epitaxy layerとは 意味・読み方・使い方

GALLIUM NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXY LAYER STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体エピタキシー層構造とその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR GROWING INDIUM NITRIDE-CONTAINING SEMICONDUCTOR LAYER, AND VAPOR-PHASE EPITAXY APPARATUS例文帳に追加

ＩｎＮを含む半導体層の成膜方法および気相成長装置 - 特許庁

METHOD OF DEPOSITION BY EPITAXY OF SILICON LAYER ON HIGHLY DOPED SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

高ド—プシリコン基板上でエピタクシによってシリコン層をデポジションする方法 - 特許庁

The light emitting layer 24 is formed by a metal organic vapor phase epitaxy process, and the p-type current diffusion layer 7 is formed on the light emitting layer 24 by a hydride vapor phase epitaxy process.例文帳に追加

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上にｐ型の電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

A thick second III-N layer 17 is deposited on the first III-N layer 15 by means of a hydride vapor phase epitaxy.例文帳に追加

厚い第二のIII-N層１７は、ハイドライド気相成長により第一のIII-N層１５上に堆積させる。 - 特許庁

Then, a second GaP layer 7 is formed on the first GaP layer 7a by hydride vapor phase epitaxy.例文帳に追加

そして、第一ＧａＰ７ａ層上に第二ＧａＰ層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a light-emitting diode device preventing a light-emitting diode epitaxy layer from being damaged when separating the light-emitting diode epitaxy layer from a non-conductive substrate.例文帳に追加

発光ダイオードエピタクシー層と非導電基板を分離する場合に発光ダイオードエピタクシー層を損傷させることがない発光ダイオードデバイスの形成方法を提供する。 - 特許庁

The layer 15 may be formed on the substrate 10 by a molecular beam epitaxy.例文帳に追加

この層１５は、分子線エピタキシによって基板１０上に形成されてもよい。 - 特許庁