cubic semiconductorとは 意味・読み方・使い方

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate capable of forming a silicon carbide film having an improved cubic crystal system, and to provide the semiconductor substrate.例文帳に追加

良好な立方晶の炭化珪素膜を形成可能な半導体基板の製造方法及び半導体基板を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a cubic silicon carbide single-crystal thin film for obtaining a low-cost cubic silicon carbide (3C-SiC) single-crystal thin film, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

低コストの立方晶炭化ケイ素（３Ｃ−ＳｉＣ）単結晶薄膜を得るための立方晶炭化ケイ素単結晶薄膜の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a cubic crystal silicon carbide semiconductor substrate on which a high-quality epitaxial film with few crystal defects is formed.例文帳に追加

結晶欠陥の少ない高品質なエピタキシャル膜が形成された立方晶炭化珪素半導体基板を提供する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR GROWING CRYSTAL, CUBIC III NITRIDE CRYSTAL, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

結晶成長方法および結晶成長装置および立方晶系ＩＩＩ族窒化物結晶および半導体デバイス - 特許庁

The (1-10) face of a cubic system substrate and a face that is substantially equivalent to the (1-10) face of the cubic system substrate in a compound semiconductor layer, in a wurtzite structure that is selected and grown from the selective growth reference surface of the cubic system substrate are cleaved.例文帳に追加

立方晶系基板の（１−１０）面と、該立方晶系基板の選択成長基準面から選択成長されたウルツ鉱構造の化合物半導体層の、前記立方晶系基板の前記（１−１０）面と実質的に等価な面とを共にへき開する。 - 特許庁

The first portion of the second semiconductor layer is provided between the luminescent layer and the first electrode layer and has an impurity concentration ranging from 1×10^19/cubic centimeter to 1×10^21/cubic centimeter.例文帳に追加

第２半導体層の第１部分は、発光層と第１電極層との間に設けられ、不純物濃度が１×１０^１９／立方センチメートル以上、１×１０^２１／立方センチメートル以下である。 - 特許庁

In a semiconductor device 10, a semiconductor element 12 and a bonding wire 14 are sealed by resin as a resin-sealing section 18 that is formed in a thin cubic rectangular parallelepiped shape.例文帳に追加

半導体装置１０は、半導体素子１２およびボンディングワイヤ１４が樹脂封止されて、薄厚の直方体形状に形成された樹脂封止部１８とされる。 - 特許庁

The laminating temperature of the buffer layer, the p-type group III nitride semiconductor crystal layer of cubic system and the n-type group III nitride semiconductor crystal layer of hexagonal system is optimized.例文帳に追加

上記緩衝層、立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層、六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層の積層温度を最適化する。 - 特許庁