「ingan」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The active layer 15 made from InGaN is made into a thick film having a film thickness of 4 nm to critical film thickness.例文帳に追加

InGaNからなる活性層１５を、4nm以上臨界膜厚以下の膜厚に厚膜化した。 - 特許庁

The semiconductor region 19 includes an InGaN layer 24.例文帳に追加

半導体領域１９はＩｎＧａＮ層２４を含む。 - 特許庁

The active layer 17 includes an InGaN well layer 21.例文帳に追加

活性層１７は、ＩｎＧａＮ井戸層２１を含む。 - 特許庁

The active layer 17 includes an InGaN region 18.例文帳に追加

活性層１７はＩｎＧａＮ領域１８を含む。 - 特許庁

The semiconductor epitaxial layer 19 is composed of InGaN.例文帳に追加

半導体エピタキシャル層１９は、ＩｎＧａＮからなる。 - 特許庁

The interfacial reaction between the ZnO single crystal substrate 11 and the InGaN semiconductor layer 13 can be suppressed to allow high-temperature growth and heat treatment of the InGaN semiconductor layer 13.例文帳に追加

ZnO単結晶基板１１とInGaN半導体層１３との間での界面反応を抑制できるので、InGaN半導体層１３の高温での成長や熱処理が可能になる。 - 特許庁

The thickness D_13 of the semiconductor region 13 is larger than a thickness D_InGaN of the InGaN layer 15, and the thickness D_InGaN of the InGaN layer 15 is 150 nm or more.例文帳に追加

半導体領域１３の厚さＤ_１３はＩｎＧａＮ層１７の厚さＤ_ＩｎＧａＮより大きく、ＩｎＧａＮ層１５の厚さＤ_ＩｎＧａＮは１５０ｎｍ以上を有する。 - 特許庁

A well layer 23a of the active layer 17 includes InGaN.例文帳に追加

活性層１７の井戸層２３ａはＩｎＧａＮからなる。 - 特許庁

A well layer 23a in the active layer 17 is composed of InGaN.例文帳に追加

活性層１７の井戸層２３ａはＩｎＧａＮからなる。 - 特許庁

The oxide interfacial layer 12 is formed between the substrate 11 of the oxide and the InGaN semiconductor layer 13 of the nitride.例文帳に追加

酸化物界面層１２は、酸化物である基板１１と、窒化物であるInGaN半導体層１３との間に形成されている。 - 特許庁

The indium composition of a first InGaN region 17 changes over the entire InGaN region 18.例文帳に追加

第１のＩｎＧａＮ領域１７のインジウム組成は、当該ＩｎＧａＮ領域１８の全体にわたって変化している。 - 特許庁

To provide a high luminous efficacy-semiconductor luminous element that is an InGaN system element of high In-composition having a uniform composition distribution and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

均一な組成分布を有する高In組成のInGaN系の素子であって、発光効率の高い半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

At the time t3 to t4, the InGaN thin layer 24a grows and at the time t5 to t6, the InGaN thin layer 26a grows.例文帳に追加

時刻ｔ３〜ｔ４では、ＩｎＧａＮ薄層２４ａが成長され、時刻ｔ５〜ｔ６ではＩｎＧａＮ薄層２６ａが成長される。 - 特許庁

On a sapphire substrate 10, an n-type GaN layer 12, an InGaN/GaN active layer 14, a p-type GaN layer 16, and a transparent electrode layer 18 are stacked to constitute a light-emitting diode.例文帳に追加

sapphire基板１０の上にｎ型GaN層１２、InGaN/GaN活性層１４、ｐ型GaN層１６、透明電極層１８を積層して発光ダイオードを構成する。 - 特許庁

To provide an InGaN light-emitting diode which efficiently emits light in a red color band and moreover with spectrum distribution being relatively broad for emission.例文帳に追加

赤色域にて効率よくしかも比較的スペクトル分布がブロードに発光するInGaN系発光ダイオードを提供する。 - 特許庁

The indium composition of an InGaN well layer near point P1 is greater than the indium composition of the InGaN well layer near point P3.例文帳に追加

また、点Ｐ１近傍におけるＩｎＧａＮ井戸層のインジウム組成は、点Ｐ３近傍におけるＩｎＧａＮ井戸層のインジウム組成よりも大きい。 - 特許庁

When the growth of the InGaN is advanced, am InGaN 29d grows flat and is formed on the whole of the principal surface 25a of the barrier layer 25.例文帳に追加

