「buffer concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

This method for removing a human serum albumin polymer is characterized by contacting a human serum albumin solution containing the polymer with an anion exchanger equilibrated with a buffer solution with a salt concentration of 10-150 mM and pH 5-9.5.例文帳に追加

ヒト血清アルブミンの多量体を含有するヒト血清アルブミン溶液を、塩濃度10〜150 mM、ｐＨ５〜9.5の緩衝液で平衡化した陰イオン交換体と接触させることを特徴とするヒト血清アルブミン多量体の除去。 - 特許庁

In the static induction thyristor 14, the impurity concentration or thickness in a base region and a buffer layer region is determined so that a peak voltage V_D attained by a peak current I_p in a punch-through status does not exceed a withstand voltage of the static induction thyristor 14.例文帳に追加

SIThy１４は、パンチスルー状態となるピーク電流Ｉ_ｐによって実現されるピーク電圧Ｖ_ＤがSIThy１４の耐電圧を超えないようにベース領域とバッファ層領域の不純物濃度や厚みが決定される。 - 特許庁

An insulating GaN buffer layer 3a comprising an insulating nitride III-V compound semiconductor with carbon doped with high concentration as impurities is formed on an AlN nucleus forming layer 2 as the nitride III-V compound semiconductor on a SiC substrate 1 for growing a thin film.例文帳に追加

例えば、高移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）のチャネル層の下層に、絶縁性窒化物膜を設けることにより、容易に高速性に優れたＨＥＭＴ特性が得られる半導体装置を提供する。 - 特許庁

Then, processing for forming an epitaxial layer whose impurity concentration is lower than that of the n type buffer layer 3, and for selectively injecting the n type impurity and the p type impurity into the upper face is repeated.例文帳に追加

次に、不純物濃度がｎ型バッファー層３の不純物濃度よりも低いエピタキシャル層を形成し、その上面にｎ型不純物及びｐ型不純物を選択的に注入する処理を繰り返す。 - 特許庁

A metal oxide layer having a higher carrier concentration than the semiconductor layer is provided as the buffer layer intentionally between the source and drain electrode layers and the semiconductor layer, thereby an ohmic contact is formed.例文帳に追加

ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高い金属酸化物層をバッファ層として意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 - 特許庁

To provide a power module substrate with a heat sink and a power module with a heat sink capable of increasing junction reliability during a heat cycle, by preventing the concentration of stress at the corner of a buffer layer and also by reducing the heat resistance.例文帳に追加

緩衝層の角部の応力集中を抑え、また熱抵抗を低減して、熱サイクル時における接合信頼性を高めることができるヒートシンク付パワーモジュール用基板及びヒートシンク付パワーモジュールを提供する。 - 特許庁

The device regulates the capacity of the buffer chamber so as to reduce the changes in the concentration of the target gas rate to ensure measurement time enough to perform stable measurement in order to solve problems of affection of the gas concentration on the object to be measured, caused by making the dead space in the measurement chamber smaller.例文帳に追加

前記装置は、従来、測定チャンバーのデッドスペースを小さくすることに伴って生じる、ガス濃度変化が測定物に影響する問題に対して、ガス濃度変化速度を緩和し、安定した計測ができる測定時間を確保できるよう、バッファーチャンバーの容積を調節することを特徴とする。 - 特許庁

The concentration of metallic ions contained in a buffer solution and a migration temperature in which the single-stranded DNA sample does not produce a secondary structure under the concentration of the metallic ions are preset and the length of an affinity ligand to be hybridized to a partial sequence containing a base mutation site of a normal body (or a single nucleotide mutant) is regulated.例文帳に追加

緩衝液中に含まれる金属イオンの濃度、及びかかる金属イオン濃度下で一本鎖DNA試料が二次構造を生じない泳動温度を予め設定しておき、正常体（又は一塩基変異体）の塩基変異部位を含む部分配列とハイブリダイズすべきアフィニティーリガンドの長さを調節する。 - 特許庁

