free electron gasとは 意味・読み方・使い方

Furthermore, an electron average free distance of the low-pressure gas layer makes at least sufficient electrons directly collide with the fluorescent layer under operating voltage.例文帳に追加

更に、低圧ガス層の電子平均自由行程は、動作電圧下で、少なくとも十分な電子が蛍光層に直接衝突することを可能にする。 - 特許庁

Furthermore, an electron mean free path of the low-pressure gas layer at least enables sufficient electrons to directly collide with the phosphor layer under an operating voltage.例文帳に追加

更に、低圧ガス層の電子平均自由行程は、動作電圧下で、少なくとも十分な電子が蛍光層に直接衝突することを可能にする。 - 特許庁

The low-pressure gas has an electron mean free path that allows at least an ample amount of electrons to directly impinge the fluorescent layer under the operating voltage.例文帳に追加

低圧ガスは、動作電圧下で少なくとも十分な量の電子が蛍光層に直接衝突することを可能にする電子平均自由行程を有する。 - 特許庁

Hydrogen gas 18 is allowed to flow into a vessel 16 covered with a catalyst metal heated to 300-600°C, so that it is converted into hydrogen radicals and further is allowed to pass into the vessel 16 comprising a metal surface which is applied with free electron, so that it is converted into hydrogen negative ions.例文帳に追加

水素ガス１８を、３００から６００℃に加熱された触媒金属に覆われた容器１６の中を流して水素ラジカルに変え、更に自由電子を供給できる金属表面を持つ容器１６の中を通すことによって水素負イオンに変える。 - 特許庁

In this method of stripping a resist material, atomic oxidizing species or radicals are generated by supplying photon energy, ion energy, or electron energy to a gas mixture containing noble gas(es) and oxidizing gas(es), and thereby the resist components are oxidized to form volatile components, which are then removed to form resist-free surface.例文帳に追加

このレジスト剥離方法により、希ガスと酸化性ガスを含むガス混合物に光子エネルギー又はイオンエネルギー又は電子エネルギーを供給して原子状酸化性種かラジカルを生成し、次いでレジスト成分を酸化して揮発性成分を生成し、これらを除去することによりレジストのない表面を形成することが可能になる。 - 特許庁

The light source device comprises a cathode structure, an anode structure, a fluorescent layer disposed between the cathode structure and the anode structure, and a low-pressure gas layer filled between the cathode and anode structures and having an electroconductive function, wherein the low-pressure gas layer has a mean free electron path capable of causing at least sufficient quantities of electrons to directly hit the fluorescent layer at the operating voltage.例文帳に追加

カソード構造と、アノード構造と、前記カソード構造と前記アノード構造との間に配置された蛍光層と、前記カソード構造と前記アノード構造との間に充填され、導電の機能を有する低圧ガス層とを備え、前記低圧ガス層は、作動電圧の下で少なくとも十分な量の電子を前記蛍光層に直接的に衝突させる電子平均自由行程を備えている。 - 特許庁