interface roughnessとは 意味・読み方・使い方

The value of amplitude in roughness of the interface between the second ferromagnetic layer 23 and the non-magnetic layer is h2.例文帳に追加

第２強磁性層２３と非磁性層との間の界面のラフネスの振幅の値はｈ２である。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of the semiconductor device having a silicon nitride oxide film whose interface roughness is small and interface level density is low.例文帳に追加

界面ラフネスが小さく、界面準位密度が低いシリコン窒化酸化膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An anchor effect takes place if the surface roughness is made larger and adhesiveness on an interface is enhanced.例文帳に追加

表面粗度を大きくすることによりアンカー効果が生じて、界面での接着力が向上する。 - 特許庁

To form an oxynitride film which can be controlled satisfactorily in film thickness, nitrogen content, interface roughness, and nitrogen position.例文帳に追加

膜厚の制御、窒素量の制御、界面ラフネス、窒素位置の制御に優れる酸窒化膜を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having good silicide/silicon interface in which a crystal defect or roughness of the interface is improved and having stable characteristics, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

結晶欠陥や界面の荒れが改善された良好なシリサイド／シリコン界面を有し、安定した特性を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The tunnel barrier layer 15 has thickness from 0.1 nm or more to 0.6 nm or less, and has interface roughness of less than 0.5 nm.例文帳に追加

そして、トンネルバリア層１５は、厚さが０．１ｎｍ以上０．６ｎｍ以下であり、且つ、界面ラフネスが０．５ｎｍ未満である。 - 特許庁

To realize a method of forming a titanium polycide gate which has satisfactory interface roughness between a polysilicon film and a titanium silicide film.例文帳に追加

ポリシリコン膜とチタンシリサイド膜の間の良好な界面粗さを持つチタンポリサイドゲートの形成方法を提供する。 - 特許庁

The amplitude of roughness of the interface between the barrier and the second ferromagnetic layer is h3 which is smaller than h1 and h2.例文帳に追加

バリア層と第２強磁性層との間の界面のラフネスの振幅がｈ１およびｈ２より小さいｈ３である。 - 特許庁