ＩｎＧａＮ成長を進めると、障壁層２５の主面２５ａの全体上に平坦に成長されたＩｎＧａＮ２９ｄが形成される。 - 特許庁

To provide a method for producing InGaN with a high crystallinity of an InGaN layer while segregation of In is low and a composition ratio of In is enhanced.例文帳に追加

Ｉｎの偏析が少なく、且つ、Ｉｎの組成比を向上させつつＩｎＧａＮ層の結晶性が高いＩｎＧａＮの製造方法を提供する。 - 特許庁

This InGaN grows covering the front surface of the AlN domain to form a InGaN 29c in the course of the growth of a well layer.例文帳に追加

このＩｎＧａＮはＡｌＮ領域の表面を覆うように成長されて、井戸層の成長途中ではＩｎＧａＮ２９ｃを形成する。 - 特許庁

The base material preferably comprises one kind or a combination of two or more kinds selected from the group consisting of AlN, GaN, AlGaAs, SiC, InGaN and InGaAs as the constituent components.例文帳に追加

母体材料は、AlN、GaN、AlGaAs、SiC、InGaN、InGaAsの群から選ばれる１種、または２種以上の組み合わせを構成成分とすることが好ましい。 - 特許庁

The semiconductor region 19 can include the InGaN layer 24.例文帳に追加

半導体領域１９は、ＩｎＧａＮ層２４を含むことができる。 - 特許庁

A second group III nitride semiconductor is composed of, for example, InGaN etc.例文帳に追加

第２のIII族窒化物半導体は、例えばＩｎＧａＮ等からなる。 - 特許庁

The well layer includes quality reformed three layers of 1 nm InGaN thin films.例文帳に追加

井戸層は改質された３層の１ｎｍのＩｎＧａＮ薄膜からなる。 - 特許庁

The well layer consists of three layers of the reformed 1 nm InGaN thin film.例文帳に追加

井戸層は改質された３層の１ｎｍのＩｎＧａＮ薄膜からなる。 - 特許庁

The In composition of the InGaN layer is characterized in that In/(In+Ga)≥0.9.例文帳に追加

ＩｎＧａＮ層のＩｎ組成は、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ）≧０．９とする。 - 特許庁

Moreover, an Mg dope InGaN (p-type GaN layer) 86 is grown.例文帳に追加

さらに、ＭｇドープＩｎＧａＮ（ｐ型ＧａＮ層）８６を成長した。 - 特許庁

Moreover, the InGaN layer 11 is formed to satisfy the relationship of y=0.67x+a, when the composition ratio of In in InGaN layer 11 is assumed as y%, film thickness in the InGaN layer 11 as x Å (10≤x≤35), and (a) is within the range of 19.5≤a≤27.4.例文帳に追加

そして、ＩｎＧａＮ層１１は、ＩｎＧａＮ層１１内のＩｎの組成比をｙ％とし、ＩｎＧａＮ層１１内の膜厚をｘÅ（１０≦ｘ≦３５）とし、１９．５≦ａ≦２７．４とすると、ｙ＝−０．６７ｘ＋ａを満たすようにＩｎＧａＮ層１１が形成されている。 - 特許庁

A light-emitting diode 11a has a semiconductor region 13, an InGaN layer 15, and an active layer 17.例文帳に追加

発光ダイオード１１ａは、半導体領域１３と、ＩｎＧａＮ層１５と、活性層１７とを備える。 - 特許庁

The torn surface 29 includes a step 26 provided on an end face 24a of the InGaN layer 24.例文帳に追加

割断面２９は、ＩｎＧａＮ層２４の端面２４ａに設けられた段差２６を含む。 - 特許庁

The active layer 17 includes at least one semiconductor epitaxial layer 19 composed of InGaN.例文帳に追加

活性層１７は、ＩｎＧａＮからなる少なくとも一つの半導体エピタキシャル層１９を含む。 - 特許庁

The indium composition of the InGaN layer also decreases uniformly in order of points P1, P2, and P3.例文帳に追加

また、ＩｎＧａＮ層のインジウム組成は、点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３の順に単調に減少する。 - 特許庁

To increase a luminous efficiency in a light emitting element having a quantum well layer of an InGaN material.例文帳に追加

ＩｎＧａＮ系材料の量子井戸層を有する発光素子において、発光効率を高めることにある。 - 特許庁

Consequently, high-output ultraviolet-ray emission is obtained although InGaN is used for a light emission layer.例文帳に追加

これによって、発光層にＩｎＧａＮを用いながら、高出力の紫外線発光が得られる。 - 特許庁

To obtain a InGaN crystal which is superior in crystallinity even if the composition of In is increased.例文帳に追加

