「interface roughness」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Surface roughness Ra to be a bonding interface is set to be 0.01 to 2 μm.例文帳に追加

接着界面となるべき面の表面粗さＲａは０．０１μｍ〜２μｍに設定されている。 - 特許庁

The value of amplitude in roughness of the interface between the non-magnetic layer and the first ferromagnetic layer is h1.例文帳に追加

非磁性層と第１強磁性層との間の界面のラフネスの振幅の値はｈ１である。 - 特許庁

The value of amplitude in roughness of the interface between the second ferromagnetic layer 23 and the non-magnetic layer is h2.例文帳に追加

第２強磁性層２３と非磁性層との間の界面のラフネスの振幅の値はｈ２である。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of the semiconductor device having a silicon nitride oxide film whose interface roughness is small and interface level density is low.例文帳に追加

界面ラフネスが小さく、界面準位密度が低いシリコン窒化酸化膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An anchor effect takes place if the surface roughness is made larger and adhesiveness on an interface is enhanced.例文帳に追加

表面粗度を大きくすることによりアンカー効果が生じて、界面での接着力が向上する。 - 特許庁

To form an oxynitride film which can be controlled satisfactorily in film thickness, nitrogen content, interface roughness, and nitrogen position.例文帳に追加

膜厚の制御、窒素量の制御、界面ラフネス、窒素位置の制御に優れる酸窒化膜を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having good silicide/silicon interface in which a crystal defect or roughness of the interface is improved and having stable characteristics, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

結晶欠陥や界面の荒れが改善された良好なシリサイド／シリコン界面を有し、安定した特性を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The tunnel barrier layer 15 has thickness from 0.1 nm or more to 0.6 nm or less, and has interface roughness of less than 0.5 nm.例文帳に追加

そして、トンネルバリア層１５は、厚さが０．１ｎｍ以上０．６ｎｍ以下であり、且つ、界面ラフネスが０．５ｎｍ未満である。 - 特許庁

To realize a method of forming a titanium polycide gate which has satisfactory interface roughness between a polysilicon film and a titanium silicide film.例文帳に追加

ポリシリコン膜とチタンシリサイド膜の間の良好な界面粗さを持つチタンポリサイドゲートの形成方法を提供する。 - 特許庁

The amplitude of roughness of the interface between the barrier and the second ferromagnetic layer is h3 which is smaller than h1 and h2.例文帳に追加

バリア層と第２強磁性層との間の界面のラフネスの振幅がｈ１およびｈ２より小さいｈ３である。 - 特許庁

To nondestructively evaluate the layer structure and the interface roughness of a multilayer film as a sample, with the multilayer film being irradiated with X-rays.例文帳に追加

Ｘ線を多層膜試料に照射して、層構造や界面粗さを非破壊で評価することを目的とする。 - 特許庁

To provide a reflectivity measuring device for estimating the roughness of surface/interface with respect to the film thickness of several μm to several tens μm order of an electrophotographic photoreceptive layer or the like on the basis of the surface/interface roughness of a minute area of about 1 μm ϕ.例文帳に追加

電子写真感光体層などの数μｍ〜１０数μｍオーダーの膜厚に対する表面/界面の粗さの評価を、１μｍφ程度の微小領域の表面/界面粗さで評価できる反射率測定装置を提供する。 - 特許庁

The rubber joint rough surface 10 having predetermined roughness of the rubber member 1 and the resin joint rough surface 20 having predetermined roughness of the resin member 2 comprising a thermoplastic resin are mated to form the joint interface 30 and ultrasonic vibration is applied to the joint interface 30 from the side of the rubber member 1.例文帳に追加

ゴム部材１の所定粗さのゴム接合粗面１０と、熱可塑性樹脂よりなる樹脂部材２の所定粗さの樹脂接合粗面２０とを合わせて接合界面３０とし、接合界面３０に対してゴム部材１側から超音波振動を加える。 - 特許庁

The hot rolled steel plate is characterized in that the volume fraction of magnetite in the scale layers is 60% or more, the average crystal grain size of the magnetite is 3 μm or less, and the average roughness of the scale/base iron interface is 1.5 μm or less by the average roughness Ra.例文帳に追加

スケール層中のマグネタイトの体積分率を６０％以上、かつ、前記マグネタイトの平均結晶粒径を３μｍ以下とし、スケール／地鉄界面の粗さを平均粗さＲａで１．５μｍ以下とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a multilayer film mirror, with which the multilayer film mirror with excellent optical characteristics is manufactured at a comparatively low cost by reducing film interface roughness and film surface roughness, and to provide the multilayer film mirror.例文帳に追加