Moreover, a lightly-doped region 12, which partitions the low noise-resistant circuit 108 off a logical circuit and an interface buffer circuit, is made at the boundary inside the corner region 6, and this region is low in impurity concentration, and is high in impedance.例文帳に追加

また、角領域６の内側の境界部に、低ノイズ耐性回路１０８と論理回路およびインターフェースバッファ回路とを仕切る抵不純物濃度領域１２が形成され、この領域は不純物濃度が低く、高インピーダンスである。 - 特許庁

On the GaAs substrate 1 of a semi-insulating property, a buffer layer 2 composed of i-GaAs having a implanted impurity, and an n^+ GaAs layer 3 having an implanted high concentration n-type impurity, are sequentially formed.例文帳に追加

半絶縁性のＧａＡｓ基板１上には、不純物を注入されていないｉ−ＧａＡｓからなるバッファ層２および高濃度のｎ型不純物が注入されたｎ＋ＧａＡｓ層３が順に形成されている。 - 特許庁

The response of the films that are amounted to bases 7 and 7 and have sensitivity in each different concentration range of the substance to be detected is picked up by electrodes 8 and 8 via buffer layers 9 and 9 as a detection signal.例文帳に追加

基材７，７にそれぞれ取り付けられ、検出対象物質のそれぞれ異なる濃度範囲に感度をもった前記膜１，１の応答を緩衝層９，９を介して電極８，８でそれぞれ拾って検出信号とする。 - 特許庁

Thereby, the lifetime value from interface of the first semiconductor layer 1 and a second semiconductor layer 2 to a cathode side end of a region, in which the net doping concentration of the broad buffer structure in the first semiconductor layer becomes maximum, becomes generally uniform.例文帳に追加

これによって、第１半導体層１と第２半導体層２との界面から、第１半導体層内のブロードバッファ構造のネットドーピング濃度が極大となる領域のカソード側の端部までのライフタイム値が概ね一様となる。 - 特許庁

This invention is directed to the stable liquid pharmaceutical formulation comprising high concentration, e.g. 50 mg/mL or more of antibody in about 20-60 mM succinate buffer or 30-70 mM histidine buffer, having a pH of from about 5.5 to about 6.5, about 0.01-0.1% polysorbate, and a tonicity modifier that contributes to an isotonicity of the formulation.例文帳に追加

約ｐＨ５．５から約ｐＨ６．５のｐＨ、約０．０１〜０．１％のポリソルベート、製剤の等張性に寄与する浸透圧調節剤を有する約２０〜６０ｍＭのコハク酸緩衝液又は３０〜７０ｍＭのヒスチジン緩衝液に中に高濃度、例えば５０ｍｇ／ｍｌ又はそれ以上の抗体を含む安定な液体医薬製剤による。 - 特許庁

In a SiC pin diode 20, an n-type minority carrier elimination layer 31, which is formed between an n-type SiC substrate 21 and an n-type buffer layer 22, has a higher concentration of carbon hole defects than the n-type buffer layer 22, and a carbon hole defect of the minority carrier elimination layer 31 serves as a trap for holes from p-type anode layers 24 and 25.例文帳に追加

このＳｉＣ ｐｉｎダイオード２０では、ｎ型ＳｉＣ基板２１とｎ型バッファ層２２との間に形成したｎ型少数キャリア消滅層３１は、ｎ型バッファ層２２よりも炭素空孔欠陥の濃度が高く、少数キャリア消滅層３１の炭素空孔欠陥はｐ型のアノード層２４,２５からの正孔のトラップとして働く。 - 特許庁

The carbon concentration within a buffer layer 13 is controlled by introducing material gas of hydrocarbon or organic compounds containing carbon such as propane as an additive in forming the buffer layer 13 by introducing trimethylgallium (TMGa) and ammonium (NH_3) as gaseous nitride compound semiconductor materials into a chamber in which a substrate is disposed.例文帳に追加

基板が配置されたチャンバ内にガス状の窒化物系化合物半導体材料としてトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）とアンモニア（ＮＨ_３）とを導入してバッファ層１３を形成する際、プロパンなどのカーボンを含む炭化水素または有機化合物の材料ガスを添加剤として導入することで、バッファ層１３のカーボン濃度を制御する。 - 特許庁

