doping levelとは 意味・読み方・使い方

To provide a hetero-bipolar transistor which never deteriorates the current amplification factor when the doping concentration of a sub-collector layer is set at a high level.例文帳に追加

サブコレクタ層のドーピング濃度を高水準に設定したとき、電流増幅率の低下を招くことのないヘテロバイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a technology of oscillating a high output by a laser oscillator using a laser medium obtained by doping ions as a 3-level laser.例文帳に追加

３準位レーザとなるイオンをドープしたレーザ媒質を用いたレーザ発振器で、高出力の発振が可能な技術を提供すること。 - 特許庁

To provide a method to control a carbon doping level in a DBR (Distributed Bragg Reflector) of a VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser).例文帳に追加

垂直キャビティ表面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavirty Surface Emitting Laser ）の分散ブラグ・リフレクタ（ＤＢＲ：Distributed Bragg Reflector）における炭素ドーピング・レベルを制御する方法を提供する。 - 特許庁

The insulating walls are formed by forming trenches by etching the epitaxial layer and diffusing a first- conductivity dopant having a high doping level into the wafer from the trenches.例文帳に追加

該絶縁壁は前記エピタキシャル層にトレンチをエッチングし、このトレンチから第１導電形で高いドーピングレベルのドーパントを拡散することにより形成される。 - 特許庁

Light emitting intensity of exciton light emission having the short fluorescent life by reduction of self-absorption is improved by doping a dopant such as Sb and Bi having a deep donor level or doping a plurality of dopants of a donor and an acceptor in the zinc oxide.例文帳に追加

酸化亜鉛にSb、Biなどドナー準位の深いドーパントをドーピング、又は、ドナーとアクセプターの複数ドーパントをドーピングすることにより、自己吸収の低減により蛍光寿命の短いエキシトン発光の発光強度の改善が達成される。 - 特許庁

To provide a program for causing a computer to perform an operation in a quantum level in a quantum well so that a doping quantity is converged even if it is increased.例文帳に追加

ドーピング量が多くなった場合にも収束するように量子井戸における量子準位の演算をコンピュータに実行させるためのプログラムを提供する。 - 特許庁

Irrespective of a knowledge regarding the doping level, a quantitative value is used, and the MOSFET element which indicates a more desirable electric movement can be designed.例文帳に追加

しかしながら、ドーピングレベルに関する知識に関係なく、定性的な値を用いて、より望ましい電気的な動きを示すＭＯＳＦＥＴ素子を設計することもできる。 - 特許庁

To increase the doping level of impurity in a compound semiconductor in which p-type GaN is a main component and enhance the mobility in a light- emitting device in which GaN is a main component.例文帳に追加

ＧａＮを主成分とする発光装置において、ｐ型のＧａＮを主成分とする化合物半導体中の不純物のドーピングレベルを高くし移動度を大きくする。 - 特許庁