膜の界面の粗さ及び表面粗さを低減し、優れた光学特性を有する多層膜ミラーを比較的低コストで製造することができる多層膜ミラーの製造方法及び多層膜ミラーを提供する。 - 特許庁

To provide a polystyrene multilayer film having homogeneous width direction physical properties and good appearance without a layer ratio distribution unevenness and without an interface roughness or the like.例文帳に追加

幅方向で物性が均質で、層比分布むら、界面荒れなどが発生せず、外観の良好なポリスチレン系多層フィルムを提供すること。 - 特許庁

The laminated wafer is obtained by laminating the wafer for active layer and the wafer for supporting, where the surface on the interface side has a low surface roughness.例文帳に追加

本発明の貼り合わせウェーハは、界面側の面の表面粗さが共に低い活性層用ウェーハ及び支持用ウェーハを貼り合わせてなるものである。 - 特許庁

Prior to sliding, the surface roughness Rmax at the interface between a sulfide solid lubricating film and a metal member is set at a level of 1 μm or over to improve a seizing resistance.例文帳に追加

摺動前における硫化物系固体潤滑膜と金属部材の界面の表面粗さＲmax を１μｍ以上として耐焼付き性を向上させる。 - 特許庁

To realize a method of forming a polycide gate electrode of a semiconductor element, which improves interface roughness between silicide and polycide by caused by the diffusion of a high-melting-point.例文帳に追加

高融点金属の拡散によるシリサイド/ポリシリコン界面の粗さを改善できる半導体素子のポリサイドゲート電極形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a tunneling magnetoresistive element which has small sheet resistance and lower roughness (interfacial roughness) on an interface of a ferromagnetic layer and then has magnetoresistive characteristics improved, a magnetic device using the element, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

シート抵抗が小さく、強磁性層との界面におけるラフネス（界面ラフネス）が低下し、したがって、磁気抵抗特性の向上を可能とするトンネル型磁気抵抗素子とそれを用いた磁気式デバイス及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide elements for use in laser systems operating at wavelength of smaller 200 nm wherein high reflectance is achieved in 193 nm, without increasing roughness and nonuniformity of a surface/an interface.例文帳に追加

２００ｎｍ未満のレーザシステムに用いられる素子において、表面／界面の粗さおよび不均一性を増加させずに、１９３ｎｍで高反射率を達成する。 - 特許庁

The contacting surface of the Ti layer 121 and the SiO_2 film 11 is accompanied by the interface of a rough surface T, obtained by positively increasing the surface roughness of the SiO_2 film 11.例文帳に追加

Ｔｉ層１２１とＳｉＯ_2膜１１との接触面に関しＳｉＯ_2膜１１の表面粗さを積極的に大きくした粗面Ｒの界面を伴っている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a good hetero structure that a crystal defect or the roughness of an interface is improved and having stable characteristics, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

結晶欠陥や界面の荒れが改善された良好なヘテロ構造を有し、安定した特性を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Voids due to organics and surface roughness at the lamination interface of both wafers can be prevented by reducing a surface roughness after removing organics on at least the surface (lamination interface) of CVD oxide film of a first wafer as pre-treatment for laminating the first wafer and a second wafer together, even if the CVD oxide film is employed as an oxide film (embedded oxide film) interposed on the lamination interface.例文帳に追加

貼り合わせ界面に介在される酸化膜（埋め込み酸化膜）としてＣＶＤ酸化膜を採用した場合でも、第１のウェーハと第２のウェーハとを貼り合わせる前処理として、少なくとも第１のウェーハのＣＶＤ酸化膜の表面（貼り合わせ界面）に対して、有機物の除去後、表面ラフネスを小さくすれば、両ウェーハの貼り合わせ界面における有機物と表面ラフネスとを原因としたボイドの発生を防止可能である。 - 特許庁

The Tg of the primer layer is 30°C or below and the Tg of the upper coating film is 40°C or above and the surface roughness Ra of the interface of the primer layer and the upper coating film is 0.25 μm or above.例文帳に追加

プライマー層のＴｇが３０℃以下であり、上層塗膜のＴｇが４０℃以上であり、且つ、プライマーと上層塗膜との界面の表面粗さＲａが、０．２５μｍ以上である。 - 特許庁

To suppress effects on response characteristics to an external magnetic filed caused by a variation in the roughness of an interface between a fixing layer and a tunnel insulating layer in a tunnel magneto-resistance effect element.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子における固着層とトンネル絶縁層との界面の粗さのばらつきに起因する外部磁界に対する応答特性への影響を抑制する。 - 特許庁

The slide member is improved in the seizing resistance in a manner that the surface roughness R_max prior to the sliding in an interface surface between the sulfide-based solid lubricating film and a metal member is made to be 1 μm or more.例文帳に追加