In the membrane separation apparatus for separating and concentrating the useful gas component in the mixed gas containing the useful gas component, a buffer tank for relaxing the fluctuations in the concentration of the useful gas in the mixed gas is provided to the front stage of the membrane module, especially a buffer tank filled with an adsorbent having the adsorbing capacity of the useful gas component is provided.例文帳に追加

有用ガス成分を含む混合ガス中の前記有用ガス成分を膜モジュールを用いて分離濃縮する膜分離装置において、前記膜モジュールの前段に、前記混合ガス中の有用ガス成分の濃度変動を緩和するためのバッファタンク、特に、前記有用ガス成分の吸着能力を有する吸着剤を充填したバッファタンクを設ける。 - 特許庁

The transistor includes a gate insulating layer at least whose uppermost surface is a silicon nitride layer, a semiconductor layer over the gate insulating layer, and a buffer layer over the semiconductor layer, and the concentration of nitrogen in the vicinity of an interface between the semiconductor layer and the gate insulating layer in the semiconductor layer is lower than that of the buffer layer and other parts of the semiconductor layer.例文帳に追加

少なくとも最表面が窒化シリコン層であるゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に設けられた半導体層と、前記半導体層上にバッファ層を有し、該半導体層中のゲート絶縁層との界面近傍における窒素の濃度は、半導体層の他の部分及びバッファ層よりも低い薄膜トランジスタを作製する。 - 特許庁

A long-wavelength photodetector epitaxial wafer 10 is equipped with an InGaAs layer 3 serving as a photodetection layer and an InP layer 4 serving as a window layer, wherein the InGaAs layer 3 is high in As concentration at an interface 5 between the layers 4 and 3 and gradually reduced in As concentration toward an InP buffer layer 2.例文帳に追加

受光層としてのＩｎＧａＡｓ層３と、窓層としてのＩｎＰ層４とを備える長波長受光素子用のエピタキシャルウェーハ１０において、ＩｎＧａＡｓ層３とＩｎＰ層４との界面５近傍のＩｎＰ４層側は、Ａｓ濃度が界面５で高く、その界面から徐々に低減していく構成を有する、ことを特徴としている。 - 特許庁

A divalent salt, concretely speaking magnesium chloride, is added to a reaction buffer solution used for immunoassay so that the total salt concentration becomes 100 mM-600 mM, thus extremely reducing the active measurement value of a negative specimen and avoiding the non-specific reaction.例文帳に追加

免疫測定に使用する反応緩衝液に２価の塩、具体的には塩化マグネシウムを総塩濃度が１００ｍＭ〜６００ｍＭとなるように添加することにより、陰性検体の活性測定値が顕著に減少し、非特異反応が抑制される。 - 特許庁

In the spot test, 2:1:1 mixed solution of sample solution containing fluoride ions, buffer solution, and ethanol is spotted on the dipping plate by 0.1 ml, is wiped off after the mixed solution is placed quietly for 30 minutes, and the color is viewed to judge the concentration of the fluoride ions.例文帳に追加

スポット・テストは、フッ化物イオンを含む試料溶液、緩衝溶液、エタノールの２：１：１混合溶液を、上記の含浸プレート上に０．１ｍｌスポットして、３０分静置後に拭き取り、その色を目視してフッ化物イオン濃度を判定する。 - 特許庁

In a transistor operating in a bipolar mode, a thickness of an N-type buffer layer 4 is set to 20 to 40 μm or preferably 40 μm, a peak concentration is set to 1×1015-1×1016 cm-3 or preferably 1×1016 cm-3.例文帳に追加

バイポーラモードで動作するトランジスタにおいて、Ｎバッファ層４の層厚を２０μｍ〜４０μｍ、好ましくは４０μｍとし、ピーク濃度を１×１０^１５ｃｍ^−３〜１×１０^１６ｃｍ^−３、好ましくは１×１０^１６ｃｍ^−３とする。 - 特許庁

