「epitaxy layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

SOLID SOLUTION INDUCTION LAYER FOR WEAK EPITAXY GROWTH OF NONPLANAR PHTHALOCYANINE例文帳に追加

非平面フタロシアニンの弱エピタキシー成長用の固溶体誘起層 - 特許庁

METHOD FOR GROWING INDIUM NITRIDE-CONTAINING SEMICONDUCTOR LAYER, AND VAPOR-PHASE EPITAXY APPARATUS例文帳に追加

ＩｎＮを含む半導体層の成膜方法および気相成長装置 - 特許庁

In an SOI substrate 12, an SOI active layer 3 is formed on a buried oxide film 2, and at least a part of the layer 3 is formed by ALE (atomic layer epitaxy: atomic layer epitaxial growth).例文帳に追加

埋め込み酸化膜２上に、ＳＯＩ活性層３が形成され、この少なくとも一部がＡＬＥ（Atomic Layer Epitaxy:原子層エピタキシャル成長）によって形成されているＳＯＩ基板１２。 - 特許庁

METHOD OF DEPOSITION BY EPITAXY OF SILICON LAYER ON HIGHLY DOPED SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

高ド—プシリコン基板上でエピタクシによってシリコン層をデポジションする方法 - 特許庁

To prevent a partial degradation in the film properties in a wafer face of a film formed by an atomic layer epitaxy process.例文帳に追加

原子層成長法で成膜した膜のウェハ面内での膜特性の部分的な低下を防ぐ。 - 特許庁

The layer 15 may be formed on the substrate 10 by a molecular beam epitaxy.例文帳に追加

この層１５は、分子線エピタキシによって基板１０上に形成されてもよい。 - 特許庁

In particular, the micro pixel may have a p-type conductive epitaxy layer and a PN junction layer formed vertically inside the epitaxy layer.例文帳に追加

特に、前記マイクロピクセルは、ｐ型伝導性のエピタキシ層と、前記エピタキシ層の内部に垂直に形成されるＰＮ接合層と、を備えていてもよい。 - 特許庁

The light emitting layer 24 is formed by a metal organic vapor phase epitaxy process, and the p-type current diffusion layer 7 is formed on the light emitting layer 24 by a hydride vapor phase epitaxy process.例文帳に追加

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上にｐ型の電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

The light emitting layer portion 24 is formed in a metal organic vapor phase epitaxy process, and the current diffusion layer 7 having the n-type of conductivity is formed on the light emitting layer portion 24 in a hydride vapor phase epitaxy process.例文帳に追加

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上に導電型がｎ型とされる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a light-emitting diode device preventing a light-emitting diode epitaxy layer from being damaged when separating the light-emitting diode epitaxy layer from a non-conductive substrate.例文帳に追加

発光ダイオードエピタクシー層と非導電基板を分離する場合に発光ダイオードエピタクシー層を損傷させることがない発光ダイオードデバイスの形成方法を提供する。 - 特許庁

The barrier layer (4) is formed by the organic metal molecular beam epitaxy method where a growth speed is set to 0.5 to 1.05 nm/second or the gas source molecular beam epitaxy method.例文帳に追加

成長速度が０．５ｎｍ／秒から１．０５ｎｍ／秒である有機金属分子線エピタキシー法またはガスソース分子線エピタキシー法によって障壁層（４）を形成する。 - 特許庁

In the case of a vapor phase epitaxy of the second clad layer, the growth pit is formed in the front surface using the growth temperature as 1,000°C or less, and the vapor phase epitaxy is performed until the thickness is set to 100 nm or more.例文帳に追加

第２クラッド層の気相成長に際しては、成長温度を１０００℃以下としてその表面に成長ピットを形成し、且つ、厚さが１００ｎｍ以上となるまで気相成長させる。 - 特許庁

In hydrogen atmosphere of 1,000°C, a GaN layer 106 is grown by 2 μm on the buffer layer by organic vapor phase epitaxy.例文帳に追加

この緩衝層上に有機金属気相成長法により、１０００℃の水素雰囲気において、ＧａＮ層１０６を２μｍ成長する。 - 特許庁

Then, a second GaP layer 7 is formed on the first GaP layer 7a by hydride vapor phase epitaxy.例文帳に追加