摺動前における硫化物系固体潤滑膜と金属部材の界面の表面粗さＲｍａｘ を１μｍ以上として耐焼付き性を向上させる。 - 特許庁

Consequently, the roughness of the peeling interface of the active layerr 10A is inhibited, the in-plane uniformity of the thickness of the active layer 10A after a peeling is enhanced, and the quantity of a polishing in a polishing process is reduced.例文帳に追加

その結果、活性層１０Ａの剥離界面のラフネスが抑えられ、剥離後の活性層１０Ａの厚さの面内均一性が高まり、研磨工程での研磨量が低減される。 - 特許庁

To reduce threading dislocation density and surface roughness, and prevent roughness of a surface and an interface from being deteriorated in the case of heat treatment in a device manufacturing process or the like, in the method for a semiconductor substrate, the method for manufacturing a field effect transistor, a semiconductor substrate and a field effect transistor.例文帳に追加

半導体基板の製造方法及び電界効果型トランジスタの製造方法並びに半導体基板及び電界効果型トランジスタにおいて、貫通転位密度が低く、表面ラフネスが小さいと共に、デバイス製造工程等の熱処理時における表面や界面のラフネスの悪化を防ぐこと。 - 特許庁

The roughness of an interface between the distortion applying layer of SiGe and the distortion semiconductor layer of Si deposited thereon, or an interface between the distortion semiconductor layer of Si and the gate insulating layer on it are reduced to an appropriate value, and MOSFET is formed on the distortion semiconductor layer of Si.例文帳に追加

ＳｉＧｅの歪印加層とその上に堆積されたＳｉの歪半導体層との間の界面、又はＳｉの歪半導体層とその上のゲート絶縁層との間の界面の粗度を適切な値に小さくし、Ｓｉの歪半導体層にＭＯＳＦＥＴを形成する。 - 特許庁

A mirror 1, which is used in a vacuum environment, arranges a cooling interface section 11 at its back side for cooling off the mirror and a measurement surface section 12 for positioning the mirror, wherein surface roughness of the measurement surface section 12 is less rough than the cooling interface section 11.例文帳に追加

真空環境で使用するミラー１であり、ミラーの裏面にミラーを冷却するための冷却インタフェース部１１と、ミラーの位置決めを行うための計測面部１２と、を配置し、計測面部１２の表面粗さが冷却インタフェース部１１よりも小さいことを特徴とするミラー。 - 特許庁

To provide a forming method of a polycrystalline silicon film, which can improve long term reliability of a gate oxide film by reducing the interface roughness between a gate oxide film and the polycrystalline silicon film.例文帳に追加

ゲート酸化膜と多結晶シリコン膜との間の界面ラフネスを低下させて、ゲート酸化膜の長期信頼性を向上させることができる多結晶シリコン膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor-device manufacturing method that reduces specific resistance by uniforming the interface roughness when forming a gate electrode film having a laminated structure of a conductive film and a metal film.例文帳に追加

導電膜と金属膜の積層構造のゲート電極膜を形成する時、界面の粗度を均一にすることにより、比抵抗を減少させる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To satisfy the surface roughness, surface treatment is applied to each interface of every sintered magnetic material core member by granular abrasive having a mesh size within the range of #100 to #600, or by a polishing paper having the granular abrasive.例文帳に追加

この表面粗さを実現するために、焼結上がりの各磁性体コア部材の接合面に対してメッシュサイズが＃１００ないし＃６００の粒状研磨剤もしくはそれを含む研磨紙によって表面処理を行う。 - 特許庁

The first seal part 52 absorbs the surface roughness of separators 30 and 40, etc., which may drop the sealing performance of the interface and follows the changed dimensions resulting from a temp. change in an electrolyte film 22, etc.例文帳に追加

軟らかい第１シール部５２により、界面のシール性を低下させるセパレータ３０，４０等の表面の粗さを吸収すると共に電解質膜２２等の温度変化による寸法変化に追従することができる。 - 特許庁

If the structure of the sample 12, such as film thickness, density, the roughness of a surface or interface, and crystal orientation, is nonuniform, the distribution of the scattering intensities detected becomes a speckle that reflects the nonuniformity.例文帳に追加

この時検出される散乱強度の分布は、試料１２の膜厚、密度および表面・界面のラフネスや結晶方位といった構造が不均一である場合、その不均一性を反映したスペックルとなる。 - 特許庁

To provide a flat electrochemical element capable of solving a problem that liquid leakage between an interface pinched by a case and a gasket and an interface pinched by a sealing plate and the gasket occurs from deformation due to inner pressure increase and temperature softening of a component caused by a surface roughness of the component itself and affected from use environment (temperature environment).例文帳に追加