The cell processing system where received multiplexed frame data are shared into a plurality of CN and assembled into cells, is provided with a CN dependent cell processing buffer 103 that stores frame data shared by each CN at a partial filling rate and a partial filling control section 104 that controls a data storage start timing to the CN dependent cell processing buffer to decentralize concentration of cell processing requests.例文帳に追加

多重入力されるフレームデータを複数のＣＮに振り分けてセル化を行うセル化処理システムに、ＣＮ毎に振り分けられたフレームデータを部分充填率で蓄積するＣＮ別セル化バッファ１０３と、ＣＮ別セル化バッファへのデータ蓄積開始タイミングを制御しセル化要求の集中を分散する部分充填制御部１０４とを備えることを特徴とするセル化処理システム。 - 特許庁

Mono-dispersed oxide silicon particles whose mean primary particle diameters range from 30 to 200 nm are made of colloidal solutions whose concentration ranges from 1 to 25 wt.%, and the colloidal solution is modified as a buffer solution having buffer action in the range of pH 8.7 to 10.5, and a fluorine ion or anion coordinated with fluorine is contained in one of components for composing a composition for polishing.例文帳に追加

平均一次粒子径が３０〜２００ｎｍの単分散である酸化珪素粒子が、その濃度が１〜２５重量％であるコロイド溶液からなり、該コロイド溶液が、ｐＨ８．７〜１０．５の間で緩衝作用を有する緩衝溶液として調整されたものであり、成分の一つにフッ素イオンもしくはフッ素が配位した陰イオンを含有することを特徴とする研磨用組成物。 - 特許庁

The exhaust gas containing ethylene oxide is once introduced into a buffer section 21 where the concentration of ethylene oxide in the exhaust gas is reduced, the exhaust gas containing a low concentration ethylene oxide is sent to photocatalyst members such as titanium oxide capable of adsorbing ethylene oxide or to a decomposition section 31 provided with the photocatalyst member and a plasma device, and ethylene oxide is decomposed here.例文帳に追加

エチレンオキサイドが含まれる排ガスを一旦、排ガス中のエチレンオキサイドの濃度を低減するバッファー部２１に導入し、ついでエチレンオキサイド濃度が低くなった排ガスをエチレンオキサイドを吸着する能力を有する酸化チタンなどの光触媒部材またはこの光触媒部材とプラズマ装置を備えた分解部３１に送り、ここでエチレンオキサイドを分解する。 - 特許庁

The exhaust gas discharged from the sterilization device 11 is once introduced into a buffer section 21 where the concentration of ethylene oxide in the exhaust gas is reduced, the exhaust gas containing a low concentration ethylene oxide is sent to optical catalyst members such as titanium oxide capable of adsorbing ethylene oxide or to a decomposition section 31 provided with the optical catalyst member and a plasma device, and ethylene oxide is decomposed here.例文帳に追加

滅菌装置１１からの排ガスを一旦、排ガス中のエチレンオキサイドの濃度を低減するバッファー部２１に導入し、ついでエチレンオキサイド濃度が低くなった排ガスをエチレンオキサイドを吸着する能力を有する酸化チタンなどの光触媒部材またはこの光触媒部材とプラズマ装置を備えた分解部３１に送り、ここでエチレンオキサイドを分解する。 - 特許庁

To provide an organic EL light emitting device preventing a stress concentration in an edge part of a buffer layer or a base layer of a gas barrier layer, improving dampproofing of the gas barrier layer, having no deterioration of light emission characteristics due to water invasion into an organic EL element, and having a high reliability.例文帳に追加

ガスバリア層の下地層である緩衝層の縁部における応力集中を防止して、ガスバリア層の防湿性を向上させ、有機ＥＬ素子への水分浸入による発光特性の劣化がなく、信頼性の高い有機ＥＬ発光装置を提供する。 - 特許庁

This reagent comprises a substrate having 400-450 nm absorbance of a coloring compound to be dissociated by the action of leucine aminopeptidase, such as L-leucyl-p-nitroanilide, a nonionic surfactant having 0.005-0.01 w/v% final concentration and a buffer solution.例文帳に追加

