doping material sourceとは 意味・読み方・使い方

This method for producing the positive electrode active material for lithium secondary battery comprises a process for mixing a lithium source, a metal source and a doping solution containing a doping element, and a process for thermally treating substance of the mixing.例文帳に追加

リチウム源、金属源とドーピング元素を含むドーピング液を混合する工程、及び前記混合物を熱処理する工程を含むリチウム二次電池用正極活物質の製造方法。 - 特許庁

A helicon-wave plasma is used as a plasma source in a plasma doping method, where a material is introduced in the vicinity of the surface of a material to be treated using a plasma.例文帳に追加

プラズマを用いて物質を被処理物の表面近傍に導入するプラズマドーピング方法において、プラズマ源としてヘリコン波プラズマを用いる。 - 特許庁

Then, the supply of the material source of O is stopped, and the material source of the n-type dopant Ga is supplied additionally, thus doping the p- and n-type dopant in the semiconductor layer as a p-type ZnO layer 2a (b).例文帳に追加

そして、Ｏの材料源の供給を止め、ｎ形ドーパントであるＧａの材料源をさらに供給することによりｐ形ドーパントおよびｎ形ドーパントを前記半導体層にドーピングし、ｐ形ＺｎＯ層２ａとする（ｂ）。 - 特許庁

A method of manufacturing an electrode for a secondary power source according to one embodiment of the present invention comprises the steps of: forming an electrode material on a conductive sheet; forming a Li thin film layer by vapor-depositing lithium (Li) on the electrode material; doping the electrode material with the deposited Li; and controlling a doping level by monitoring the doping amount of Li.例文帳に追加

本発明の一実施例による２次電源用電極の製造方法は、導電性シート上に電極物質を形成する段階と、電極物質上にリチウムを蒸着してリチウム薄膜層を形成する段階と、蒸着されたリチウムを上記電極物質上にドーピングする段階と、リチウムのドーピング量をモニターしてドーピングレベルを調節する段階とを含む。 - 特許庁

A gallium nitride crystal is doped with oxygen by using a seed crystal having a non-C-plane as a surface (top face) to grow a gallium nitride crystal in a vapor phase while keeping the non-C-plane surface by supplying a source material gas containing a gallium source material, a nitrogen source material and oxygen for doping and allowing oxygen to infiltrate through the surface.例文帳に追加

Ｃ面以外の面を表面（上面）にもつ種結晶を用いて、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらＣ面以外の表面を保ちつつ窒化ガリウム結晶を気相成長させることにより当該表面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。 - 特許庁

Otherwise, a gallium nitride crystal is doped with oxygen by using a seed crystal having a C-plane as the surface, producing a non-C-plane facet to grow a gallium nitride crystal in a vapor phase in the c-axis direction while keeping the facet by supplying a source material gas containing a gallium source material, a nitrogen source material and oxygen for doping, and allowing oxygen to infiltrate through the facet.例文帳に追加

または、Ｃ面を表面にもつ種結晶を使って、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらＣ面以外のファセット面を発生させ当該ファセット面を保ちつつ窒化ガリウム結晶をｃ軸方向に気相成長させることによりファセット面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。 - 特許庁

In the method for manufacturing the diamond film on a base material by a vapor phase reaction at least by introducing a raw material gas, P(OCH_3)_3 gas is incorporated into the raw material gas as a doping source of phosphorous and the diamond film doped with phosphorous is deposited on the base material by the vapor phase reaction utilizing the mixed raw material gas.例文帳に追加

少なくとも、原料ガスを導入して気相反応により基材上にダイヤモンド膜を製造する方法において、リンのドープ源としてＰ（ＯＣＨ_３）_３ガスを前記原料ガス中に含ませ、該原料混合ガスを用いて気相反応により基材上にリンをドープしたダイヤモンド膜を堆積させることを特徴とするダイヤモンド膜の製造方法。 - 特許庁