doping profileとは 意味・読み方・使い方

CONTROL OF PHOSPHOROUS PROFILE THROUGH SIMULTANEOUS DOPING OF CARBON FOR HIGH-PERFORMANCE VERTICAL PNP TRANSISTOR例文帳に追加

高性能縦型ＰＮＰトランジスタのためにカーボン同時ドーピングによるリンプロフィールの制御 - 特許庁

STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING HIGH-PERFORMANCE SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING NARROW DOPING PROFILE例文帳に追加

狭いドーピング・プロファイルを有する高性能半導体デバイスを作成する構造および方法 - 特許庁

In addition, a steep doping profile can be formed in the vicinity of the active layer.例文帳に追加

また、上記活性層の近傍において急峻なドーピングプロファイルを形成することができる。 - 特許庁

The first transistor is optimized to a first operating voltage by changing the physical characteristics of the first gate 540, a first tab doping profile, or a first source/drain doping profile.例文帳に追加

第１のゲートの物理的特性や、第１のタブ・ドーピング・プロファイルを変えること、または第１のソース／ドレイン・ドーピング・プロファイルを変えることによって第１Ｔｒは第１の動作電圧に最適化する。 - 特許庁

To provide a method of growing a semiconductor device structure which can uniformly form a doping profile.例文帳に追加

ドーピングプロファイルを均一に形成することができる半導体装置構造の成長方法を提供する。 - 特許庁

The first transistor is optimized into a first operation voltage by changing physical properties of the first gate, by changing a first tab doping profile, or by changing the doping profile of a first source/drain.例文帳に追加

第１のトランジスタは、第１のゲートの物理的特性を変えること、第１のタブ・ドーピング・プロファイルを変えること、または第１のソース／ドレイン・ドーピング・プロファイルを変えることによって、第１の動作電圧に最適化する。 - 特許庁

The second transistor is optimized into a second operation voltage by changing physical properties of the second gate, by changing a second tab doping profile, or by changing the doping profile of a second source/drain.例文帳に追加

第２のトランジスタは、第２のゲートの物理的特性を変えること、第２のタブ・ドーピング・プロファイルを変えること、または第２のトランジスタの第２のソース／ドレイン・ドーピング・プロファイルを変えることによって、第２の動作電圧に最適化する。 - 特許庁

The component has a semiconductor base body having a first doping and a pn junction formed by a contact region having a second doping with a doping profile in the base body.例文帳に追加

コンポーネントは、半導体ベース体を有し、この半導体ベース体は、第１ドーピングと、接触領域によって形成されたｐｎ接合とを有し、この接触領域は、ベース体にドーピング輪郭線を伴った第２ドーピングを有する。 - 特許庁