ロイシンアミノペプチダーゼの作用により解離する発色化合物の吸光度が400 〜450nm である基質、例えばＬ−ロイシル−ｐ−ニトロアニリド、最終濃度が0.005 〜0.01w/v ％である非イオン界面活性剤及び緩衝液を含有することを特徴とするロイシンアミノペプチダーゼ活性測定用試薬。 - 特許庁

Further, since the position of the reinforcing member can be fixed by the effect of the partial flange, the groove of the wood is formed previously more largely, and a stress buffer layer buffering the stress concentration can be easily manufactured simultaneously the bonding work by filling the part with an adhesive, rubber, etc.例文帳に追加

また、部分フランジの効果により補強部材の位置が固定できるので、木材の溝をあらかじめ大きめに作成しておき、その部分に接着剤やゴムなどを充填することで、応力集中を緩和する応力緩衝層を接着作業と同時に容易に作製することが可能である。 - 特許庁

The aqueous preparation contains: the antibody for treatment in a concentration of more than about 45 mg/ml; a full-dose surfactant such as a polyol and polysorbate 80 as typified by mannitol; and a buffer system including a citric acid having pH about 4-8 and/or phosphate.例文帳に追加

治療用抗体を約４５ｍｇ／ｍｌを上回る濃度で含有し、十分な量のマンニトールに代表されるポリオール、ポリソルベート８０の如き界面活性剤、及びｐＨ約４〜８のクエン酸及び／又はリン酸を含む緩衝液系を含有する水性医薬組成物。 - 特許庁

Each component in the sample is separated by hydrophilic interaction chromatography using a mixed solution of a high concentration of an organic acid buffer solution (for example, ammonium acetate) and an organic solvent (for example, acetonitrile) as a mobile phase and detected by a mass spectrometer provided with an electrospray ionization interface.例文帳に追加

高濃度の有機酸緩衝液（例えば酢酸アンモニウム）と有機溶媒（例えばアセトニトリル）との混合液を移動相とした親水性相互作用クロマトグラフィにより試料中の各成分を分離し、エレクトロスプレイイオン化インタフェイスを備えた質量分析計により検出する。 - 特許庁

Then the photoluminescence of the n-type buffer layer that becomes an object to be evaluated is measured and the luminous intensity ratio between the rose-color spectrum and yellow-green spectrum is found from the obtained photoluminescence, and then, the carrier concentration corresponding to the luminous intensity ratio is read from the calibration curve (step ii).例文帳に追加

次いで評価対象となるｎ型バッファ層に対し、フォトルミネッセンス測定を行い、得られたフォトルミネッセンススペクトルから淡紅色のスペクトルと黄緑色のスペクトルとの発光強度比を求め、該発光強度比に対応するキャリア濃度を検量線から読み取る（ii）。 - 特許庁

Further it is preferable that the concentration of the polyphosphoric acid is 1 μM to 1 mM, the citric acid buffer solution of pH 6.0 to 7.0 is contained, sodium chloride as an isotonifier is contained, polysorbate 80 as an adsorption inhibitor is contained and maltose as the stabilizer is further contained.例文帳に追加

さらに好ましくは、ポリリン酸の濃度が１μＭ〜１ｍＭであること、ｐＨ６．０〜７．０のクエン酸緩衝液を含むこと、等張化剤として塩化ナトリウムを含むこと、吸着防止剤としてポリソルベート８０を含むこと、安定化剤としてさらにマルトースを含むことである。 - 特許庁

A buffer layer 102, a high carrier concentration n+ type layer 103 and a multiple quantum well structure light emitting layer 104 are formed on a sapphire substrate 101, P type layers 105, 106 and a first thin film metal layer 111 of metal vapor deposition are formed thereon, and a negative electrode 140 is formed on the layer 103.例文帳に追加

フリップチップ型の III族窒化物系化合物半導体発光素子において、ｐ型半導体層に接続され、光をサファイア基板側へ反射する厚膜正電極を銀（Ａｇ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、または、これらの合金より形成する。 - 特許庁

