doping effectとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor material having strong light emission and strong absorption at the equivalent level of that of a direct transistion semiconductor based on a bonding elongation effect by impurity doping.例文帳に追加

不純物ドーピングによる結合伸長効果に立脚した、直接遷移型半導体と同等レベルの強発光や強吸収を有する半導体材料を提供する。 - 特許庁

The source/drain of the sense field-effect transistor is formed as an embedded doping layer (e.g. N+ in a P-type doped substrate) formed, prior to the formation of a polysilicon floating gate and a control gate.例文帳に追加

センス電界効果トランジスタのソース／ドレインは、ポリシリコン浮遊ゲート及びコントロールゲートの形成前に形成される埋込ドーピング層（例えば、Ｐ型にドーピングされた基板中のＮ＋）から形成される。 - 特許庁

To provide a heterojunction field effect transistor, in which the steep potential distribution by planar doping is sustained and deterioration in device characteristics, e.g. lowering of channel layer electron mobility or increase in gate leak current, is suppressed.例文帳に追加

プレーナドーピングによる急峻なポテンシャル分布を維持し、チャネル層電子移動度の低下や、ゲートリーク電流の増大等の、デバイス特性の劣化が抑制されたヘテロ接合型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

An SiSnC channel layer 14 of a vertical MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) is made into a p-type semiconductor by doping Al and includes Si_0.9Sn_0.1C mixed crystal made of SiC crystal doped with Sn.例文帳に追加

縦型のＭＯＳＦＥＴにおけるＳｉＳｎＣチャネル層１４が、Ａｌのドープによりｐ型半導体に構成されると共に、ＳｉＣ結晶にＳｎがドープされたＳｉ_0.9Ｓｎ_0.1Ｃ混晶を含んでいる。 - 特許庁

That is, the terminal of the middle doping layer can be taken surely within an area smaller than the case where a guard ring is used, and the effect equal to the bevel structure can be obtained by separation at chip level.例文帳に追加

即ち、中間ドーピング層の終端をガードリングを用いた場合よりも小面積で確実に取ることができ、チップレベルでの分離によりベベル構造と同等な効果が得られる。 - 特許庁

To obtain a releasing effect identical or superior to a condition possessed by a high concentration amine compound having high permeability even to a deteriorated and hardened part of a resist film formed in an impurity doping step, in a dry-etching step, etc.例文帳に追加

不純物注入工程やドライエッチング工程等によって生じたレジスト膜の変質硬化部位に対しても浸透性が高く、高濃度アミン化合物と有する条件と同等以上の剥離効果を得ることを可能とする。 - 特許庁

In the crystal growth of a compound semiconductor heterobipolar transistor device structure, a compound semiconductor containing at least Al is used to form a boundary for suppressing doping delays due to memory effect at the boundaries among a collector layer, an emitter layer and a base layer, resulting in a steep acceptor impurity doping boundary.例文帳に追加

化合物半導体ヘテロバイポーラトランジスタ素子構造の結晶成長において、コレクタ層／エミッタ層／ベース層界面におけるメモリー効果によるドーピング遅れを抑制するために、少なくともＡｌを含んだ化合物半導体で界面を形成し、急峻なアクセプター不純物ドーピング界面を実現する。 - 特許庁

In the field effect transistor of the double-hetero structure including channel layers 5 sandwiched in the upper and lower portions by a couple of carrier supplying layers 3a, 3b, higher electron mobility can be attained by setting doping concentration of the upper carrier supplying layer 3a to 2 to 4 times the doping concentration of the lower carrier supplying layer 3b.例文帳に追加

上下に二つのキャリア供給層３ａ、３ｂで挟まれたチャネル層５を有するダブルヘテロ構造の電界効果トランジスタにおいて、上側のキャリア供給層３ａのドーピング濃度を下側のキャリア供給層３ｂのドーピング濃度の２〜４倍の範囲内することにより、より高い電子移動度が得られる。 - 特許庁