epitaxy layerとは 意味・読み方・使い方

In an SOI substrate 12, an SOI active layer 3 is formed on a buried oxide film 2, and at least a part of the layer 3 is formed by ALE (atomic layer epitaxy: atomic layer epitaxial growth).例文帳に追加

埋め込み酸化膜２上に、ＳＯＩ活性層３が形成され、この少なくとも一部がＡＬＥ（Atomic Layer Epitaxy:原子層エピタキシャル成長）によって形成されているＳＯＩ基板１２。 - 特許庁

METHOD OF DEPOSITION BY EPITAXY OF SILICON LAYER ON HIGHLY DOPED SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

高ド—プシリコン基板上でエピタクシによってシリコン層をデポジションする方法 - 特許庁

To prevent a partial degradation in the film properties in a wafer face of a film formed by an atomic layer epitaxy process.例文帳に追加

原子層成長法で成膜した膜のウェハ面内での膜特性の部分的な低下を防ぐ。 - 特許庁

The layer 15 may be formed on the substrate 10 by a molecular beam epitaxy.例文帳に追加

この層１５は、分子線エピタキシによって基板１０上に形成されてもよい。 - 特許庁

In particular, the micro pixel may have a p-type conductive epitaxy layer and a PN junction layer formed vertically inside the epitaxy layer.例文帳に追加

特に、前記マイクロピクセルは、ｐ型伝導性のエピタキシ層と、前記エピタキシ層の内部に垂直に形成されるＰＮ接合層と、を備えていてもよい。 - 特許庁

The light emitting layer 24 is formed by a metal organic vapor phase epitaxy process, and the p-type current diffusion layer 7 is formed on the light emitting layer 24 by a hydride vapor phase epitaxy process.例文帳に追加

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上にｐ型の電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

The light emitting layer portion 24 is formed in a metal organic vapor phase epitaxy process, and the current diffusion layer 7 having the n-type of conductivity is formed on the light emitting layer portion 24 in a hydride vapor phase epitaxy process.例文帳に追加

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上に導電型がｎ型とされる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a light-emitting diode device preventing a light-emitting diode epitaxy layer from being damaged when separating the light-emitting diode epitaxy layer from a non-conductive substrate.例文帳に追加

発光ダイオードエピタクシー層と非導電基板を分離する場合に発光ダイオードエピタクシー層を損傷させることがない発光ダイオードデバイスの形成方法を提供する。 - 特許庁