inganとは 意味・読み方・使い方

InGaN LIGHT-EMITTING DIODE例文帳に追加

ＩｎＧａＮ系発光ダイオード - 特許庁

This improves the crystal quality of the InGaN semiconductor layer 13.例文帳に追加

これにより、InGaN半導体層１３の結晶品質が向上する。 - 特許庁

InGaN LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE例文帳に追加

ＩｎＧａＮ発光ダイオード構造 - 特許庁

The interfacial reaction between the ZnO single crystal substrate 11 and the InGaN semiconductor layer 13 can be suppressed to allow high-temperature growth and heat treatment of the InGaN semiconductor layer 13.例文帳に追加

ZnO単結晶基板１１とInGaN半導体層１３との間での界面反応を抑制できるので、InGaN半導体層１３の高温での成長や熱処理が可能になる。 - 特許庁

The substrate 11 may be an InGaN template or an InGaN bulk substrate.例文帳に追加

基板１１は、ＩｎＧａＮテンプレートまたはＩｎＧａＮバルク基板であることができる。 - 特許庁

The active layer 15 made from InGaN is made into a thick film having a film thickness of 4 nm to critical film thickness.例文帳に追加

InGaNからなる活性層１５を、4nm以上臨界膜厚以下の膜厚に厚膜化した。 - 特許庁

Since the oxide interfacial layer 12 which is thermally stable and has an even thin thickness is interposed on the interface between the oxide single crystal substrate 11 and the InGaN semiconductor layer 13, the InGaN semiconductor layer 13 can be formed at a high temperature on the oxide single crystal substrate 11, and thus the InGaN semiconductor layer of a high quality can be obtained.例文帳に追加

酸化物単結晶基板１１とInGaN半導体層１３界面に熱的に安定で薄くて均一な酸化物界面層１２を形成することにより、酸化物単結晶基板１１上に高温でInGaN半導体層１３を形成することができ、高品質のInGaN半導体層が得られる。 - 特許庁