そして、第一ＧａＰ７ａ層上に第二ＧａＰ層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

A thick second III-N layer 17 is deposited on the first III-N layer 15 by means of a hydride vapor phase epitaxy.例文帳に追加

厚い第二のIII-N層１７は、ハイドライド気相成長により第一のIII-N層１５上に堆積させる。 - 特許庁

The process for producing free-standing III-N layer comprises depositing at least one first III-N layer 15 by means of molecular beam epitaxy on an Li(Al, Ga)O_x substrate 7, where 1≤x≤3.例文帳に追加

Li(Al, Ga)O_X基板（１≦ｘ≦３）７上に、分子線エピタキシ法により少なくとも１つの第一のIII-N層１５を堆積させる工程を備える。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for manufacturing an epitaxial wafer having a stable epitaxy layer.例文帳に追加

本発明は、安定したエピタキシャル成長層を有するエピタキシャルウェーハの製造装置およびその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor substrate that is reduced in defect of a crystal layer caused by uneven drying when metal organic vapor phase epitaxy is performed.例文帳に追加

有機金属気相成長を行った際の乾燥ムラに起因する結晶層の欠陥が少ない化合物半導体基板を提供する。 - 特許庁

Then, a silicon epitaxial layer is grown by vapor phase epitaxy in the reaction chamber on each of the principal planes of the silicon single crystal substrate.例文帳に追加

その後、反応室内でシリコン単結晶基板の主表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING QUANTUM WELL STRUCTURE, SEMICONDUCTOR LASER, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, AND METHOD OF CONTROLLING MBE (MOLECULAR BEAM EPITAXY) DEVICE例文帳に追加

量子井戸構造、半導体レーザ、化合物半導体層を製造する方法及びＭＢＥ装置の状態を管理する方法 - 特許庁

GROWTH METHOD USING NANOSTRUCTURE COMPLIANT LAYER AND HVPE (HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY) FOR PRODUCING HIGH QUALITY COMPOUND SEMICONDUCTOR MATERIAL例文帳に追加

高品質化合物半導体材料を製造するためのナノ構造適応層及びＨＶＰＥを使用する成長法 - 特許庁

A III-V group nitride element layer is grown up by metal organic vapor phase epitaxy (MOCVD), and all layers become the 4 H-type polytypes.例文帳に追加

引き続き、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）により、III-V族窒化物素子層を成長させ、全ての層が４Ｈ型ポリタイプとなる。 - 特許庁

Consequently, the cost and time spent for the mass production of the current spreading layer by epitaxy can be reduced considerably.例文帳に追加

結果、エピタキシーによる電流広がり層の大量生産にかかるコストおよび時間がかなり低減される。 - 特許庁

In a method of forming the semiconductor layer on a wafer through a molecular beam epitaxy method or a gas source molecular beam epitaxy method, at least two cells, which are installed in face to face with their discharge orifices toward the surface of the wafer where the semiconductor layer is formed, are used at the same time for feeding a single raw material.例文帳に追加

分子線エピタキシー法またはガスソース分子線エピタキシー法によりウエハ上に半導体層を作製する方法において、一つの原料を供給するために、半導体層を作製する面に出射口を向けて設置された少なくとも二つのセルを同時に使用する。 - 特許庁

The light emitting diode elements are formed with a high heat conductive substrate, a non-conductor type protective layer, a metal bonding layer, a mirror plane protective layer, an ohmic contact epitaxy layer, an upper coating layer, an active layer, and a lower coating layer.例文帳に追加

発光ダイオード素子は、高導熱基板と、非導体型保護層と、金属接着層と、鏡面保護層と、オーミックコンタクトエピタキシ層と上被覆層と活性層と下被覆層とを形成してなる。 - 特許庁

An epitaxy structure (200) established on the surface of a substrate (100) includes, from bottom to top, a bottom cladding layer (210), a bottom waveguide layer (220), a light-emitting layer (230), an upper waveguide layer (240), an upper cladding layer (250), and an electrode contact layer (260).例文帳に追加

基板(100)表面に構築されたエピタキシー構造体(200)は、下部クラッド層(210)、下部導光層(220)、発光層(230)、上部導光層(240)、上部クラッド層(250)および電極接触層(260)を含み、これらの層は下から上に積み上げられる。 - 特許庁

