electron energy structureとは 意味・読み方・使い方

The InAs thin film 2 has a low-order quantum structure, the energy difference between an electron quantum level formed in the low-order quantum structure and the Fermi level is set equal to thermal energy or below.例文帳に追加

ＩｎＡｓ薄膜２は低次元量子構造を有し、この低次元量子構造に形成される電子の量子準位とフェルミ準位とのエネルギ差が、熱エネルギーと同等または小さくされている。 - 特許庁

To provide an energy filter with a filter of a simple structure which does not deflect electron beam for slit selection.例文帳に追加

スリット選択のために電子線を偏向させることなく、しかも簡単な構造のフィルタを備えたエネルギーフィルタを提供する。 - 特許庁

To provide a metal oxide structure manufacturable by a small number of processes, and applicable to an electron emission element having high energy efficiency.例文帳に追加

少ない工程で製造でき、エネルギー効率の高い電子放出素子への応用が可能な金属酸化物構造体を提供する。 - 特許庁

The carbon nano structure is manufactured by irradiating a carbon material with a high energy beam such as an ion beam, a laser beam and an electron beam.例文帳に追加

炭素ナノ構造体は、炭素材料にイオンビーム、レーザビーム、電子ビーム等の高エネルギービームを照射することにより製造される。 - 特許庁

We present a method to separate surface from volume contributions in the fine structure of ionization edges in electron energy-loss spectroscopy (ELNES).発音を聞く 例文帳に追加

われわれは、電子エネルギー損失分光のイオン化エッジの微細構造(ELNES)における体積の寄与から表面の寄与を分離する手法を示す。 - 科学技術論文動詞集

(4) It is confirmed that the ultra-thin isolation membrane having an unprecedented new structure and composition is formed by observing and analyzing images, electron diffraction diagrams and electron energy loss spectroscopy spectrums of the membrane by use of a transmission electron microscope.例文帳に追加

４）本膜を透過型電子顕微鏡により像、電子回折図形および電子エネルギー損失分光法スペクトルを観察、解析し、従来にない新しい構造と組成を有する極薄単離膜が生成していることを確認する。 - 特許庁

A buffer layer 13 and an electron gas layer 14 are formed as an AlGaN/GaN hetero structure having a large energy gap at the end of the conduction band.例文帳に追加

伝導帯端に大きなエネルギーギャップを有するＡｌＧａＮ／ＧａＮへテロ構造としてバッファ層１３と電子ガス層１４を形成する。 - 特許庁

(In the formula, Ai1 shows the minimum energy at which a secondary electron emission coefficient of the structure supporter becomes 1, and As shows an initial emission energy of secondary electrons emitted from the structure supporter.).例文帳に追加

θ＝０．３ｔａｎ^-1（１／ｋ）〜２．０ｔａｎ^-1（１／ｋ） ｋ＝（０．５×（Ａ_i1／Ａ_s −１））^0.5 、Ａ_i1は前記構造支持体の二次電子放出係数が１となる最小エネルギー、Ａ_s は前記構造支持体から放出される二次電子の初期放出エネルギー - 特許庁