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doping techniqueとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 ドーピングテクニック
「doping technique」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
This technique diminishes the coercive force electric field of the periodic region inversion structure SHG crystal by applying a doping effect.例文帳に追加
本技術はドープ効果を応用して周期性領域反転構造SHG結晶の保磁力電場を小さくする。 - 特許庁
Furthermore, the light emitting diode is provided with enhanced luminous efficiency using a bandgap engineering or impurity doping technique.例文帳に追加
さらに、バンドギャップエンジニアリングまたは不純物ドープ技術を利用して発光効率を向上させた発光ダイオードが提供される。 - 特許庁
A gate electrode, a common electrode, a pixel electrode and a contact pad are formed by using a half-tone exposure technique and a nitrogen ion doping technique and, thereafter, an a-si island and a contact hole are formed by using the half-tone exposure technique.例文帳に追加
Gate電極と共通電極と画素電極とコンタクトパッドをハーフトーン露光技術と窒素イオンドーピング技術を用いて形成した後a−si islandとコンタクトホールをハーフトーン露光技術を用いて形成する。 - 特許庁
To provide a ZnO-based semiconductor device associated with a novel n-type doping technique for a ZnO-based semiconductor, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
ZnO系半導体の新規なn型ドーピング技術に係るZnO系半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a technique for manufacturing a MOSFET device of 0.05 μm or smaller in size having a super halo doping profile, which provides an excellent short channel characteristic.例文帳に追加
優れた短チャネル特性を提供するスーパー・ハロ・ドーピング・プロフィルを持つ、0.05μm以下のMOSFETデバイスを製作する技法を提供すること。 - 特許庁
This technique utilizes a damascene gate process to obtain a MOSFET structure wherein the thickness of an oxide on source/drain regions is not related to the thickness of a gate oxide and a disposable spacer technique to form a super halo doping profile.例文帳に追加
この技法は、ソース/ドレイン領域上の酸化物の厚さがゲート酸化物の厚さとは無関係なMOSFET構造を得るためのダマシン・ゲート・プロセスと、スーパー・ハロ・ドーピング・プロフィルを形成するためのディスポーザブル・スペーサ技法とを利用する。 - 特許庁
By utilizing the optical filter island 222, a source region 214 and a drain region 218 are formed self-aligningly in a semiconductor structure 200 by applying laser doping technique.例文帳に追加
この光学フィルタアイランド222を利用して、レーザドーピング法を用いて、半導体構造200にソース領域214とドレイン領域218を自己整合的に形成する。 - 特許庁
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「doping technique」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
In a preferable embodiment, γ-alumina is preferably made by means of a sol-gel process along with metal doping of γ-alumina carried out by using an initial wet impregnation technique.例文帳に追加
好ましい実施形態において、γ−アルミナは、好ましくは初期湿潤含浸技術を用いてなされるγ−アルミナの金属ドーピングと共に、ゾル−ゲル法により作成される。 - 特許庁
To inexpensively provide a delta doping technique by which the occurrence of a punch-through phenomenon that becomes a problem at the time of refining a MOSFET can be prevented and, in addition, the characteristics of a device are not sacrificed.例文帳に追加
MOSFETの微細化の際に問題となるパンチスルー現象を防ぎ、且つデバイスの特性を犠牲にしないためのデルタ−ドーピングの技術を安価に提供すること。 - 特許庁
To realize an ideal impurity concentration profile by a method using a laser irradiation at the time of the treatment of a doping of an Si wafer with Si chips and activation and to provide a technique to form electrodes on the rear of the Si chip.例文帳に追加
Siチップが形成されたSiウエハへの不純物のドーピングと活性化の処理の際に、レーザ照射による方法で理想的な不純物濃度プロファイルを実現し、Siチップの裏面に電極を形成する技術を提供すること。 - 特許庁
The filter is manufactured, such that a high-purity ZnO target is epitaxially grown on a sapphire substrate, using the sputtering method to obtain a high-resistance ZnO film, which is further grown by doping As using the ion implantation technique or using a dopant-mixed target to obtain a low-resistance P-type 2-6 group compound semiconductor film.例文帳に追加
高純度ZnOターゲットをスパッタリング法によりサファイア基板上にエピタキシャル成長させ高抵抗のZnO膜を得、さらにAsをイオン注入法でドーピング、または、ドーパントを混ぜたターゲットを用いて成長させる低抵抗のP型2−6族化合物半導体膜を得る。 - 特許庁
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ドーピングテクニック
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