ge thinとは 意味・読み方・使い方

A Ge thin film is formed on an Si (100) substrate 1 and heat treated to form a solid phase mixed layer 12 including Si and Ge.例文帳に追加

Ｓｉ（１００）基板１上にＧｅ薄膜を形成し、熱処理を施して、ＳｉとＧｅとを含有する固相混合層１２を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a Ge-Mn magnetic semiconductor thin film by which the Ge-Mn magnetic semiconductor thin film made of ferromagnetic semiconductor substance with high Curie temperature can be manufactured.例文帳に追加

キュリー温度が高い強磁性半導体物質であるＧｅ−Ｍｎ磁性半導体薄膜を製造することを可能としたＧｅ−Ｍｎ磁性半導体薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for obtaining a Ge crystal thin film of sufficient crystal quality, by applying thermal annealing to Ge crystals, even when a portion of low thermal resistance such as a silicon device is provided in a Si substrate.例文帳に追加

シリコンデバイス等耐熱性の低い部位がＳｉ基板に設けられた場合でも、Ｇｅ結晶に熱アニールを施し、十分な結晶品質のＧｅ結晶薄膜を得る。 - 特許庁

As the soft magnetic thin band, the one expressed by compositional formula: Fe_100-x-yCu_xX_y (wherein, X denotes one or more kinds of elements selected from B, Si, S, C, P, Al, Ge, Ga and Be and, by atom%, 0≤x≤5 and 10≤y≤24 are satisfied) is preferably used.例文帳に追加

軟磁性薄帯は、組成式：Ｆｅ_100-ｘ-ｙCu_ｘX_ｙ（但し、XはB,Si，S，C，P，Al，Ge，Ga，Beから選ばれた少なくとも一種以上の元素）で表され、原子%で、0≦ｘ≦5、10≦ｙ≦24により表されるものが好ましい。 - 特許庁

A thin porous oxide layer between the polycrystalline Ge and Si layers enhances the isotropy of the SiGe junction.例文帳に追加

多結晶Ｇｅ層と多結晶Ｓｉ層との間の薄い多孔性酸化物層により、ＳｉＧｅ接合の等方性が強化される。 - 特許庁

A thin film transistor device can materialize high mobility TFT by introducing Ge into the polycrystalline Si film, and varying Ge composition ratio between a crystal grain 7 and a crystal grain boundary 8 by the phase separation accompanying the crystallization thereby suppressing the carrier scattering factors at the crystal grain boundary 8, and besides by suppressing the surface irregularity, making use of the volume difference of the crystals.例文帳に追加

薄膜トランジスタ装置は、多結晶Si薄膜中にGeを導入し結晶化に伴う相分離で結晶粒内７と結晶粒界８との間にGe組成比を異ならせることで、結晶粒界８におけるキャリア散乱要因を抑制し、かつ結晶の体積差を利用して表面凹凸を抑制することにより高移動度ＴＦＴを実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor structure which has a high-quality Ge epitaxial layer using a thin buffer layer, and to provide its growing method.例文帳に追加

薄いバッファ層を採用した高品質のＧｅエピタキシャル層を有する半導体構造およびその成長方法を提供する。 - 特許庁

According to the present invention, a thin film containing Ge and a thin film containing Sb are formed into a superlattice structure to solve the problem, and the number of times of repetitive recording and erasure are set to 10^15.例文帳に追加

本願発明は、Ｇｅを含む薄膜とＳｂを含む薄膜を超格子構造で作成し、上記課題を解決し、繰り返し記録消去回数を１０^１５回とした。 - 特許庁