「doping technique」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

This technique utilizes a damascene gate process to obtain a MOSFET structure wherein the thickness of an oxide on source/drain regions is not related to the thickness of a gate oxide and a disposable spacer technique to form a super halo doping profile.例文帳に追加

この技法は、ソース／ドレイン領域上の酸化物の厚さがゲート酸化物の厚さとは無関係なＭＯＳＦＥＴ構造を得るためのダマシン・ゲート・プロセスと、スーパー・ハロ・ドーピング・プロフィルを形成するためのディスポーザブル・スペーサ技法とを利用する。 - 特許庁

By utilizing the optical filter island 222, a source region 214 and a drain region 218 are formed self-aligningly in a semiconductor structure 200 by applying laser doping technique.例文帳に追加

この光学フィルタアイランド２２２を利用して、レーザドーピング法を用いて、半導体構造２００にソース領域２１４とドレイン領域２１８を自己整合的に形成する。 - 特許庁

In a preferable embodiment, γ-alumina is preferably made by means of a sol-gel process along with metal doping of γ-alumina carried out by using an initial wet impregnation technique.例文帳に追加

好ましい実施形態において、γ−アルミナは、好ましくは初期湿潤含浸技術を用いてなされるγ−アルミナの金属ドーピングと共に、ゾル−ゲル法により作成される。 - 特許庁

To inexpensively provide a delta doping technique by which the occurrence of a punch-through phenomenon that becomes a problem at the time of refining a MOSFET can be prevented and, in addition, the characteristics of a device are not sacrificed.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴの微細化の際に問題となるパンチスルー現象を防ぎ、且つデバイスの特性を犠牲にしないためのデルタ−ドーピングの技術を安価に提供すること。 - 特許庁

To realize an ideal impurity concentration profile by a method using a laser irradiation at the time of the treatment of a doping of an Si wafer with Si chips and activation and to provide a technique to form electrodes on the rear of the Si chip.例文帳に追加

Ｓｉチップが形成されたＳｉウエハへの不純物のドーピングと活性化の処理の際に、レーザ照射による方法で理想的な不純物濃度プロファイルを実現し、Ｓｉチップの裏面に電極を形成する技術を提供すること。 - 特許庁

The filter is manufactured, such that a high-purity ZnO target is epitaxially grown on a sapphire substrate, using the sputtering method to obtain a high-resistance ZnO film, which is further grown by doping As using the ion implantation technique or using a dopant-mixed target to obtain a low-resistance P-type 2-6 group compound semiconductor film.例文帳に追加

高純度ＺｎＯターゲットをスパッタリング法によりサファイア基板上にエピタキシャル成長させ高抵抗のＺｎＯ膜を得、さらにＡｓをイオン注入法でドーピング、または、ドーパントを混ぜたターゲットを用いて成長させる低抵抗のＰ型２−６族化合物半導体膜を得る。 - 特許庁