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ferroelectric thin filmsとは 意味・読み方・使い方
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「ferroelectric thin films」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 24件
This device has a configuration combining a polarization transfer section in which ferroelectric thin films are sandwiched by a plurality of electrodes to transfer a polarization signal in the ferroelectric thin films, and a polarization detecting section consisting of a field effect transistor having ferroelectric thin films in a gate section, and continuously unifying the ferroelectric thin films.例文帳に追加
したがって、不揮発性メモリとして集積度を高める際には強誘電体薄膜も小さな形状に裁断されることとなり、その結果、充分な特性や信頼性が得られず、微細化、高集積化には限界が生ずるという課題があった。 - 特許庁
A memory cell group in a ferroelectric memory employs a polarization transfer device structure having a configuration in which the ferroelectric thin films are sandwiched by a plurality of electrodes and the ferroelectric thin films are continuously unified to transfer a polarization signal in the ferroelectric thin films.例文帳に追加
したがって、不揮発性メモリとして集積度を高める際には強誘電体薄膜も小さな形状に裁断されることとなり、その結果、充分な特性や信頼性が得られず、微細化、高集積化には限界が生ずるという課題があった。 - 特許庁
This array has a configuration integrating a polarization transfer device in which ferroelectric thin films are sandwiched by a plurality of electrodes to transfer a polarization signal in the ferroelectric thin films, and continuously unifying the ferroelectric thin films.例文帳に追加
したがって、不揮発性メモリとして集積度を高める際には強誘電体薄膜も小さな形状に裁断されることとなり、その結果、充分な特性や信頼性が得られず、微細化、高集積化には限界が生ずるという課題があった。 - 特許庁
At least one ferroelectric thin films 2 are formed on a substrate 1 having an electro-optic effect and the spontaneous polarization electric field of the ferroelectric thin films 2 acts on the substrate 1 to change the refractive index of the substrate 1 by the electro-optic effect.例文帳に追加
電気光学効果を有する基板上に、少なくとも一つの強誘電体薄膜が形成されており、強誘電体薄膜の自発分極電場が基板に作用して基板の屈折率が電気光学効果により変化する。 - 特許庁
A memory cell group in a ferroelectric memory employs a polarization transfer device having a configuration in which ferroelectric thin films are continuously unified and are sandwiched by a plurality of electrodes to transfer a polarization signal in the ferroelectric thin films, and a polarization transfer direction selecting device for selecting a transfer direction.例文帳に追加
したがって、不揮発性メモリとして集積度を高める際には強誘電体薄膜も小さな形状に裁断されることとなり、その結果、充分な特性や信頼性が得られず、微細化、高集積化には限界が生ずるという課題があった。 - 特許庁
The ferroelectric thin film having the fixed orientation can be obtained by joining with the conductive layer without forming a different layer or a change layer between these thin films.例文帳に追加
異層や変化層を介さずに導電層と接合して、一定の配向を有する強誘電体薄膜が得られる。 - 特許庁
By going through a surface polishing process under appropriate process conditions, thin and thick ferroelectric thin films can be embodied, thus substantially improving deterioration of the ferroelectric thin film.例文帳に追加
適切な工程条件下で表面研磨工程を適用して薄い厚いを有する強誘電体薄膜を具現することができ、強誘電体薄膜の劣化を顕著に改善することができる。 - 特許庁
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「ferroelectric thin films」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 24件
To provide a composition for forming a ferroelectric thin film suitable a high-capacitance density thin film capacitor, which can more largely improve the relative dielectric constant than conventional ferroelectric thin films, by a simple means.例文帳に追加
簡便な手法で、従来の強誘電体薄膜よりも大幅に比誘電率を向上し得る、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した形成用組成物等を提供する。 - 特許庁
The normal temperature magnetic ferroelectric superlattice is constituted by layering at least two kinds of ferroelectric oxide thin films on a substrate, wherein the oxide thin film of each layer is composed of an odd number of atomic layers.例文帳に追加
基板上に、少なくとも２種類の強誘電性酸化物薄膜が積層されてなり、各層の前記酸化物薄膜が奇数枚の原子層からなる常温磁性強誘電性超格子とする。 - 特許庁
The spontaneous polarization electric field of the ferroelectric thin films 2 acts on the adjacent substrate and the refractive index of the substrate is changed by the electro-optic effect.例文帳に追加
強誘電体薄膜の自発分極電場が隣接する基板に作用して、電気光学効果により基板の屈折率が変化する。 - 特許庁
To provide a concentrated application liquid having a high concentration which does not deteriorate electrical properties of BLT ferroelectric thin films.例文帳に追加
ＢＬＴ系強誘電体薄膜の電気的特性を劣化させることのない高濃度の濃縮塗布液を提供すること。 - 特許庁
Since the spontaneous polarization of the ferroelectric thin films 2 remains, the refractive index change persists and the optical switch having the memory characteristic may be obtained.例文帳に追加
強誘電体薄膜の自発分極は残留するので、屈折率変化が持続し、メモリー性を有する光スイッチが得られる。 - 特許庁
Junction between a conductive thin film and a ferroelectric thin film is formed without substantially forming an electro-chemical different layer between these thin films, by individually supplying precursors of respective constitutional elements of the ferroelectric thin film under an MOCVD reaction environment, and providing the supply start time of these precursors with suitable time differences to hold fixed crystal azimuth relation between the conductive thin film and the ferroelectric thin film.例文帳に追加
強誘電体薄膜の各構成元素の前駆体をＭＯＣＶＤ反応環境下に個別に供給し、前駆体の供給開始時間に適正な時間差を与えることにより、実質的に電気化学的な異層を介すことなく導電性薄膜と強誘電体薄膜の接合を形成し、導電性薄膜と強誘電体薄膜に一定の結晶方位関係を持たせる。 - 特許庁
To provide a safe and simple remover composition having excellent performance to remove photoresist residue after dry etching of a ferroelectric thin film in a step for manufacturing a ferroelectric memory and having no corrosive action on ferroelectric materials, other wiring materials, insulating films, etc.例文帳に追加
強誘電体メモリ−の製造工程において、強誘電体薄膜のドライエッチング後のフォトレジスト残渣に対し、その除去性に優れ、かつ強誘電体材料や他の配線材料、絶縁膜等への、腐食性がなく、安全で簡便な剥離剤組成物を提供すること。 - 特許庁
To provide a thin ferroelectric films which is capable of controlling preferential crystal orientation even with relatively thick films of ≥1 μm in film thickness with a simple process.例文帳に追加
簡便なプロセスで、膜厚が１μｍ以上の比較的厚い膜でも優先的な結晶配向を制御可能な強誘電体薄膜を得られるようにする。 - 特許庁
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