるハイブリダイゼーション用緩衝溶液を用いることを特徴とするＦＩＳＨ(Fluorescence in situ hybridization)、ＣＧＨ(Comparative Genomic Hybridization)等における染色体ハイブリダイゼーション方法。 - 特許庁

A semiconductor device has: an AlGaN buffer layer 18 provided on an SiC substrate 10 and that has an acceptor concentration (Na) higher than a donor concentration (Nd); a GaN electron transit layer 14 provided on the AlGaN buffer layer 18; and an AlGaN electron supply layer 16 provided on the GaN electron transit layer 14 and that has a band gap larger than that of GaN.例文帳に追加

本発明は、ＳｉＣ基板１０上に設けられ、アクセプタ濃度（Ｎａ）がドナー濃度（Ｎｄ）以上の濃度であるＡｌＧａＮバッファ層１８と、ＡｌＧａＮバッファ層１８上に設けられたＧａＮ電子走行層１４と、ＧａＮ電子走行層１４上に設けられ、ＧａＮよりもバンドギャップが大きいＡｌＧａＮ電子供給層１６と、を有する半導体装置である。 - 特許庁

The fluorine gas supply system is configured to introduce mixed gas stored in a buffer tank 5 into gas introduction piping 4 before the mixed gas is adjusted in the buffer tank 5 and then circulate the mixed gas, and also to adjust the flow rate of an inert gas supply source 2 in response to an obtained fluorine concentration by providing a monitor device 13 which measures the fluorine concentration in the mixed gas.例文帳に追加

フッ素ガスの供給システムにおいて、バッファタンク５に貯蔵した混合ガスを、バッファタンク５内で混合ガスを調整する前のガス導入配管４に導入し、混合ガスを循環させること、また、混合ガス中のフッ素濃度を測定する監視装置１３を設け、得られたフッ素濃度に応答して、不活性ガス供給源２の流量を調整できる構成。 - 特許庁

Further, an n-type buffer layer 3 is selectively formed on the lower main surface of a silicon substrate 1, and an n-type cathode area 6 constituted of n-type semiconductor containing n-type impurity in a comparatively high concentration is selectively formed in the surface of the n-type buffer layer 3.例文帳に追加

また、シリコン基板１の下主面表面内には、ｎ型バッファ層３が選択的に形成され、ｎ型バッファ層３の表面内にはｎ型不純物を比較的高濃度に含んだｎ型半導体層で構成されたｎ型カソード領域６が選択的に形成されている。 - 特許庁

The method of manufacturing the organic thin film solar cell having excellent electrical characteristic and durability is provided by optimizing dopant concentration in a buffer layer to 5.0x10^21 cm^-3 or less for preventing corrosion of the transparent electrode in a process of forming the buffer layer on the transparent electrode.例文帳に追加

透明電極上にバッファー層を形成する工程において、バッファー層中のドーパント濃度を５．０×１０^２１ｃｍ^−３以下とし最適化することで、透明電極の腐食を防ぎ、優れた電気特性と耐久性を有する有機薄膜太陽電池の製造方法。 - 特許庁

The temperature in the storage chamber 21, the sample chamber 22, and the buffer chamber 23 is controlled to be constant, and a solid sample accommodated in the sample chamber 22 is melted; and the concentration of a specified constituent contained in the recovered solution is measured by a solution concentration measuring section 12, thus obtaining the melting speed of the solid sample.例文帳に追加

貯蔵室２１と試料室２２とバッファ室２３との温度を一定温度に制御し試料室２２に収容された固体試料を溶解させ、回収した溶液に含まれる特定成分の濃度を溶液濃度測定部１２により測定して固体試料の溶解速度を得る。 - 特許庁

Thus, even when the ink in the ink cartridge 50 has a concentration distribution by the settling phenomenon of a pigment, the stable concentration ink can be supplied to the printing head 24, as compared with a carriage provided with only one buffer tank between the ink cartridge 50 and the printing head 24.例文帳に追加

これにより、顔料の沈降現象によりインクカートリッジ５０内のインクに濃度分布が生じるものとしても、インクカートリッジ５０と印刷ヘッド２４との間に一つのバッファータンクしか備えないものに比して、安定した濃度のインクを印刷ヘッド２４に供給することができる。 - 特許庁

On a substrate 101, an AIN buffer layer 102, an undoped GaN layer 103, an undoped AlGaN layer 104, a p-type GaN layer 105 and a high concentration p-type GaN layer 106 are formed sequentially, and a gate electrode 111 has an ohmic junction to the high concentration p-type GaN layer 106.例文帳に追加

基板１０１上にＡｌＮバッファ層１０２、アンドープＧａＮ層１０３、アンドープＡｌＧａＮ層１０４、ｐ型ＧａＮ層１０５、高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６が順に形成され、ゲート電極１１１が高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６とオーミック接合する。 - 特許庁

An AlN buffer layer 102, an undoped GaN layer 103, an undoped AlGaN layer 104, a p-type GaN layer 105, and a high concentration p-type GaN layer 106, are sequentially formed on a substrate 101; and a gate electrode 111 is ohmic-contacted to the high concentration p-type GaN layer 106.例文帳に追加

基板１０１上にＡｌＮバッファ層１０２、アンドープＧａＮ層１０３、アンドープＡｌＧａＮ層１０４、ｐ型ＧａＮ層１０５、高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６が順に形成され、ゲート電極１１１が高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６とオーミック接合する。 - 特許庁

A broad buffer structure is formed by irradiating proton to a semiconductor substrate and performing heat treatment, wherein the carbon concentration of a potion, in which the impurity concentration of a first semiconductor layer 1 become maximum, is 6.0×10^15 atoms/cm^3 or more and 2.0×10^17 atoms/cm^3 or less.例文帳に追加

第１半導体層１の不純物濃度が極大となる箇所の炭素濃度が６．０×１０^15ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以上２．０×１０^17ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下である半導体基板に、プロトンを照射して、熱処理をおこなうことでブロードバッファ構造を形成する。 - 特許庁

The vertical MOSFET which has a semiconductor substrate layer and a drift layer, provided above the semiconductor substrate layer and having a lower impurity concentration than the semiconductor substrate layer is provided with a buffer layer which continuously varies in impurity concentration, with the depth position within an impurity range being lower than the impurity concentration of the semiconductor layer and higher than the impurity concentration of the drift layer between the semiconductor substrate layer and drift layer.例文帳に追加

半導体基板層と、半導体基板層の上方に設けられて半導体基板層の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有するドリフト層と、を有する縦型ＭＯＳＦＥＴにおいて半導体基板層とドリフト層との間に半導体基板層の不純物濃度よりも低く且つドリフト層の不純物濃度よりも高い不純物濃度範囲において、その深さ位置に応じて不純物濃度が順次変化しているバッファー層を設ける。 - 特許庁

The sugar which is a measuring object is glucose, and the time for measuring the sugar concentration is one hour or more after dipping the grains in water, and the water is pH buffer liquid having pH of 5.5-8.5.例文帳に追加

前記測定対象の糖はグルコースであり、上記糖濃度を測定する時期は穀類を水に浸漬してから１時間以降であり、前記水はｐＨ５．５以上８．５以下のｐＨバッファー液である。 - 特許庁

This reagent includes a citrate buffer solution, a nonionic surfactant and a reducing agent, and liberates copper ion bonded to proteins in a specimen, when measuring the copper concentration in blood.例文帳に追加

本発明の試薬は、クエン酸緩衝液、非イオン性界面活性剤、および還元剤を含有し、血中銅濃度を測定する際に、検体中のタンパク質に結合している銅イオンを遊離させる。 - 特許庁