「doping effect」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a low resistance n-type ZnS thin film having high reproducibility while suppressing a self-compensation effect that appears in doping a ZnS thin film with Al.例文帳に追加

ＺｎＳ薄膜へのＡｌのドーピングでみられる自己補償効果を抑制し、再現性の高い低抵抗ｎ型ＺｎＳ薄膜を提供する。 - 特許庁

To enable p-type doping of superior control, and to prevent a memory effect produced, when using magnesium(Mg) for a p-type dopant of a group III-V compound semiconductor.例文帳に追加

III-Ｖ族化合物半導体のｐ型のドーパントにマグネシウム（Ｍｇ）を用いる際のメモリ効果を防止して、制御性に優れたｐ型ドーピングを行なえるようにする。 - 特許庁

That is, the terminal of the middle doping layer can be taken surely within an area smaller than the case where a guard ring is used, and the effect equal to the bevel structure can be obtained by separation at chip level.例文帳に追加

即ち、中間ドーピング層の終端をガードリングを用いた場合よりも小面積で確実に取ることができ、チップレベルでの分離によりベベル構造と同等な効果が得られる。 - 特許庁

To provide a semiconductor material having strong light emission and strong absorption at the equivalent level of that of a direct transistion semiconductor based on a bonding elongation effect by impurity doping.例文帳に追加

不純物ドーピングによる結合伸長効果に立脚した、直接遷移型半導体と同等レベルの強発光や強吸収を有する半導体材料を提供する。 - 特許庁

In the base unit structure of a silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), the doping concentration at a channel formation section 3c of the well region 3 is minimum at the top surface, and the doping concentration at the bottom of the well region 3 is the same in the lower part 3a of the source region 4 and the lower part 3b of the channel formation section 3c.例文帳に追加

炭化珪素ＭＯＳＦＥＴの基本単位構造において、ウェル領域３のチャネル形成部３ｃのドーピング濃度は上面部で最小になり、ウェル領域３の底部のドーピング濃度はソース領域４の下の部分３ａとチャネル形成部３ｃの下の部分３ｂとで同じである。 - 特許庁

In the crystal growth of a compound semiconductor heterobipolar transistor device structure, a compound semiconductor containing at least Al is used to form a boundary for suppressing doping delays due to memory effect at the boundaries among a collector layer, an emitter layer and a base layer, resulting in a steep acceptor impurity doping boundary.例文帳に追加

化合物半導体ヘテロバイポーラトランジスタ素子構造の結晶成長において、コレクタ層／エミッタ層／ベース層界面におけるメモリー効果によるドーピング遅れを抑制するために、少なくともＡｌを含んだ化合物半導体で界面を形成し、急峻なアクセプター不純物ドーピング界面を実現する。 - 特許庁

In the field effect transistor of the double-hetero structure including channel layers 5 sandwiched in the upper and lower portions by a couple of carrier supplying layers 3a, 3b, higher electron mobility can be attained by setting doping concentration of the upper carrier supplying layer 3a to 2 to 4 times the doping concentration of the lower carrier supplying layer 3b.例文帳に追加

上下に二つのキャリア供給層３ａ、３ｂで挟まれたチャネル層５を有するダブルヘテロ構造の電界効果トランジスタにおいて、上側のキャリア供給層３ａのドーピング濃度を下側のキャリア供給層３ｂのドーピング濃度の２〜４倍の範囲内することにより、より高い電子移動度が得られる。 - 特許庁

In the semiconductor nanoparticles including a doping agent in a semiconductor base material, the mean particle size of the particles is 0.1-20.0 nm, and the doping agent emits light by excitation light having the wavelength of 285 nm, and the semiconductor base material emits light by excitation light having the wavelength of 365 nm by a quantum size effect.例文帳に追加

半導体母材中にドープ剤を含有する半導体ナノ粒子であって、粒子の平均粒径が０．１〜２０．０ｎｍであり、波長２８５ｎｍの励起光により該ドープ剤が発光し、かつ波長３６５ｎｍの励起光により該半導体母材が量子サイズ効果により発光することを特徴とする半導体ナノ粒子。 - 特許庁

An SiSnC channel layer 14 of a vertical MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) is made into a p-type semiconductor by doping Al and includes Si_0.9Sn_0.1C mixed crystal made of SiC crystal doped with Sn.例文帳に追加

