意味 | 例文 (5件) |
elo-2とは 意味・読み方・使い方
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遺伝子名称シソーラスでの「elo-2」の意味 |
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elo-2
worm | 遺伝子名 | elo-2 |
同義語(エイリアス) | WP:CE19785; F11E6.5; CE19785 | |
SWISS-PROTのID | --- | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:178532 | |
その他のDBのID | WormBase:WBGene00001240 |
yeast | 遺伝子名 | ELO2 |
同義語(エイリアス) | GNS1; v-SNARE bypass mutant gene 2 protein; YCR521; FEN1; GNS1 protein; YCR034W; YCR34W; VBM2; Elongation of fatty acids protein 2 | |
SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P25358 | |
EntrezGeneのID | EntrezGene:850400 | |
その他のDBのID | SGD:S000000630 |
本文中に表示されているデータベースの説明
「elo-2」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 5件
Then, a GaN layer 5 is grown by an ELO method on the GaN layer 2 (Fig.1c).例文帳に追加
次に、GaN層2上にGaN層5をELO法により成長させる(図1c)。 - 特許庁
The semiconductor crystal 2 is a crystal grown on the crystal growth surface 1a of a crystal growth substrate 1 masked with an ELO mask 3 having so-called dome shaped cross section, and transition 4 extends from about the center of the top of the ELO mask 3 to a crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2.例文帳に追加
半導体結晶2は所謂ドーム型の断面形状を有するELOマスク3がマスキングされた結晶成長基板1の結晶成長面1a上に成長したものであり、転位4はELOマスク3の上面略中央から半導体結晶2の結晶成長面2aまで伸びている。 - 特許庁
The group III nitride semiconductor epitaxial substrate 10 comprises forming an ELO growth layer 4 of the composition of Al_xGa_1-xN (0≤x≤1) on a group III nitride layer 2 formed on a substrates 1, wherein the ELO (Epitaxial Lateral Overgrowth) growth layer 4 is formed using a mask pattern 3 consisting of carbon formed on the group III nitride layer 2.例文帳に追加
基板1上に形成されたIII族窒化物層2上にAl_xGa_1−xN(0≦x≦1)なる組成のELO成長層4が形成されてなり、ELO(Epitaxial Lateral Overgrowth)成長層4は、III族窒化物層2上に形成された炭素からなるマスクパターン3を用いて形成されたIII族窒化物半導体エピタキシャル基板10。 - 特許庁
The substrate for growing a GaN-based crystal usable in the ELO technology is obtained by forming a mask layer 2 with a pattern which is constituted of mask areas (d) and non-mask areas (e) on the surface of a crystal substrate 1 on which the GaNbased crystal can grow.例文帳に追加
GaN系結晶が成長可能な結晶基板1の該基板面に、マスク領域dと非マスク領域eとが形成されるパターンにてマスク層2を形成し、ELO技術に対応し得るGaN系結晶成長用基板とする。 - 特許庁
This is because the semiconductor crystal 2 also can grow laterally along the tilted surface of the ELO mask 3 near the surface, while, as the semiconductor crystal 2 increases, the crystal growth surface 2a of the semiconductor crystal 2 moves upward from the vicinity of the crystal growth surface 1a of the crystal growth substrate 1.例文帳に追加
これは、半導体結晶2の成長に伴って半導体結晶2の結晶成長面2aが結晶成長基板1の結晶成長面1a付近から上方に移動する間にも、半導体結晶2はELOマスク3の傾斜面付近でこの傾斜面に沿って横方向にも成長できるためである。 - 特許庁
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