doping compensationとは 意味・読み方・使い方

To provide a low resistance n-type ZnS thin film having high reproducibility while suppressing a self-compensation effect that appears in doping a ZnS thin film with Al.例文帳に追加

ＺｎＳ薄膜へのＡｌのドーピングでみられる自己補償効果を抑制し、再現性の高い低抵抗ｎ型ＺｎＳ薄膜を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can stably reduce harmonic distortion without injecting an impurity into a silicon layer or a silicon substrate for compensation doping.例文帳に追加

シリコン層又はシリコン基板に補償ドープのために不純物を注入する必要がなく、安定的に高調波歪を低減する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element, which can make a recovery from the damages to the crystal of a polycrystalline semiconductor layer, which is generated by a collision of ions in an impurity doping process, and also can make compensation for uncombined species.例文帳に追加

不純物のドーピング工程でのイオンの衝突によって発生した結晶のダメージ回復が行えると同時に、未結合手の補償を行うことの可能な半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A drift path layer doping comprising the volume integral of doping locations of a horizontal drift path layer of the vertically extending drift path 2 including the drift zone regions and charge compensation zone regions arranged in the drift path layer is greater in the vicinity of the two electrodes 3, 4 than in the direction of the center of the drift path 2.例文帳に追加

ドリフト経路層内に配置された、ドリフトゾーンの領域と電荷補償ゾーンの領域とを含み、垂直に伸びるドリフト経路２に、水平なドリフト経路層のドーピング位置が体積的に重ね合わせられたドリフト経路層ドーピングは、ドリフト経路２の中央の方向よりも、２つの電極３，４の近傍においてのほうがより大きい。 - 特許庁

As the compound material of Al and N gives a larger energy gain compared to the self-compensation by Al single doping, the n-dopant is stabilized in the ZnS crystal, inducing an effect of suppressing the self-compensation and an effect of increasing the n-dopant concentration, which results in an increase in the carrier concentration and low resistance of the stable ZnS thin film.例文帳に追加

ＡｌとＮの複合体形成の方が、Ａｌ単独ドーピングに伴う自己補償に比べてエネルギー利得が大きくなるため、ＺｎＳ結晶中でｎ型ドーパントが安定化し、自己補償の抑制効果やｎ型ドーパントの濃度増大効果が生まれ、キャリア濃度増大と共に安定したＺｎＳ薄膜の低抵抗化が可能になる。 - 特許庁