epitaxy growthとは 意味・読み方・使い方

SOLID SOLUTION INDUCTION LAYER FOR WEAK EPITAXY GROWTH OF NONPLANAR PHTHALOCYANINE例文帳に追加

非平面フタロシアニンの弱エピタキシー成長用の固溶体誘起層 - 特許庁

RAPID MODULATED GROWTH MOLECULAR BEAM EPITAXY DEVICE AND ITS OPERATION METHOD例文帳に追加

急速変調成長分子線エピタキシー装置とその運転方法 - 特許庁

To improve difficult epitaxial growth in a desired region by a liquid phase epitaxy method.例文帳に追加

液相成長法で所望の領域にエピタキシャル成長を行うのが難しい。 - 特許庁

An in-situ etching agent supports the growth of selective silicon epitaxy.例文帳に追加

インサイチュエッチング剤は、選択的シリコンエピタキシーの成長を支持する。 - 特許庁

In the case of a vapor phase epitaxy of the second clad layer, the growth pit is formed in the front surface using the growth temperature as 1,000°C or less, and the vapor phase epitaxy is performed until the thickness is set to 100 nm or more.例文帳に追加

第２クラッド層の気相成長に際しては、成長温度を１０００℃以下としてその表面に成長ピットを形成し、且つ、厚さが１００ｎｍ以上となるまで気相成長させる。 - 特許庁

The barrier layer (4) is formed by the organic metal molecular beam epitaxy method where a growth speed is set to 0.5 to 1.05 nm/second or the gas source molecular beam epitaxy method.例文帳に追加

成長速度が０．５ｎｍ／秒から１．０５ｎｍ／秒である有機金属分子線エピタキシー法またはガスソース分子線エピタキシー法によって障壁層（４）を形成する。 - 特許庁

In an SOI substrate 12, an SOI active layer 3 is formed on a buried oxide film 2, and at least a part of the layer 3 is formed by ALE (atomic layer epitaxy: atomic layer epitaxial growth).例文帳に追加

埋め込み酸化膜２上に、ＳＯＩ活性層３が形成され、この少なくとも一部がＡＬＥ（Atomic Layer Epitaxy:原子層エピタキシャル成長）によって形成されているＳＯＩ基板１２。 - 特許庁

GAS-PHASE EPITAXIAL GROWTH METHOD, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND MANUFACTURE THEREOF AND HYDRIDE GAS- PHASE EPITAXY DEVICE例文帳に追加

気相エピタキシャル成長法、半導体基板の製造方法、半導体基板及びハイドライド気相エピタキシー装置 - 特許庁