hafnium carbideとは 意味・読み方・使い方

In this way, only ionized hafnium particles having a high charge mass ratio and high activity reach the substrate, so that the hafnium particles and an organic gas are reacted even without heating the substrate, and a thin film of hafnium carbide is deposited.例文帳に追加

このように、本発明によれば、電荷質量比の大きい、活性の高いイオン化されたハフニウム粒子のみが基板に到達するので、基板を加熱しなくてもハフニウム粒子と有機ガスとが反応し、炭化ハフニウムの薄膜が形成される。 - 特許庁

The substrate 1 for forming a group III nitride semiconductor substrate comprises a base substrate 11, a nitrided layer 12 of a carbide layer selected from aluminum carbide, titanium carbide, zirconium carbide, hafnium carbide and vanadium carbide on the base substrate 11, and a group III nitride semiconductor film 13 provided on the nitrided carbide layer 12.例文帳に追加

III族窒化物半導体基板形成用基板１は、下地基板１１と、この下地基板１１上に設けられ、炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタルから選択される炭化物層を窒化した層１２と、炭化物層を窒化した層１２上に設けられたIII族窒化物半導体膜１３とを備える。 - 特許庁

Boron carbide 7 fills the neutron absorber packing hole 4, while hafnium 8 is filled within the neutron absorber packing hole 5.例文帳に追加

炭化ホウ素７が中性子吸収材充填孔４内に充填され、ハフニウム７が中性子吸収材充填孔５内に充填される。 - 特許庁

The production method of the group III nitride semiconductor layer includes steps of: forming a carbide layer 11 selected from titanium carbide, zirconium carbide, hafnium carbide, vanadium carbide and tantalum carbide on a base substrate 10; growing a group III nitride semiconductor layer 12 above the carbide layer 11; and removing the base substrate 10 by inducing cracks in the group III nitride semiconductor layer 12 to obtain the group III nitride semiconductor layer.例文帳に追加

III族窒化物半導体層の製造方法は、下地基板１０上に、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタルから選択されるいずれかの炭化物層１１を形成する工程と、炭化物層１１の上部にIII族窒化物半導体層１２を成長させる工程と、III族窒化物半導体層１２中で亀裂を生じさせて、前記下地基板１０を除去し、III族窒化物半導体層を得る工程とを含む - 特許庁

To provide a manufacturing method for a plasma electrode capable of enhancing a life of a cathode chip composed of HfC (hafnium carbide), and to provide the plasma electrode.例文帳に追加

ＨｆＣ（炭化ハフニウム）からなる陰極チップの寿命の向上を図ることができるプラズマ電極の製造方法及びプラズマ電極を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a hafnium carbide sintered compact which can reduce a production cost when a sintered compact is produced using a discharge sintering apparatus.例文帳に追加

焼結体を放電焼結装置を用いて製造する際に、製造コストを低減することができる炭化ハフニウム焼結体の製造方法を提供する。 - 特許庁

This electron emission source 20 is formed into an acute shape, and a hafnium carbide thin film 22 is formed on an electron emission part 23 formed of the tip of the source.例文帳に追加

本発明の電子放出源２０は尖形にされており、その先端部分からなる電子放出部２３に炭化ハフニウム薄膜２２が形成されている。 - 特許庁

To solve the problem that the risk of irradiation assisted stress corrosion cracking (IASCC) becomes higher with long-term irradiation because conventional reactor control rods made of hafnium have stainless sheathes though hafnium as a neutron absorbing member has longer life than boron carbide.例文帳に追加

中性子吸収部材としてのハフニウムはボロンカーバイドよりも長寿命だが、従来のハフニウム製の原子炉制御棒はステンレス製のシースを有しており、長期間の照射に伴ってＩＡＳＣＣのリスクが高くなる。 - 特許庁