dry lithographyとは 意味・読み方・使い方

Then, a resist pattern is formed in a lithography process and a groove is formed by dry-etching the organic thin film using the pattern as an etching mask.例文帳に追加

次いで、リソグラフィ工程によりレジストパターンを形成し、それをエッチングマスクとして、前記有機薄膜をドライエッチングして、溝を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor luminous element where light-extraction efficiency is high and a radiating pattern is excellent without using a microscopic lithography technology and a dry etching technology.例文帳に追加

微細リソグラフィー技術やドライエッチング技術を用いることなく、光取り出し効率が高く且つ放射パターンが良好な半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To form a high resolution and high accuracy chemically amplified resist film pattern having excellent dry etching resistance and small edge roughness in electron beam lithography.例文帳に追加

電子線リソグラフィにおいて、ドライエッチング耐性に優れ、エッジラフネスが小さい、化学増幅型高解像度・高精度レジスト膜パターンの形成を可能にする。 - 特許庁

A groove 4 is formed by removing a part of the semiconductor substrate 1 while penetrating through the silicon nitride film 3 and the protection oxide film 2 with optical lithography and dry etching.例文帳に追加

光リソグラフィーおよびドライエッチングにより、シリコン窒化膜３および保護酸化膜２を貫通し、半導体基板１の一部を除去して溝部４を形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing a lithography mask by which end detection accuracy in dry etching is enhanced by detecting the end of dry etching by a method different from measurement of an optical characteristic.例文帳に追加

ドライエッチングにおける終点検出を、光学特性の検出とは異なる方法により行うことで、ドライエッチングにおける終点検出精度を向上させるリソグラフィーマスクの製造方法等を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a mold for photo imprinting economically without the need of a step of forming mask by photo lithography necessary when dry-etching a quartz substrate, a dry-etching step for the quartz substrate after that and the like.例文帳に追加

石英基板をドライエッチングする場合に必要な、フォトリソグラフィーによるマスクの形成工程、その後の石英基板のドライエッチング工程などが不要で、経済的に光インプリント用モールドを製造することが可能な方法を提供する。 - 特許庁

In addition, a method by which a laser resonator containing a multi-mode interference waveguide section can be manufactured with high dimensional accuracy by using both lithography and dry etching is also devised.例文帳に追加

また、リソグラフィー技術とドライエッチング技術の併用により多モード干渉導波路部を含むレーザ共振器を寸法精度高く作製する手法も合わせて考案した。 - 特許庁

An insulation film 11 such as a 1 μm thick oxide film is deposited on a substrate 10 and a hole 12, whose lower diameter is 0.3 μm and upper diameter is 0.5 μm, is formed by lithography and dry etching.例文帳に追加

基板１０上に、酸化膜などの絶縁膜１１を１μｍ堆積し、リソグラフィーおよびドライエッチングにより、下部径が０．３μｍ、上部径が０．５μｍのホール１２を形成する。 - 特許庁