扁平形電気化学素子において、部品そのものの表面凹凸や、使用環境（温度環境）の影響を受けて生じる内圧上昇による変形や部品の温度軟化により、ケースとガスケットで挟まれた界面と、封口板とガスケットで挟まれた界面から漏液が発生する。 - 特許庁

A semiconductor epitaxial substrate includes: a single crystal substrate; an AlN layer epitaxially grown on the single crystal substrate; and a nitride semiconductor layer epitaxially grown on the AlN layer, wherein an interface between the AlN layer and nitride semiconductor layer has a larger roughness than an interface between the single crystal substrate and AlN layer.例文帳に追加

半導体エピタキシャル基板は、単結晶基板と、単結晶基板上にエピタキシャル成長されたＡｌＮ層と、ＡｌＮ層の上にエピタキシャル成長された窒化物半導体層とを有し、単結晶基板とＡｌＮ層間界面より、ＡｌＮ層と窒化物半導体層間界面の方が凹凸が大きい、ことを特徴とする。 - 特許庁

The coated metal sheet good in reflectivity and mold processability is characterized in that at least two coating films, which contain a fluoroplastic and titanium oxide, are provided on a metal sheet and the surface roughness of the interface of both films is 0.3-0.7 μm.例文帳に追加

金属板上にフッ素樹脂と酸化チタンを含む少なくとも２層の塗装皮膜を有し、皮膜の界面の表面粗さが０．３〜０．７μｍであることを特徴とする反射性と成形加工性に優れる塗装金属板。 - 特許庁

Both coating film layers have a value of 2.3×10^7 Pa as the minimum value of the dynamic storage elastic modulus in a rubbery elastic region and the Ra (center line average roughness) of the interface of both layers is 0.3-0.6 μm.例文帳に追加

これら両者の塗膜層が、ゴム状弾性領域における動的貯蔵弾性率の最小値として２．３×１０^7Ｐａ以下の値を有し、且つこれらの界面のＲａ（中心線平均粗さ）が０．３〜０．６μｍである。 - 特許庁

Consequently, the roughness of the peeling interface of the wafer 10 is inhibited, and the in-plane uniformity of the thickness of the wafer 10 after a peeling is improved while the quantity of a polishing in the case of the polishing of a peeling surface can be reduced.例文帳に追加

その結果、活性層用ウェーハ１０の剥離界面のラフネスが抑えられ、剥離後の活性層用ウェーハ１０の厚さの面内均一性も高められるとともに、剥離面を研磨する際の研磨量を低減することができる。 - 特許庁

As for the endless belt constituted so that a belt-like elastic body is fixed on the inner surface of each edge by an adhesive layer, the ten- point average roughness (Rz) of the cross section curve of the endless belt substrate side interface of the elastic body is set to be 3 to 16 μm.例文帳に追加

両側縁内面に帯状の弾性体を接着層により固定したエンドレスベルトにおいて、該弾性体のエンドレスベルト基体側界面の断面曲線の十点平均粗さ（Ｒｚ）が３〜１６μｍであるエンドレスベルトである。 - 特許庁

To provide a nanocomposite thermoelectric conversion material significantly reducing a thermal conductivity to improve the thermoelectric conversion performance thereof by means of a new structure for increasing interface roughness between a matrix of the thermoelectric conversion material and a phonon scattering particle.例文帳に追加

熱電変換材料のマトリクスとフォノン散乱粒子との界面粗さを高める新規な構造により、熱伝導率を大幅に低下させて熱電変換性能を高めたナノコンポジット熱電変換材料およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The polymer electrolyte membrane/catalyst assembly is structured containing an electrode catalyst layer 1 directly jointed to at least one side face of a polymer electrolyte membrane 2 of a structure expressed in formula (1), with a surface roughness at an interface of the membrane/catalyst of 1 μm or less.例文帳に追加

下記化学式（１）で表される構造の高分子電解質膜２の少なくとも片面に直接に接合した電極触媒層１とを含み、膜／触媒界面の表面粗度が１μｍ以下である、高分子電解質膜／触媒接合体。 - 特許庁

On the electrode for fuel cell, an arithmetic mean roughness Ra of an interface 33 of a catalyst layer 31 and a gas diffusion layer 32 is made small by filling carbon grains with a small diameter on a conventional gas diffusion layer.例文帳に追加

本発明の燃料電池用電極は、従来のガス拡散層上に粒子径の小さいカーボン粒子３２３を充填するなどにより、触媒層３１とガス拡散層３２との界面３３の算術平均粗さＲａを小さくする。 - 特許庁