face down bondingとは 意味・読み方・使い方

The semiconductor device is formed by face down mounting a semiconductor element 2 on an interposer 1 and flip-chip bonding the semiconductor element 2.例文帳に追加

インターポーザー１上に半導体素子２をフェースダウンで配置すると共にフリップチップ接合して搭載した半導体装置に関する。 - 特許庁

The COF tape packages a semiconductor chip by face down bonding.例文帳に追加

本発明に係るＣＯＦ用テープは、半導体チップをフェイスダウンボンディングによって実装するものである。 - 特許庁

A second semiconductor chip 2 is mounted on an upper surface 27 of the substrate 12 by face down bonding covering the opening 14.例文帳に追加

基板１２の上面２７には、開口１４を覆って第２の半導体チップ２がフェースダウンボンディングにより搭載してある。 - 特許庁

To prevent generation of damage or crack at the rear surface (second main surface) of a semiconductor substrate when the face-down mounting is executed with an ultrasonic bonding process.例文帳に追加

超音波ボンデングによりフエイスダウン実装をする際、半導体基板の裏面（第二の主面）に傷又は欠けが発生することを防ぐ。 - 特許庁

To provide a surface mount oscillator with enhanced frequency precision where the face-down bonding of an IC chip is facilitated and to provide its manufacture.例文帳に追加

ＩＣチップのフェースダウンボンディングを容易にし、周波数精度を高めた表面実装用発振器及びその製造方法。 - 特許庁

A plurality of chips 2 are disposed on an interposer 3 in a face-down way, and these chips are bonded by the flip-chip bonding method.例文帳に追加

インターポーザ３上に複数のチップ２をフェースダウンで配置してフリップチップボンディングする。 - 特許庁

Light, emitted from a plurality of face-down bonding light- emitting diodes 16 arrayed on a concave face 14, is converged on a focusing position P of the concave face 14, to form a high light-intensity point light source P.例文帳に追加

凹面１６上に複数配列したフェースダウンボンディング型発光ダイオード１６の発光が、凹面１６の焦点位Ｐに収束し、高光強度の点光源Ｐを形成する。 - 特許庁

In the flip-chip semiconductor element, a conductor is bonded on a bonding pad on the surface of a semiconductor chip for face-down bonding the chips on the substrate.例文帳に追加

半導体チップ表面のボンディングパッドに、該チップを基板にフェースダウンボンディングするための導体が導電性エラストマーにより接着されていることを特徴とするフリップチップ型半導体素子。 - 特許庁