有機バリウム化合物および有機ハフニウム化合物のバリウム原子およびハフニウム原子に換算した各含有量は、ともに導電性粉末１．００モルに対して０．０５〜１．００モルとし、有機ハフニウム化合物のハフニウム原子に換算した含有量は、有機バリウム化合物のバリウム原子に換算した１．００モルに対して０．９８〜１．０２モルする。 - 特許庁

This catalyst includes a metallic element represented by formula (1c) (M is zirconium or hafnium, and X is a halogen atom) and an organic aluminum compound.例文帳に追加

一般式（１ｃ）（Mはジルコニウム又はハフニウム、Ｘはハロゲン原子を示す。）と有機アルミニウム化合物を含有する触媒。 - 特許庁

The coating film (24) has an average aluminum content of 14 to 30 atom% and an average platinum-group metal content of at least 1 to less than 10 atom%, the balance of the coating (24) being nickel, incidental impurities, and optionally hafnium.例文帳に追加

本皮膜（２４）は、１４〜３０原子％の平均アルミニウム含有量と、少なくとも１〜１０未満の原子％の平均白金族金属含有量とを有し、本皮膜（２４）の残部は、ニッケルと、随伴不純物と、随意的にハフニウムとである。 - 特許庁

The manufacturing method for obtaining the ansa-metallocene derivative represented by general formula (1) comprises using a composite of an ether or an amine, capable of forming a composite with a titanium, zirconium or hafnium atom, with a halide of titanium, zirconium or hafnium.例文帳に追加

本発明の製造方法は、下記一般式（１）で示される、アンサ−メタロセン誘導体の製造方法であって、チタン、ジルコニウム又はハフニウム原子と複合体を形成し得るエーテル類又はアミン類と、チタン、ジルコニウム又はハフニウムのハロゲン化物との複合体を用いることを特徴とする。 - 特許庁

例文

The coating film (24) has an average aluminum content of 14 to 30 atom% and an average platinum-group metal content of at least 1 to less than 10 atom%, the balance of the coating (24) being nickel, one or more of chromium, silicon, tantalum, and cobalt, optionally one or more of hafnium, yttrium, zirconium, lanthanum, and cerium, and incidental impurities.例文帳に追加

本皮膜（２４）は、１４〜３０原子％の平均アルミニウム含有量と、少なくとも１〜１０未満の原子％の平均白金族金属含有量とを有し、本皮膜（２４）の残部は、ニッケルと、クロム、シリコン、タンタル及びコバルトの１つ又はそれ以上と、随意的にハフニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン及びセリウムの１つ又はそれ以上と、随伴不純物とである。 - 特許庁

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「hafnium atom」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 10件

例文

The organometal complex compound is obtained by reacting a β-diketone compound having an organic group having a photopolymerizable carbon-carbon unsaturated bond with a transition metal alkoxide compound having an atom of one transition metal selected from the group consisting of titanium, zirconium, hafnium, niobium, tantalum and tungsten, in such a proportion that the equivalent ratio of a β-diketone structure of the β-diketone compound to the atom of a transition metal is ≥2.例文帳に追加

光重合性の炭素-炭素不飽和結合を有する有機基を有するβ-ジケトン化合物と、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタルおよびタングステンからなる群より選択されるいずれか１つの遷移金属の原子を有する遷移金属アルコキシド化合物とを、上記遷移金属の原子に対する上記β−ジケトン化合物のβ-ジケトン構造の当量比が２以上となる割合で反応させて得られる有機金属錯体化合物。 - 特許庁

The cobalt-iron alloy sputtering target material is produced by a melt casting method, and composed of cobalt, iron and an additional metal (s), wherein the cobalt is contained in amount containing the increased leakage flux (PTF), and the additional metal is contained in amount of 8-20 atom% and includes at least one metal selected from tantalum, zirconium, niobium, hafnium, aluminum and chromium.例文帳に追加

本発明のコバルト鉄合金スパッタリングターゲット材は溶解鋳造法によって製造され、コバルト、鉄、及び添加金属からなるものにおいて、このコバルト鉄合金スパッタリングターゲット材においてコバルトは増加された漏洩磁束（ＰＴＦ）の含有量があり、添加金属は８〜２０ａｔ％であり、この添加金属はタンタラム、ジルコニウム、ニオビウム、ハフニウム、アルミニウム、及びクロミウムの金属の少なくとも１つを含む。 - 特許庁

例文

The semiconductor device has a MIS type field effect transistor having a silicon substrate (1), an insulation film (6) formed on the silicon substrate containing at least one of nitrogen and oxygen, and silicon, a metallic acid nitride film (7) formed on the insulation film containing at least one kind of a metallic atom of zirconium and hafnium, and a gate electrode (8) formed on the metallic acid nitride film.例文帳に追加

シリコン基板（１）と、前記シリコン基板上に形成され、窒素および酸素の少なくとも１種とシリコンとを含有する絶縁膜（６）と、前記絶縁膜上に形成され、ジルコニウムおよびハフニウムの少なくとも１種の金属原子を含む金属酸窒化膜（７）と、前記金属酸窒化膜上に形成されたゲート電極（８）とを具備するＭＩＳ型電界効果トランジスタを備える半導体装置である。 - 特許庁

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