In the step S101, a first clad layer, an active layer, and a second clad layer are sequentially grown on a semiconductor substrate by a liquid epitaxy method.例文帳に追加

成長工程Ｓ１０１では，半導体基板上に第１クラッド層と活性層と第２クラッド層とを液相エピタキシ法により順次成長させる。 - 特許庁

Etching is performed from the epitaxy structure through the light-emitting layer by forming a ridge waveguide that has a large reflective index difference between the light-emitting layer and the dielectric passivation layer.例文帳に追加

エッチングはエピタキシー構造体から発光層を貫くように行われ、発光層と誘電性のパッシベーション層の間の大きな反射性傾向の相違を有するリッジ導光路を成形する。 - 特許庁

A first intermediate layer 4 is formed on a base substrate 3 in which a growing base layer 2 of AlN is formed on a sapphire base material 1, and an AlN single crystal layer 7 is further formed by an HVPE (hydride vapor phase epitaxy) process, so as to obtain a stacked body 10.例文帳に追加

サファイア基材１の上にＡｌＮの成長下地層２を形成した下地基板３の上に、第１中間層４を形成したうえで、さらにＡｌＮ単結晶層７をＨＶＰＥ法によって形成し、積層体１０を得る。 - 特許庁

The method for manufacturing the epitaxial wafer, wherein the thickness of the epitaxial layer formed in the surrounding region of a silicon wafer is controlled by controlling a growth speed and/or a growth temperature of the epitaxial layer of which vapor-phase epitaxy is achieved, in the method for manufacturing the epitaxial wafer by supplying a raw material gas onto the silicon wafer to achieve vapor-phase epitaxy of the epitaxial layer.例文帳に追加

シリコンウエーハ上に原料ガスを供給してエピタキシャル層を気相成長させることによりエピタキシャルウエーハを製造する方法において、前記気相成長させるエピタキシャル層の成長速度及び／又は成長温度を制御することにより、前記シリコンウエーハの周辺部に形成されるエピタキシャル層の厚さを制御することを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 - 特許庁

The semiconductor element comprises an epitaxial layer using a solid phase epitaxy process, a first metal layer on the epitaxial layer, a nitride barrier metal on the first metal layer, a second metal layer on the barrier metal and metal silicide formed between the epitaxial layer, and the first metal layer.例文帳に追加

固相エピタキシー工程を用いたエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層上の第１金属層と、前記第１金属層上の窒化物系バリヤメタルと、前記バリヤメタル上の第２金属層と、前記エピタキシャル層と第１金属層との間に形成された金属シリサイドとを含む。 - 特許庁

The semiconductor device including an LDMOSFET comprises a conductive plug extending downward from an upper surface in vicinity of an impurity doped region of a source of the LDMOSFET to vicinity of a silicon substrate through an epitaxy layer with a bottom edge staying in the epitaxy layer, and containing silicon as main composition.例文帳に追加

本願発明は、ＬＤＭＯＳＦＥＴを含む半導体装置であって、ＬＤＭＯＳＦＥＴのソース不純物ドープ領域の近傍の上面から下方に向けてエピタキシ層内をシリコン基板の近傍まで延び、前記エピタキシ層内にその下端があるシリコンを主要な成分とする導電プラグを有する。 - 特許庁

A GaInNAs well layer 45, formed of a first group III-V compound semiconductor comprising nitrogen and arsenic as a group V, is formed on a GaAs buffer semiconductor layer 43 by molecular beam epitaxy.例文帳に追加

ＧａＡｓバッファ半導体層４３上に、Ｖ族として窒素およびヒ素を含む第１のIII−Ｖ化合物半導体からなるＧａＩｎＮＡｓ井戸層４５を分子線エピタキシ法で形成する。 - 特許庁

Then, material gas is introduced inside the growing apparatus to form a nitride aluminum layer on the silicon board as a buffer layer by a metal organic vapor phase epitaxy.例文帳に追加

次に、成長装置内に原料ガスを導入して、シリコン基板上に有機金属気相成長法によりバッファ層として窒化アルミニウム層を形成する。 - 特許庁

A Ga-containing compound semiconductor layer as a light emitting layer is formed on the main surface of compound semiconductor monocrystal substrate 4 by vapor phase epitaxy and the light emitting element is fabricated.例文帳に追加

