ドーピング分布の英語

高いドーピング濃度を必要とするｐ型半導体のコンタクト層を含むときにも、安定に成長できるコンタクト層を有し、かつ特性の悪化の無い半導体分布ブラッグ反射鏡を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor distribution Bragg reflecting mirror, with a characteristic that does not deteriorate, which comprises a contact layer that stably grows even when a contact layer of a p-type semiconductor requiring high doping concentration is contained. - 特許庁

ｎ型窒化物半導体を成長する際に、ウェハ面内に成長速度の分布が存在する場合においても、ウェハ面内で均一なドーピング濃度を実現する窒化物半導体の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a production method for a nitride semiconductor which realizes a homogeneous doping concentration in a wafer plane in growing an n-type nitride semiconductor even when the distribution of growing rate is present in the wafer plane. - 特許庁

プレーナドーピングによる急峻なポテンシャル分布を維持し、チャネル層電子移動度の低下や、ゲートリーク電流の増大等の、デバイス特性の劣化が抑制されたヘテロ接合型電界効果トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a heterojunction field effect transistor, in which the steep potential distribution by planar doping is sustained and deterioration in device characteristics, e.g. lowering of channel layer electron mobility or increase in gate leak current, is suppressed. - 特許庁

試片の底面にコンタクト層を形成して、これより正孔電流を供給させることによって従来の方法に比べて実際と非常に近接で、再現性の良好なドーピング分布が得られる。例文帳に追加

The doping distribution of proper reproducibility which is extremely close to actual distribution than that of a conventional method is obtained by forming the contact layer at the bottom surface of the test piece, to thereby supply the hole current. - 特許庁

第１の伝導型のドーピングペーストが、該第１の伝導型でドープされる領域（１６）の要求される分布と一致したパターンに従って、半導体ベースの基板（２）の後部表面上に堆積される。例文帳に追加

Doping paste with a first conductivity is deposited on the rear surface of a semiconductor-based substrate (2), according to a pattern consistent with the desired distribution of the region (16) doped with a first conductive type. - 特許庁

中心コアのドーピングされた母材の、フッ素と全ての構成物質との原子比率は、ファイバの中心から、中心コアのα分布の端部に向かって増加し、中心コアのα分布の端部において、８．５×１０^−３から５７×１０^−３の範囲にある最大値に達する。例文帳に追加

The atomic ratio of the fluorine and all constituents of the doped base material of the center core increases from the center of the fiber toward an end of the α distribution of the center core and reaches a maximum value within a range of 8.5×10^-3 to 57×10^-3 at the end of the α distribution of the center core. - 特許庁

金属或いは金属シリサイド層を多結晶シリコン層の上に含む層構造のパターニング方法において、ドーピング物質が全析出面にわたって均質に分布され、その表面性質及び隣接の層との接着性ができるだけ良くなる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a patterning method for a layer structure including a metal or metal silicide layer on a polycrystal silicon layer, by which method a doping material is distributed homogeneously across the entire deposit surface to improve a deposit film's surface property and adhesion to an adjacent layer, and patterning is made with high selectiveness and great homogeneity to form a straight etched side face across all etched layers. - 特許庁

導電性ウェル（２）は、それが導電性ウェル（２）の平坦面（５）から深さＴ_１に位置する最大値を有するか、または深さＴ_２まで本質的に一定であるかのどちらかのドーピング分布を有するように、高エネルギーイオン注入法およびその後の加熱によって生成される。例文帳に追加

The electrically conductive well (2) is generated by means of high-energy ion implantation and subsequent heating, so that it has a doping profile which either has a maximum located at a depth T_1 from the planar surface (5) of the electrically conductive well (2), or is essentially constant up to a depth T_2. - 特許庁