doping atomとは 意味・読み方・使い方

The doping gas supply ports 16 and 17 are closest to the substrate S and then a doping gas is prevented from flowing backward to the antenna side, so a doping atom is prevented from sticking on the antenna etc.例文帳に追加

ドーピングガス供給口１６、１７が最も基板Ｓに近い位置にあることにより、ドーピングガスがアンテナ側に逆流することを防ぐことができるため、ドーピング原子がアンテナ等に付着することを防ぐことができる。 - 特許庁

In the manufacture of a semiconductor device, the automatic doping is inhibited for making clear the boundary of a doping region, thus manufacturing an electronic device, having single atom layer doping and modulation doping layers, and superior functions according exactly as designed.例文帳に追加

半導体装置の製造において、オートドーピングを抑制することによりドーピング領域の境界をクリアにすることができるので、単原子層ドーピングや変調ドーピング層を有する高機能電子デバイスが設計通りに製造できる。 - 特許庁

A charge separation material 52 is deposited on the surfaces of particles of a titanium compound 51 made by doping nitrogen atom on a titanium oxide crystal.例文帳に追加

酸化チタン結晶に窒素原子をドーピングしてなるチタン化合物５１の粒子の表面に、電荷分離物質５２を担持させた。 - 特許庁

The transparent conductive oxide with zinc oxide as a main composition contains zinc selenide 0.2-6.0 atom% as a conductive doping agent.例文帳に追加

酸化亜鉛を主成分とする透明導電酸化物中に導電性ドーピング剤としてセレン化亜鉛を０．２〜６．０ａｔｏｍ％含有する。 - 特許庁

It is also preferable that the doping layer is doped with F_4TCNQ at a rate of ≤20 atom% (except 0).例文帳に追加

ドーピング層はＦ_４ＴＣＮＱをドーピングすることが好ましく、ドーピング量は２０ａｔｏｍ％以下（ただし０は除く）であることが好ましい。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a III-V compound semiconductor epitaxial wafer for improving the doping efficiency of a C atom and at the same time, improving crystillability in making an AlGaAs layer have a p type by an auto-doping method.例文帳に追加

オートドープ法によるＡｌＧａＡｓ層のｐ型化において、Ｃ原子の添加効率をより向上させ、同時に結晶性も向上させるIII-Ｖ族化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。 - 特許庁

This photoelectric conversion material is manufactured by using an atom inclusion fullerene as an electron receptor and by doping the atom inclusion fullerene into an electron donating organic material.例文帳に追加

電子受容体として原子内包フラーレンを用い、原子内包フラーレンを電子供与性有機材料にドープすることにより光電変換材料を作製することにした。 - 特許庁