an a-siとは 意味・読み方・使い方

Semantic information network components include a semantic information switch (SI-SW), a semantic information router (SI-R), a semantic information gateway (SI-GW), an event place, and a session.例文帳に追加

意味情報ネットワークのネットワーク構成要素には、意味情報スイッチ(SI-SW)、意味情報ルータ(SI-R)、意味情報ゲートウエイ(SI-GW)、イベントプレース、セッションなどがある。 - 特許庁

A slab steel having a C content: C [wt.%] of 0.08 to 0.55, an Si content: Si [wt.%] of 0.02 to 0.60; and an Mn content: Mn [wt.%] of 0.3 to 1.5 is used as an object.例文帳に追加

C含有量C[wt%]を0.08〜0.55とし、Si含有量Si[wt%]を0.02〜0.60とし、Mn含有量Mn[wt%]を0.3〜1.5とするスラブ鋼を対象とする。 - 特許庁

An Ar^+ ion is implanted into a substrate 1 compound of crystalline Si.例文帳に追加

結晶Siからなる基板１に、Ar^+イオンの注入を行う。 - 特許庁

The film is attached by using an organic silicon compound precursor so as to allow a residual film to comprise a backbone structure substantially comprising a Si-O-Si or Si-N-Si group and an organic side group bonded to the backbone structure.例文帳に追加

フィルムは、残基フィルムがSi-O-Si又はSi-N-Si基から実質的になるバックボーン構造及び前記バックボーン構造に結合している有機側基からなるように、有機ケイ素化合物プリカーサーを使用して付着する。 - 特許庁

To provide a method and a device for forming an HSG-Si layer in a wafer.例文帳に追加

ウェーハにHSG-Si層を形成するための方法及び装置を提供する。 - 特許庁

An ONO gate insulating film G of three-layered structure composed of Si oxide film 6/Si nitride film 5/Si oxide film 4 is formed on the surface of an N-type CCD channel region 3, and a poly-Si transfer electrode 7 is provided on the ONO gate insulating film G.例文帳に追加

n型CCDチャネル領域3表面に、Si酸化膜6/Si窒化膜5/Si酸化膜4の3層構造のONOゲート絶縁膜Gが形成され、ONOゲート絶縁膜G上に、ポリSi転送電極7を設けている。 - 特許庁

As an Si material source for the metallic Si melt layer 18, a metallic Si film with a thickness of about 50-200 μm is formed on the single crystal SiC substrate through vapor phase deposition, or a metallic Si plate of a similar thickness is stacked on the substrate to control the thickness of the metallic Si melt layer 18.例文帳に追加

金属Si融液層18のSi材料供給源としては、前記単結晶SiC基板上に厚さ50以上200μｍ以下程度の金属Si膜を気相法で形成させるか、基板上に同程度の厚みの金属Si板を重ねて金属Si融液層18の厚みを制御する。 - 特許庁

First, a cavity is formed between an Si substrate 1 and an Si layer 5.例文帳に追加

まず始めに、Ｓｉ基板１とＳｉ層５との間に空洞部を形成する。 - 特許庁