化合物半導体単結晶基板４の主表面上に、発光層部をなすＧａ含有化合物半導体層を気相成長により形成し、発光素子を製造する。 - 特許庁

Then the substrate temperature is adjusted by means of alternative molecular epitaxy to a temperature suitable for growing II-VI semiconductor and crystalline II-VI semiconductor buffer layer (16) is grown on the III-V buffer layer.例文帳に追加

基板の温度を交互分子線エピタキシーによってＩＩ−ＶＩ半導体成長に適切な温度まで調整し、結晶質ＩＩ−ＶＩ半導体バッファ層（１６）をＩＩＩ−Ｖバッファ層上に成長させる。 - 特許庁

The above configuration is contained at least partially, and a gate insulation layer manufactured with SiH_4 and N_2O as source gases by a microwave plasma vapor phase epitaxy method is in contact with the single-crystal semiconductor layer.例文帳に追加

上記構成を少なくとも一部に有し、マイクロ波プラズマ気相成長法によりＳｉＨ_４とＮ_２Ｏを原料ガスとして作製されたゲート絶縁層が単結晶半導体層と接する構成とする。 - 特許庁

A GaAs cap layer 47, which is formed of a second group III-V compound semiconductor comprising arsenic, is grown by molecular beam epitaxy, after the well layer 45 has been formed.例文帳に追加

井戸層４５を形成した後に、ヒ素を含む第２のIII−Ｖ化合物半導体からなるＧａＡｓキャップ層４７を分子線エピタキシ法で成長する。 - 特許庁

To provide an apparatus for combinatorial molecular layer epitaxy capable of carrying out epitaxial growth for each molecular layer and forming an inorganic superstructure, a metal or an organic superstructure and useful for efficiently searching for a substance in a short time.例文帳に追加

分子層ごとにエピタキシャル成長して無機系超構造、金属や有機系超構造を形成するとともに、短時間で効率的な物質探索をするためのコンビナトリアル分子層エピタキシー装置を提供する。 - 特許庁

To provide a novel method for forming a thin layer of single crystal on an amorphous base layer by the micro-channel epitaxy technique based on the vapor growth method.例文帳に追加

気相成長法を用いたマイクロチャネルエピタキシー技術によって、非晶質膜上に単結晶薄膜を形成する新たな方法を提供する。 - 特許庁

To reduce ionized impurity density of a p-type CdTe thick film layer made into a radiation absorption layer in a radiation detector formed by metal organic vapor phase epitaxy.例文帳に追加

有機金属気相成長法により作成する放射線検出器において、放射線吸収層とするｐ型CdTe厚膜層のイオン化不純物密度を低減することを提供する。 - 特許庁

To provide a processing method of an optical device wafer capable of smoothly transferring an optical device layer to a transfer substrate without damaging the optical device layer laminated on a surface of an epitaxy substrate which constitutes the optical device wafer.例文帳に追加

光デバイスウエーハを構成するエピタキシー基板の表面に積層された光デバイス層に損傷を与えることなく光デバイス層を移設基板に円滑に移し変える。 - 特許庁

Then, an n-type germanium-based crystal layer 20A of conductivity type opposite to that of the silicon layer 10B, and a p-type germanium-based crystal layer 20B of conductivity type opposite to that of the germanium-based crystal layer 20A are successively subjected to vapor phase epitaxy to provide a germanium-based crystal 20.例文帳に追加

続いて、シリコン層１０Ｂと反対の導電型のｎ型のゲルマニウム系結晶層２０Ａ、および、ゲルマニウム系結晶層２０Ａと反対の導電型のｐ型のゲルマニウム系結晶層２０Ｂを順次気相成長してゲルマニウム系結晶２０を設ける。 - 特許庁

An edge emitting laser with circular beam is disclosed using a low carrier-mobility diluted nitride semiconductor material for an epitaxy light-emitting layer.例文帳に追加

本発明にかかる円形ビームエッジ放射レーザーは、そのエピタキシー発光層が希薄な窒化物を含む低キャリア移動度の半導体材料を使用して形成される。 - 特許庁

On the major surface of the monitor M, a silicon epitaxial layer is formed by vapor phase epitaxy along with a silicon single crystal wafer W for product.例文帳に追加

モニターＭの主表面に、製品用のシリコン単結晶ウェーハＷとともに気相成長を施してシリコンエピタキシャル層を形成する。 - 特許庁