inganとは 意味・読み方・使い方

The active layer 17 includes an InGaN well layer 21.例文帳に追加

活性層１７は、ＩｎＧａＮ井戸層２１を含む。 - 特許庁

The active layer 17 includes an InGaN region 18.例文帳に追加

活性層１７はＩｎＧａＮ領域１８を含む。 - 特許庁

The semiconductor epitaxial layer 19 is composed of InGaN.例文帳に追加

半導体エピタキシャル層１９は、ＩｎＧａＮからなる。 - 特許庁

The interfacial reaction between the ZnO single crystal substrate 11 and the InGaN semiconductor layer 13 can be suppressed to allow high-temperature growth and heat treatment of the InGaN semiconductor layer 13.例文帳に追加

ZnO単結晶基板１１とInGaN半導体層１３との間での界面反応を抑制できるので、InGaN半導体層１３の高温での成長や熱処理が可能になる。 - 特許庁

The thickness D_13 of the semiconductor region 13 is larger than a thickness D_InGaN of the InGaN layer 15, and the thickness D_InGaN of the InGaN layer 15 is 150 nm or more.例文帳に追加

半導体領域１３の厚さＤ_１３はＩｎＧａＮ層１７の厚さＤ_ＩｎＧａＮより大きく、ＩｎＧａＮ層１５の厚さＤ_ＩｎＧａＮは１５０ｎｍ以上を有する。 - 特許庁

A well layer 23a of the active layer 17 includes InGaN.例文帳に追加

活性層１７の井戸層２３ａはＩｎＧａＮからなる。 - 特許庁

A well layer 23a in the active layer 17 is composed of InGaN.例文帳に追加

活性層１７の井戸層２３ａはＩｎＧａＮからなる。 - 特許庁

The oxide interfacial layer 12 is formed between the substrate 11 of the oxide and the InGaN semiconductor layer 13 of the nitride.例文帳に追加

酸化物界面層１２は、酸化物である基板１１と、窒化物であるInGaN半導体層１３との間に形成されている。 - 特許庁