electron diodeとは 意味・読み方・使い方

To provide a diode element capable of reducing an in-plane luminance difference when it is applied to a display device by suppressing unevenness of a distribution of an electron emission quantity in a plane or between adjacent pixels caused by film formation unevenness in forming an electron acceleration layer of an MIM type diode element suitable for a thin-film electron source by anodic oxidation.例文帳に追加

薄膜電子源に好適なＭＩＭ型ダイオード素子の電子加速層を陽極酸化で形成する際の成膜不均一に起因する面内もしくは隣接画素間の電子放出量の分布の不均一を抑制し、表示装置に適用した場合の面内輝度差を低減可能としたダイオード素子を提供する。 - 特許庁

To provide an electron emission element for suppressing beam diffusion to reduce another color-emission and suppressing diode type electron emission caused by an anode field, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は，ビーム拡散を抑制して他色発光を減らし，アノード電界によるダイオード型電子放出を抑制するための電子放出素子とその製造方法に関する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF IMAGE DISPLAY DEVICE HAVING ELECTRON SOURCE CONSTITUTED OF DIODE ELEMENT, AND IMAGE DISPLAY DEVICE MANUFACTURED BY THE METHOD例文帳に追加

ダイオード素子で構成した電子源を有する画像表示装置の製造方法、及びこの方法で製造した画像表示装置 - 特許庁

To provide a highly reliable image display in which deterioration of diode characteristics of an anodized film composing a thin film electron source is controlled.例文帳に追加

薄膜電子源を構成する陽極酸化膜のダイオード特性の劣化を抑制して高信頼性の画像表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a highly reliable image display device by suppressing the deterioration of the diode characteristics of an anodic oxide film constituting a thin-film electron source.例文帳に追加

薄膜電子源を構成する陽極酸化膜のダイオード特性の劣化を抑制して高信頼性の画像表示装置を得る。 - 特許庁

To suppress an after-image phenomenon of an image display device by improving a formation method of an insulation film of a diode element used as an electron source.例文帳に追加

電子源として用いるダイオード素子の絶縁膜の形成方法を改善して画像表示装置の残像現象を抑制する。 - 特許庁

Thus, the leakage current in the diode can be suppressed because the recombination of an electron and a positive hole can be prevented due to a tunnel current.例文帳に追加

これにより、トンネル電流による電子と正孔との再結合を防止することができるため、ダイオードの漏れ電流を抑制できる。 - 特許庁

The electron potential energy of the lower-part diode impurity layer 41 in an initial state is higher than that of the floating diffusion layer 43.例文帳に追加

下部ダイオード不純物層４１の初期状態における電子ポテンシャルエネルギーは、浮遊拡散層４３の電子ポテンシャルエネルギーよりも高い。 - 特許庁