Ｉｎの組成を大きくしても結晶性に優れたＩｎＧａＮ結晶を得られるようにする。 - 特許庁

A first superlattice structure, which includes a first barrier layer comprising GaN or InGaN and a first well layer comprising InGaN, and a second superlattice structure, which includes a second barrier layer comprising GaN or InGaN and a second well layer comprising InGaN, are provided between the n-side contact layer and the active layer, in the order from an n-side contact layer side.例文帳に追加

ｎ側コンタクト層と活性層との間には、ｎ側コンタクト層側から順に、ＧａＮ又はＩｎＧａＮからなる第１障壁層及びＩｎＧａＮからなる第１井戸層を含む第１超格子構造体と、ＧａＮ又はＩｎＧａＮからなる第２障壁層及びＩｎＧａＮからなる第２井戸層を含む第２超格子構造体と、が設けられている。 - 特許庁

The well layer 25 of the active layer 21 is formed of a plurality of InGaN thin layers 24a and 26a.例文帳に追加

活性層２１の井戸層２５は複数のＩｎＧａＮ薄層２４ａ、２６ａからなる。 - 特許庁

Forming an interfacial reaction suppression layer 12 for suppressing an interfacial reaction between the oxide and the nitride between a ZnO single crystal substrate 11 as the oxide and an InGaN semiconductor layer 13 as the nitride can suppress the interfacial reaction between the ZnO single crystal substrate 11 and the InGaN semiconductor layer 13, thereby suppressing the formation of the reaction layer (Al_2ZnO_4) at the interface.例文帳に追加

酸化物であるZnO単結晶基板１１と窒化物であるInGaN半導体層１３との間に、酸化物と窒化物との界面反応を抑制するための界面反応抑制層１２を形成しているので、ZnO単結晶基板１１とInGaN半導体層１３との間での界面反応を抑制でき、その界面に反応層（Al_2ZnO_4）が形成されるのを抑制できる。 - 特許庁

The light source-integrated photocatalytic apparatus 100 has a light emitting layer 13 comprising InGaN.例文帳に追加

光源一体型光触媒装置１００は、ＩｎＧａＮから成る発光層１３を有する。 - 特許庁

For example, the solid luminescence chip 101 is made of an LED flip chip of InGaN system.例文帳に追加

例えば、固体発光チップ１０１は、ＩｎＧａＮ系のＬＥＤフリップチップである。 - 特許庁

The active layer is, for example, a multi-quantum well including an InGaN layer as a quantum well.例文帳に追加

活性層は、例えばＩｎＧａＮ層を量子井戸とする多重量子井戸とする。 - 特許庁

An InGaN buffer layer 2 made of undoped InGaN is formed on an Si substrate 1 with a size W1 of 8 to 12 inches, and a GaN layer 3 in turn is formed thereon.例文帳に追加

８〜１２インチの大きさＷ_1 のＳｉ基板１上にアンドープＩｎＧａＮからなるＩｎＧａＮバッファ層２を形成し、さらにその上にＧａＮ層３を形成する。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting device made from (Al, Ga, In)N-based materials has an active region 3 for light emission including InGaN quantum dots or InGaN quantum wires.例文帳に追加

（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ材料系によって作製された半導体発光デバイスは、ＩｎＧａＮ量子ドットまたはＩｎＧａＮ量子細線を含む、発光のための活性領域３を有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting device capable of providing an InGaN active layer of high In composition with good crystal quality, allowing laser oscillation in long-wavelength band (green).例文帳に追加

結晶品質の良好な高In組成のInGaN活性層が得られ、長波長域（緑色）でのレーザ発振を可能にした半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 11 includes an n-type GaN clad layer 14 and an n-type InGaN guide layer 15, and the p-type semiconductor layer 12 includes a p-type GaN clad layer 18 and a p-type InGaN guide layer 17.例文帳に追加

ｎ型半導体層１１はｎ型ＧａＮクラッド層１４およびｎ型ＩｎＧａＮガイド層１５を含み、ｐ型半導体層１２はｐ型ＧａＮクラッド層１８およびｐ型ＩｎＧａＮガイド層１７を含む。 - 特許庁

The semiconductor structure includes: a nucleation layer; a thick InGaN layer that is grown on the nucleation layer; and an active layer that is formed on the thick InGaN layer.例文帳に追加

本発明にかかる半導体構造は、核形成層と、前記核形成層上に成長させた厚いＩｎＧａＮ層と、前記厚いＩｎＧａＮ層上に形成した活性層と、を備える。 - 特許庁