doping conditionsとは 意味・読み方・使い方

For all that, the channel doping into the channel areas 1a', 81 is carried out at the same time on the same conditions.例文帳に追加

それでも、チャネル領域１ａ′、８１へのチャネルドープ条件については同一条件で同時に行う。 - 特許庁

To present a new guideline for proper doping conditions for increasing a capacitance or working voltage limit by doping or the like, in an electric double layer capacitor using a carbon nano tube for a polarization electrode.例文帳に追加

カーボンナノチューブを分極性電極に用いた電気二重層キャパシタにおいて、ドーピング等により静電容量や使用電圧範囲の増大を図るための適正なドーピング条件について新たな指針を提示する。 - 特許庁

To realize a thin-film transistor with a superior Vg-Id property without adding strict management of doping process conditions and a new manufacturing process.例文帳に追加

ドーピング処理の条件の厳密な管理および新たな製造工程を追加することなく、良好なＶｇ−Ｉｄ特性を有する薄膜トランジスタを実現する。 - 特許庁

By making small an area of a resist pattern (an area occupation rate of the resist: a ratio of the area of the resist to the entire area of a substrate) depending on the doping conditions including an acceleration voltage and a current density, degassing which occurs from the resist at the time of doping is reduced to realize the stable doping of impurity ions.例文帳に追加

ドーピング時における加速電圧または、電流密度といった条件に応じて用いるレジストパターンの面積（レジストの面積占有率：基板全体の面積に対するレジストの面積比）を小さくすることによりドーピング時にレジストから発生する脱ガスを減少させ、不純物イオンの注入安定性を図ることができる。 - 特許庁

This method provides the conditions with which the first impurity region 104 and the second impurity region 105 can be formed at the same time, in the step of impurity doping.例文帳に追加

不純物添加一工程において、第一の不純物領域１０４および第二の不純物領域１０５を同時に形成できる条件を提供する。 - 特許庁

In this production, at the time of growing a silicon single crystal by a CZ method, the single crystal is pulled up while doping the crystal with nitrogen under conditions such that the whole crystal surface of any of the resulting single crystal wafers becomes an N-region.例文帳に追加

ＣＺ法によってシリコン単結晶を育成する際に、窒素をドープしながら結晶全面がＮ−領域となる条件で引上げるシリコン単結晶ウエーハの製造方法である。 - 特許庁

However, channel doping conditions to the channel areas 1a and 2a are simultaneously performed on a same condition before a process of turning the film thickness of the MOSFET 30 for pixel switching from a second film thickness to a first film thickness by thermal treatment.例文帳に追加

それでも、チャンネル領域１ａ、２ａへのチャンネルドープ条件については画素スイッチング用のＭＯＳＦＥＴ３０の膜厚を熱処理により第二の膜厚から第一の膜厚の厚さにする工程の前に同一条件で同時に行う。 - 特許庁