doping testとは 意味・読み方・使い方

This is the second time in his career that Gatlin has failed a doping test.発音を聞く 例文帳に追加

ガトリン選手が薬物検査で失格となったのは彼の経歴上これが２回目である。 - 浜島書店 Catch a Wave

The doping distribution of proper reproducibility which is extremely close to actual distribution than that of a conventional method is obtained by forming the contact layer at the bottom surface of the test piece, to thereby supply the hole current.例文帳に追加

試片の底面にコンタクト層を形成して、これより正孔電流を供給させることによって従来の方法に比べて実際と非常に近接で、再現性の良好なドーピング分布が得られる。 - 特許庁

The transistor having an oxide semiconductor film treated by dehydration or dehydrogenation treatment by heat treatment, and oxygen doping treatment, can reduce the amount of change of a threshold voltage of the transistor even before and after a bias-thermal stress test(BT test), and have high reliability.例文帳に追加

熱処理による脱水化または脱水素化処理及び酸素ドープ処理された酸化物半導体膜を有するトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 - 特許庁

The transistor including the oxide semiconductor film on which the dehydration or dehydrogenation process by heat treatment has been performed and on which the oxygen doping process has been performed in the manufacturing process, has a smaller amount of change in the threshold voltage of the transistor before and after the bias-thermal stress test (BT test), and therefore the transistor has high reliability.例文帳に追加

熱処理による脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素ドープ処理されたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 - 特許庁

The transistor having an oxide semiconductor film treated by dehydration or dehydrogenation treatment by heat treatment, and treated by oxygen doping treatment in steps for manufacturing the same, can reduce the amount of change of a threshold voltage of the transistor even before and after a bias-thermal stress test(BT test), and have high reliability.例文帳に追加

熱処理による脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素ドープ処理されたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 - 特許庁

The transistor having a gate insulating film treated by oxide doping treatment and the oxide semiconductor film treated by dehydration or dehydrogenation treatment by heat treatment, can reduce the amount of change of a threshold voltage of the transistor even before and after a bias-thermal stress test(BT test), and have high reliability.例文帳に追加

酸素ドープ処理されたゲート絶縁膜、熱処理による脱水化または脱水素化処理された酸化物半導体膜を有するトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 - 特許庁