「interface roughness」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a printed wiring board and a method of manufacturing the same which can improve the adhesion of a material interface to obtain a reliable microcircuit without changing a surface roughness, and obtain a low dielectric constant and a low loss factor by forming a fluororesin layer.例文帳に追加

表面粗度の変化なしに資材界面密着力を向上させることができて高信頼性で微細回路を実現することができるうえ、フッ素系樹脂層の形成により低誘電率と低損失係数を得ることができる、プリント基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In order to improve the quality of the laminated layer structure with respect to the surface roughness and dislocation density, the composition parameter at the interface between the layer in the stack 5 with the gradient composition and the subsequent layer in the stack is chosen to be smaller than the composition parameter (1-xg) of the layer with a gradient composition.例文帳に追加

表面粗さと転位密度に関して積層層構造１の品質を改善するため、スタック５内の勾配組成を有する層と後続層との界面で、組成パラメータが、勾配組成を有する層側の組成パラメータ（１−ｘ_ｇ）よりも小さくなるように選択される。 - 特許庁

The outermost layer contains a heat-resistant binder resin and 10-80 mass% of a fluorinated olefinic resin while the lower layer contains the heat-resistant binder resin and 5-50 mass% of the fluorinated olefinic resin and Ra (roughness) of the interface between the outermost layer and the lower layer is 0.3-0.6 μm.例文帳に追加

最上層は、耐熱性バインダー樹脂および１０〜８０質量％のフッ素化オレフィン樹脂を含み、下層は、耐熱性バインダー樹脂および５〜５０質量％のフッ素化オレフィン樹脂を含んでおり、最上層と下層との間の界面のＲａが０．３μｍ〜０．６μｍである。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate and method of manufacturing the same which improve device performance by suppressing the roughness of the interface between an insulating layer and a semiconductor single-crystal layer in a semiconductor substrate having the semiconductor single-crystal layer for forming a device on the insulating layer.例文帳に追加

絶縁層上にデバイス形成用の半導体単結晶層を有する半導体基板において、絶縁層と半導体単結晶層の界面のラフネスを抑制することにより、デバイス特性を向上させる半導体基板および半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The 2nd upper guide layer 126 is allowed to grow at 650°C to be a growth temperature suitable for a P group layer to reduce the separation of P from the barrier layer and reduce the roughness of an interface between the barrier layer and the guide layer 126 down to 20 Å and less.例文帳に追加

この第二上ガイド層１２６はＰ系層に適した成長温度である６５０℃のままで成長させて、上記バリア層からのＰの脱離を低減して上記バリア層と第二上ガイド層１２６との界面の粗さの大きさを２０Å以下にまで下げる。 - 特許庁

To suppress increase in roughness of an interface between a TiSix layer and an Si semiconductor substrate, which is caused at formation of the TiSix layer which is formed by reacting a Ti layer to the Si semiconductor substrate in the case where the Ti layer, which is a contact material, is deposited on the Si semiconductor substrate by a CVD method in the method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、コンタクト材であるＴｉをＣＶＤで堆積した場合、ＴｉとＳｉとが反応してＴｉＳｉ_x が生成され、それに起因して発生するＴｉＳｉ_x ／Ｓｉ界面のラフネス増大を抑制しようとする。 - 特許庁

To provide a thermally conductive sheet in which the thermal resistance is reduced on the interface because surface roughness of a cut surface is small, and which is used suitably while being held between various heat sources and a heat dissipation member, and to provide a method of producing a thermally conductive sheet.例文帳に追加

切断面の表面粗さが小さいので界面での熱抵抗が低くなり、厚み方向の熱伝導性が高いので、各種熱源と放熱部材との間に挟持させて好適に用いられる熱導電性シート及び熱伝導性シートの製造方法の提供。 - 特許庁

The ceramic-made wiring board comprising the ceramic-made insulating substrate and the wiring conductor layer which is joined with at least one surface of the insulating substrate is characterized in that the mathematical mean roughness of the interface of the conductor layer which is joined with the insulating substrate is ≤1.0 μm.例文帳に追加

セラミック製絶縁基板と、該絶縁基板の少なくとも一方の表面に接合された配線導体層とからなるセラミック製配線基板において、前記導体層の絶縁基板と接合する界面での算術平均粗さが１．０μｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The laminate is composed of an insulating substrate, the insulating resin layer formed on the insulating substrate and the metal lamellar formed on the insulating resin layer and a metal oxide is provided to the contact interface of the insulating resin layer and the metal lamella and the surface roughness of the contact interface of the insulating resin layer and the metal lamella is below 100 nm.例文帳に追加

絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された絶縁性樹脂層と、前記絶縁性樹脂層上に形成された金属薄膜層とからなる積層体であり、前記絶縁性樹脂層と前記金属薄膜層の接触界面に金属酸化物が存在し、かつ、絶縁性樹脂層と前記金属薄膜層の接触界面の表面粗さが１００ｎｍ未満であることを特徴とする積層体。 - 特許庁

The polyester film consisting of polyester A and polyetherimide B is characterized in that the film has 0.1-15 nm surface average roughness Ra and ≤50 nm undulation index of the surface respectively about at least one surface of the film and 1,000-10,000 sec interface air flow time measured by overlapping two sheets of films.例文帳に追加

ポリエステル（Ａ）とポリエーテルイミド（Ｂ）とからなるポリエステルフィルムであって、フィルムの少なくとも片面について、表面平均粗さＲａが０．１〜１５ｎｍであり、表面のウネリ指数が５０ｎｍ以下であり、かつ２枚のフィルムを重ねて測定される層間空気流動時間が１０００〜１００００秒であることを特徴とする磁気記録媒体用ポリエステルフィルムである。 - 特許庁

The polymer electrode film/catalyst bonding material mainly composed of hydrogen with a surface roughness ≤1 μm in its interface contains a polymer electrode film 2 mixed with 85 to 95 wt.% polymer (A) and 5 to 15 wt.% polymer (B), and an electrode catalyst layer 1 directly bonded at least to one side of the polymer electrode film.例文帳に追加

ポリマー（Ａ）８５〜９５重量％およびポリマー（Ｂ）５〜１５重量％が混合されてなる高分子電解質膜２と、該高分子電解質膜の少なくとも片面に直接接合された電極触媒層１とを含み、膜／触媒界面の表面粗度が1μｍ以下であることを特徴とする、水素を燃料とする燃料電池用の高分子電解質膜／触媒接合体。 - 特許庁

The surface emission laser element 100 has an active layer 4 and an upper DBR mirror 7 as a dielectric multilayer film mirror 7 which are laminated on a substrate 1 wherein the upper DBR mirror 7 has a surface roughness exhibiting a predetermined reflectivity for a laser beam emitted from the surface emission laser element 100 at least on one interface in a dielectric multilayer film constituting the upper DBR mirror.例文帳に追加

面発光レーザ素子１００は、基板１上に積層された活性層４と誘電体多層膜ミラーとしての上部ＤＢＲミラー７とを備え、上部ＤＢＲミラー７は、それを構成する誘電体多層膜内の少なくとも１つの界面に、面発光レーザ素子１００が射出するレーザ光に対して上部ＤＢＲミラー７が所定反射率となる表面粗さを有する。 - 特許庁