The nickel plating bath includes a sulfate-based salt of nickel such as nickel sulfate, a halogen compound such as nickel chloride and a pH buffer such as boric acid, wherein the pH is adjusted to 2.2 to 5.5 and a molar concentration ratio x/y of nickel ions (x) and halide ions (y) is controlled so as to satisfy 0.5<x/y≤1.0.例文帳に追加

ニッケルめっき浴が、硫酸ニッケル等の硫酸系ニッケル塩と塩化ニッケル等のハロゲン化合物とホウ酸等のｐＨ緩衝剤とを含有し、ｐＨが２．２〜５．５に調整され、かつニッケルイオンｘとハロゲンイオンｙとのモル濃度比ｘ／ｙが０．５＜ｘ／ｙ≦１．０とされている。 - 特許庁

The invention provides a formulation for isolating and purifying nucleic acids, in one embodiment, comprising at least a lithium salt at concentration of at least about 1 M, a surfactant, a buffer and if necessary a chelating agent, if necessary a reducing agent, and if necessary a tungstate, wherein the solution has a pH of above about 7.例文帳に追加

本発明の１つの実施形態において、核酸を単離および精製するための処方物は、少なくとも１Ｍの濃度のリチウム塩、洗浄剤、緩衝剤、必要に応じて、キレート剤、必要に応じて還元剤、および必要に応じてタングステン酸塩を含み、ここでこの溶液は約７を超えるｐＨを有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a power semiconductor device that makes an impurity concentration of an n-type buffer layer low to prevent a resistivity profile of an epitaxial layer from deteriorating, and enables minority carriers supplied from an p-type semiconductor substrate to an n^--type drift layer to be controlled.例文帳に追加

ｎ型バッファ層の不純物濃度の低濃度化を可能にしてエピタキシャル層の抵抗率プロファイルの劣化を防止し、かつｐ型半導体基板からｎ^−型ドリフト層に供給される少数キャリアの制御をも可能にした電力用半導体装置の製造方法を提供することを主目的とする。 - 特許庁

A high density Si-doped GaN buffer layer 2 having an Si concentration of 4×10^19cm^-3 or higher is epitaxially grown on a single crystal insulating substrate 1, and the nitride semiconductor layer 3, having a crystal structure of a single crystal is formed by an epitaxially growing method.例文帳に追加

単結晶の絶縁性基板１上に、Ｓｉ濃度が４×１０^１９ｃｍ^−３以上である高濃度ＳｉドープＧａＮバッファ層２をエピタキシャル成長し、このＳｉドープＧａＮバッファ層２上に、エピタキシャル成長法により単結晶の結晶構造を有する窒化物半導体層３を形成する。 - 特許庁

The semiconductor layers 3a, 3b are formed to local areas on the buffer layer 2, and a channel layer 4 is formed in the dopant concentration lower than the semiconductor layers 3a, 3b using the same semiconductor material as the semiconductor substrate 1 on the opposing edges of the semiconductor layers 3a, 3b, or between the opposing edges thereof.例文帳に追加

そして、緩衝層２上に夫々局所的に半導体層３ａ及び３ｂを形成し、この半導体層３ａ及び３ｂの対向する端部上及びこれらの間に、半導体基板１と同じ半導体材料を使用し、半導体層３ａ及び３ｂよりもドーパント濃度が低いチャネル層４を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing a resist liquid includes the steps of measuring the concentration and/or viscosity of a liquid in a preparation tank, controlling supply amounts of a source liquid and a solvent for dilution based on the measurement, and reserving the resist liquid for products obtained by controlling dilution in a buffer tank for a predetermined period to stabilize.例文帳に追加

レジスト液製造方法において、調合タンク内の液体の濃度及び／又は粘度を測定し、この測定結果に基づいて原料液と溶剤の注入分量を調整して希釈制御を行なうとともに、希釈制御されて得られた製品用レジスト液をバッファ槽にて一定期間貯留して安定化させる。 - 特許庁

Excitation light having energy that is lower than the band gap energy of a substrate is applied from the rear side of the substrate and photoluminescence is detected from the rear of the substrate in a method for non-destructively inspecting the carrier concentration of the semiconductor epitaxial film formed on the front of the substrate via a buffer layer by photoluminescence.例文帳に追加

