dielectric amplificationとは 意味・読み方・使い方

THERMAL DIELECTRIC AMPLIFICATION METHOD AND APPARATUS THEREFOR例文帳に追加

熱誘電体増幅方法及びその装置 - 特許庁

Since the use of a dielectric material having an extremely high temperature-dependency of a dielectric constant can achieve voltage amplification efficiently by using exhaust heat energy, the new usage of exhaust energy is provided, and the voltage amplification method which causes no failure because a mechanical driving section is omitted.例文帳に追加

誘電率の温度依存性が極めて高い誘電体材料を利用すれば、排熱エネルギーを用いて電圧増幅を効率的に実現できるから、排熱の新規利用方法を提供するもので、機械的駆動部が無いので故障等が生じない電圧増幅方法を提供できる。 - 特許庁

Since a base group which neutralizes an acid catalyst inside a chemical amplification type photoresist is not present in the low k dielectric film, the film structure is pattern-formed by using DUV lithography and the chemical amplification type photoresist.例文帳に追加

化学増幅型フォトレジスト内の酸触媒を中和する塩基基が低ｋ誘電体膜中に存在しないので、この膜構造は、ＤＵＶリソグラフィおよび化学増幅型フォトレジストを使用してパターン形成することができる。 - 特許庁

To form a resist film with a desired trench pattern on a low dielectric constant film where a via-hole is formed, by means of lithography using a chemical amplification resist.例文帳に追加

ビアホールが形成された低誘電率膜の上に、化学増幅型レジストを用いたリソグラフィーにより、所望のトレンチパターンを持つレジスト膜を形成できるようにする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device whereby a resist film with a desired trench pattern can be formed on a low dielectric constant film formed with a via-hole by means of lithography using a chemical amplification resist.例文帳に追加

ビアホールが形成された低誘電率膜の上に、化学増幅型レジストを用いたリソグラフィーにより、所望のトレンチパターンを持つレジスト膜を形成できるようにする。 - 特許庁

The magnetic sensor includes a first metal layer 8 made of Ti or Ti-based material disposed on a semiconductor circuit 1 via a dielectric film 4, a second metal layer 9 made of Cu or Cu-based material disposed on the first metal layer 8, and the magnetic material 11 with a magnetic amplification function disposed on the second metal layer 9.例文帳に追加

本発明の磁気センサは、半導体回路１上に絶縁膜４を介して設けられたＴｉ又はＴｉ系材料からなる第１の金属層８と、この第１の金属層８上に設けられたＣｕ又はＣｕ系材料からなる第２金属層９と、この第２の金属層９上に設けられた磁気増幅機能を有する磁性体１１とを備えている。 - 特許庁

When performing on a circuit board the input/output impedance matching of approximately lower than 1 Ω relative to the power amplification element for power amplifying the high-frequency signals of 500 MHz or higher, in order to narrow the pattern width of the transmission line being pattern-formed on a pattern wiring layer of the circuit board, a ground layer is additionally formed in a dielectric layer immediately below the pattern concerned.例文帳に追加

５００ＭＨｚ以上の高周波信号を電力増幅する電力増幅素子に対して回路基板上で概ね１Ω未満の入出力インピーダンスマッチングを行う場合に、前記回路基板のパターン配線層にパターン形成される伝送線路のパターン幅が狭まるように、該当パターン直下の誘電体層内にグランド層を追加形成するようにしたことを特徴とする。 - 特許庁