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first word addressとは 意味・読み方・使い方
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「first word address」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 27件
The address control part selects a first word line of the plurality of word lines and the first dummy word line according to a first address and selects a second word line of the plurality of word lines and the second dummy word line.例文帳に追加
アドレス制御部は、第1アドレスに従って複数のワード線のうちの第1ワード線と第1ダミーワード線とを選択し、第2アドレスに従って複数のワード線のうちの第2ワード線と第2ダミーワード線とを選択する。 - 特許庁
The address control part 21 selects a first redundant word line 8-1' from among the redundant word lines 8-1' to 8-m' connected to redundant memory cells 25;M11'-Mmn', in place of the first word line 8-1, in accordance with the first address and the first address change instruction.例文帳に追加
アドレス制御部21は、第1アドレスと第1アドレス変更指示とに従って、第1ワード線8−1に代えて、冗長メモリセル25;M11’〜Mmn’に接続された冗長ワード線8−1’〜8−m’のうちの第1冗長ワード線8−1’を選択する。 - 特許庁
The first decoder activates word lines in the unit of memory cell group on the basis of a first address and the n pieces of bits within a second address.例文帳に追加
第1デコーダは、第1アドレスと第2アドレス内のn個のビットとに基づいてメモリセルグループの単位でワード線を活性化する。 - 特許庁
An address control part 21 selects a first word line 8-1 from among the word lines 8-1 to 8-m connected to memory cells 24;M11-Mmn, in accordance with a first address.例文帳に追加
アドレス制御部21は、第1アドレスに従って、メモリセル24;M11〜Mmnに接続されたワード線8−1〜8−mのうちの第1ワード線8−1を選択する。 - 特許庁
In the semiconductor device, in a test operation mode, a row address that indicates the location of a first word line is fetched from a row address buffer section 12d.例文帳に追加
テスト動作モードにおいて、ロウアドレスバッファ部12dにより、第1のワード線の位置を示すロウアドレスを取り込む。 - 特許庁
Among respective dither thresholds continuous in a main scanning direction of a dither matrix, dither thresholds for one word are written into a first address of an SRAM and dither thresholds exceeding one word are written into a second address.例文帳に追加
ディザマトリクスの主走査方向に連続する各ディザ閾値のうち、1ワード分のディザ閾値をSRAMの第1のアドレスに書き込み、1ワードを超えるディザ閾値を第2のアドレスに書き込む。 - 特許庁
The row decoding section decodes a row address in response to a first clock to activate one of word lines corresponding to the decoded row address.例文帳に追加
ローデコーディング部は、第1クロックに応答してローアドレスをデコーディングして前記デコーディングされたローアドレスに対応するワードラインを活性化させる。 - 特許庁
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「first word address」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 27件
By activating the word lines in the unit of memory cell group on the basis of not only the first address but also part of the second address which activates the bit lines, the number of word lines activated for accessing can be made the minimum at all times.例文帳に追加
第1アドレスだけでなく、ビット線を活性化する第2アドレスの一部に基づいて、メモリセルグループの単位でワード線を活性化することで、アクセスするために活性化されるワード線の数を常に最小限にできる。 - 特許庁
An address allocation to a plurality of word lines WL0-WL7 in the first NAND block BK1 is inverted against an address allocation to the plurality of word lines WL0-WL7 in the third NAND block BK3.例文帳に追加
第1NANDブロックBK1内の複数本のワード線WL0,…WL7に対するアドレス割付は、第3NANDブロックBK3内の複数本のワード線WL0,…WL7に対するアドレス割付に対して反転関係にある。 - 特許庁
On the opposite side of the address signal line region RA of the first word line driver region WD1, a memory cell array CA is arranged.例文帳に追加
また、第1のワード線ドライバ領域WD1のアドレス信号線領域RAとは反対側にメモリセルアレイCAが配置されている。 - 特許庁
A first word decoder outputs a low level voltage or a high level voltage according to a first address signal in an active period, and outputs the high level voltage in a standby period.例文帳に追加
第1ワードデコーダは、アクティブ期間に、第1アドレス信号に応じて低レベル電圧または高レベル電圧を出力するとともに、スタンバイ期間に高レベル電圧を出力する。 - 特許庁
And the core side decoder driver and the reference side decoder driver drive a core side word line and a reference side word line to power source voltage at the first time after variation of input address, further, they drive a core side word line and a reference side word line to a boosted voltage level being higher than power source voltage at the second time the prescribed time after the first time.例文帳に追加
そして,コア側デコーダ・ドライバとレファレンス側デコーダ・ドライバが,入力アドレスの変化後の第1の時間に,コア側ワード線とレファレンス側ワード線とを電源電圧まで駆動し,更に,第1の時間後所定時間後の第2の時間に,コア側ワード線とレファレンス側ワード線とを電源電圧より高い昇圧レベルまで駆動する。 - 特許庁
In this semiconductor memory device, a first word line driver region WD1 at one side, and a second word line driver region WD2 at the other side are arranged sandwiching an address signal line region RA.例文帳に追加
本実施の形態の半導体記憶装置は、アドレス信号線領域RAを挟んで、一方の側に第1のワード線ドライバ領域WD1が、他方の側に第2のワード線ドライバ領域WD2が配置されている。 - 特許庁
A combination of the first and second conductive paths in the connected condition and the non-connected condition gives the bit condition of a standard signature word, and gives an address data to a memory construct and generates a consequential signature word.例文帳に追加
結合状態及び非結合状態にある第一及び第二導電性経路の組合わせが基準シグナチャワードのビット状態を与え、メモリ構成体へのアドレスデータを与え且つ結果的シグナチャワードを発生する。 - 特許庁
When operation cycles using an address including the same row address are continued, the word line activation control section holds a word line activated in a first cycle out of continued cycles in an activated state until the last cycle out of continued cycles without non-activating.例文帳に追加
ワード線活性化制御部は、同じ行アドレスを含むアドレスを用いるオペレーションサイクルが連続する場合に、連続するサイクルのうちの最初のサイクルにおいて活性化されたワード線を、非活性化することなく連続するサイクルのうちの最終のサイクルまで活性化した状態で保持する。 - 特許庁
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