基板の表面にバッファ層を介して形成された半導体エピタキシャル膜のキャリア濃度をフォトルミネッセンスで非破壊検査する方法において、該基板のバンドギャップエネルギーより低いエネルギーをもつ励起光を該基板の裏面側から照射し、フォトルミネッセンスを該基板の裏面から検出することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of producing a light-emitting diode using zinc oxide, by which a gallium nitride nuclei forming layer is formed on a lithium aluminate substrate using a zinc oxide buffer layer like a single-crystal film, defective concentration of the gallium nitride is reduced, excellent lattice matching and crystal interface quality can be obtained and light emission efficiency and finished element function are improved.例文帳に追加

単結晶フィルム状である酸化亜鉛バッファ層でアルミン酸リチウム基板上に窒化ガリウム核形成層を生長させることができ、窒化ガリウムの欠陥密度が低減され、また、優れた格子マッチングと結晶界面品質が得られ、発光効率と完成済みの素子機能が向上される酸化亜鉛による発光ダイオードの作製方法を提供する。 - 特許庁

An impurity adjustment region 119 with P-type impurities introduced in the heavily doped part 115b is formed in a collector region 116 side part, and carrier (electron) concentration of the part is reduced, whereby the efficiency of minority carrier injection into the buffer region 115 and the drift region 104 from the collector region 116 is improved, and the on-voltage is reduced.例文帳に追加

一方、高不純物濃度部分１１５ｂ中にＰ型不純物を導入した不純物調整領域１１９をコレクタ領域１１６側部に設け、この部分のキャリア（電子）濃度を低減させることで、コレクタ領域１１６からバッファ領域１１５、ドリフト領域１０４への少数キャリア注入効率を向上させ、オン電圧を低減させる。 - 特許庁

In the method for measuring hemoglobin using an electrophoresis apparatus, the voltage of 100-2,000 V is applied using a microchip having a migration path whose inner surface is coated with hydrophilic polymer, length is 10-100 mm, and width is 10-100 μm, and buffer solution whose pH is 5.0-6.0 and salt concentration is 10-300 mM.例文帳に追加

電気泳動法を用いてヘモグロビン類を測定する方法であって、内面が親水性ポリマーでコーティングされ、長さが１０〜１００ｍｍ、幅が１０〜１００μｍである泳動路を有するマイクロチップと、ｐＨが５．０〜６．０、塩濃度が１０〜３００ｍＭである緩衝液とを用いて、１００〜２０００Ｖの電圧を負荷するヘモグロビン類の測定方法。 - 特許庁

The treatment solution for forming a black hexavalent chromium-free chemical film on a zinc or zinc alloy comprises: trivalent chromium ions; a chelating agent capable of forming trivalent chromium and a water soluble complex; one or more metal ions selected from the group consisting of cobalt ions, nickel ions and iron ions; and formic acid or the salt thereof as a hydrogen ion-concentration buffer.例文帳に追加

３価クロムイオンと、３価クロムと水溶性錯体を形成することができるキレート剤と、コバルトイオン、ニッケルイオン及び鉄イオンからなる群より選ばれる１種以上の金属イオンと、水素イオン濃度緩衝剤として蟻酸又はその塩とを含有する、亜鉛又は亜鉛合金上に黒色の６価クロムフリー化成皮膜を形成するための処理溶液。 - 特許庁

The method for producing the particulate molding comprising protein comprises mixing a raw material containing powdery protein with water or a buffer solution to concentration of 0.00025-0.1 wt.% to prepare a raw material mixture and irradiating the prepared raw material mixture with an ionizing radiation at a dose of 100 Gy to below 200 kGy.例文帳に追加

タンパク質からなる粒子状成形体の製造方法は、粉末状のタンパク質を含む原料と水又は緩衝液とを０．０００２５〜０．１重量％になるように混合することにより原料混合液を調製し、調製した原料混合液に電離性放射線を１００Ｇｙ以上２００ｋＧｙ未満の照射線量で照射する。 - 特許庁