dummy treatmentとは 意味・読み方・使い方

In the substrate processing device, the received dummy substrate is cleaned by a cleaning treatment unit and then dried.例文帳に追加

基板処理装置では、受け取ったダミー基板を洗浄処理ユニットにて洗浄して乾燥する。 - 特許庁

A treatment chamber S2 housing a workpiece 2 is equipped with a dummy 120 of the workpiece 2.例文帳に追加

被処理体２を収納する処理室Ｓ２に、被処理体２のダミー１２０を備えた。 - 特許庁

The dummy substrate, after being cleaned, is again returned from the substrate treatment device to an exposure unit.例文帳に追加

洗浄後のダミー基板は再び基板処理装置から露光ユニットに帰還させる。 - 特許庁

In this treatment method, the dummy wafer is housed in wafer cassettes 30a and 30b set in the load-locked chambers 16a and 16b together with a plurality of semiconductor wafers to be treated, to continuously perform treatment for the dummy wafer with treatment for the semiconductor wafer.例文帳に追加

処理方法では、ロードロックチャンバ１６ａ，１６ｂ内にセットされるウェハカセット３０ａ，３０ｂに、処理すべき複数の半導体ウェハと共にダミーウェハを収容し、半導体ウェハの処理と共に、ダミーウェハの処理を引き続き行うこととしている。 - 特許庁

After an amorphous silicon film pattern 10 is formed as the dummy electrodes, silicon oxide films 11 are formed by oxidizing the sidewall sections of the dummy gate electrodes through heat treatment.例文帳に追加

ダミーゲート電極としてのアモルファスシリコン膜パターン１０を形成した後、加熱処理によってダミーゲート電極の側壁部を酸化してシリコン酸化膜１１を形成する。 - 特許庁

Some trays among the plurality of trays 4 are used as dummy trays 4b which do not convey the work 6, and the pre-deposition treatment is performed in the vacuum vessel 1 into which the dummy tray 4b is shifted.例文帳に追加

複数のトレー４の内の一部は、ワーク６を搬送しないダミートレー４ｂとし、ダミートレー４ｂが移送された真空槽１内でプリデポジション処理が行われるように構成する。 - 特許庁

In the dummy heating method of a heat treatment furnace, dummy heating is performed by supplying mixture gas produced by adding hydrogen to an inert gas at a concentration lower than the lower limit of explosion.例文帳に追加

熱処理炉の空焼き方法であって、前記熱処理炉の中に、不活性ガスに水素を爆発下限未満の濃度で含ませた混合ガスを供給して空焼きを行うことを特徴とする熱処理炉の空焼き方法。 - 特許庁

Further, heat treatment for activating the impurity is performed, the dummy gate 30a is removed and a gate electrode 31 is formed to the region wherein the dummy gate has been once formed.例文帳に追加

次に、不純物活性化の熱処理を行い、ダミーゲート３０ａを除去し、ダミーゲートが形成されていた領域においてゲート電極３１を形成する。 - 特許庁