insulator transitionとは 意味・読み方・使い方

To provide a transistor using a metal-insulator transition material, and a method of manufacturing the transistor.例文帳に追加

金属−絶縁体転移物質を利用したトランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A resistance layer has a structure that a transition metal or an alloy containing the transition metal is involved in a carbon nanotube, and has a characteristic in which a metal-insulator transition (Mott transition) is induced by applying a voltage or current.例文帳に追加

抵抗層は、遷移金属または遷移金属を含む合金がカーボンナノチューブに内包された構造であり、電圧または電流の印加により、金属−絶縁体転移（モット転移）が誘起される特性を有する。 - 特許庁

According thereto, a field applied between the first and the second electrode films makes the rapid metal-insulator transition semiconductor substance generate a rapid metal-insulator transition, not a structural phase transition, by hole doping.例文帳に追加

これによれば、第１電極膜と第２電極膜との間に印加される電界によって急激な金属−絶縁体転移半導体物質膜では、構造的な相転移ではない正孔ドーピングによる急激な金属−絶縁体転移が発生する。 - 特許庁

TWO-TERMINALS SEMICONDUCTOR DEVICE UTILIZING RAPID METAL-INSULATOR TRANSITION SEMICONDUCTOR SUBSTANCE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

急激な金属−絶縁体転移半導体物質を利用した２端子半導体素子及びその製造方法 - 特許庁

Furthermore, the average linear expansion coefficient (B) of a second insulator layer 23 in the substrate in-plane direction between 25°C and glass transition point is equal to the average linear expansion coefficient (C) of a third insulator layer 25 in the substrate in-plane direction between 25°C and glass transition point.例文帳に追加

また、第二絶縁層２３の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｂ）と、第三絶縁層２５の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｃ）とが等しい。 - 特許庁

To provide a two-terminals semiconductor device utilizing a rapid metal-insulator transition semiconductor substance and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

急激な金属−絶縁体転移半導体物質を利用した２端子半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Metal-insulator phase transition is caused in the insulator 7.例文帳に追加

開示されている半導体記憶装置は、浮遊ゲート６に一部分が接すると共に他部分がＰ型シリコン基板１に接するようにモット絶縁体７を設け、このモット絶縁体７に金属−絶縁相転移を生じさせる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device employing a metal-insulator phase transition material and a damage region is not formed in a part employing the metal-insulator phase transition material while the same part is formed of a single crystal, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

金属−絶縁体相転移材料を用いた半導体装置であって、当該金属−絶縁体相転移材料を用いた部分に損傷領域が形成されておらず、かつ、当該部分が単結晶である半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