縦型のＭＯＳＦＥＴにおけるＳｉＳｎＣチャネル層１４が、Ａｌのドープによりｐ型半導体に構成されると共に、ＳｉＣ結晶にＳｎがドープされたＳｉ_0.9Ｓｎ_0.1Ｃ混晶を含んでいる。 - 特許庁

The source/drain of the sense field-effect transistor is formed as an embedded doping layer (e.g. N+ in a P-type doped substrate) formed, prior to the formation of a polysilicon floating gate and a control gate.例文帳に追加

センス電界効果トランジスタのソース／ドレインは、ポリシリコン浮遊ゲート及びコントロールゲートの形成前に形成される埋込ドーピング層（例えば、Ｐ型にドーピングされた基板中のＮ＋）から形成される。 - 特許庁

To provide a heterojunction field effect transistor, in which the steep potential distribution by planar doping is sustained and deterioration in device characteristics, e.g. lowering of channel layer electron mobility or increase in gate leak current, is suppressed.例文帳に追加

プレーナドーピングによる急峻なポテンシャル分布を維持し、チャネル層電子移動度の低下や、ゲートリーク電流の増大等の、デバイス特性の劣化が抑制されたヘテロ接合型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To obtain a releasing effect identical or superior to a condition possessed by a high concentration amine compound having high permeability even to a deteriorated and hardened part of a resist film formed in an impurity doping step, in a dry-etching step, etc.例文帳に追加

不純物注入工程やドライエッチング工程等によって生じたレジスト膜の変質硬化部位に対しても浸透性が高く、高濃度アミン化合物と有する条件と同等以上の剥離効果を得ることを可能とする。 - 特許庁

As the compound material of Al and N gives a larger energy gain compared to the self-compensation by Al single doping, the n-dopant is stabilized in the ZnS crystal, inducing an effect of suppressing the self-compensation and an effect of increasing the n-dopant concentration, which results in an increase in the carrier concentration and low resistance of the stable ZnS thin film.例文帳に追加

ＡｌとＮの複合体形成の方が、Ａｌ単独ドーピングに伴う自己補償に比べてエネルギー利得が大きくなるため、ＺｎＳ結晶中でｎ型ドーパントが安定化し、自己補償の抑制効果やｎ型ドーパントの濃度増大効果が生まれ、キャリア濃度増大と共に安定したＺｎＳ薄膜の低抵抗化が可能になる。 - 特許庁

Here, the doping of C is important to give a surface channel CMOS device provided with the mid gap metal gate while an excellent short channel effect is maintained by holding the shallow B profile through the additional degree of freedom to relaxing the diffusion of B (even in the case of the subsequent activation heat cycle).例文帳に追加

ここで、Ｃ共ドーピングは、（後続のアクティベーション熱サイクルの際にも）Ｂの拡散を弱める追加の自由度を与えて浅いＢプロファイルを保持し、これは、良好な短チャネル効果を保持しながらミッドギャップ金属ゲートを備える表面チャネルＣＭＯＳデバイスを与えるために重要である。 - 特許庁

This field effect transistor 1 has a buried gate region 5 formed by doping an impurity in a compound semiconductor substrate 19, wherein concave portions 6L and 6R are provided on both the sides of the buried gate region 5 of the compound semiconductor substrate 19.例文帳に追加

本発明に係る電界効果トランジスタ１は、化合物半導体基体１９に不純物をドーピングして形成した埋め込みゲート領域５を有する電界効果トランジスタ１において、前記化合物半導体基体１９に埋め込みゲート領域５の両側に隣接する凹部６Ｌ、６Ｒを設けることを特徴とする。 - 特許庁

To provide silicon single crystal growth equipment that does not cause contamination within a growth furnace, can control an injection concentration of a low melting point dopant and eliminates adverse effect on the silicon single crystal growth production generated in doping while minimizing waste of the low melting point dopant and to provide a method for injecting the low melting point dopant.例文帳に追加

成長炉内の汚染を生じなく、低融点ドーパントの注入濃度の制御が可能で、低融点ドーパントの無駄遣いを最小にしながら、ドーピングの際に生じる酸化物によるシリコン単結晶生産への悪影響を除去したシリコン単結晶成長装置および低融点ドーパントの注入方法を提供する。 - 特許庁