intermediate trenchとは 意味・読み方・使い方

Alternatively, the base substrate 10 is cut off by following three dicing steps in total; forming the intermediate dicing trench 32, forming the taper trench 31 on the surface opposite to the side where the intermediate dicing trench 32 is formed, and forming the cut-dicing trench 35 in the taper trench 31 to get through the intermediate dicing trench 32.例文帳に追加

又は、中間ダイシング溝３２を設け、中間ダイシング溝３２を設けた面と反対側にテーパー溝３１を形成した後に、このテーパー溝３１に中間ダイシング溝３２に達する切断ダイシング溝３５を形成する合計３回のダイシングでベース基板１０を切断する。 - 特許庁

A base substrate 10 is cut off by following three dicing steps in total; forming an intermediate dicing trench 32 in a taper trench 31 after forming the taper trench 31 or performing a chamfering after forming the intermediate dicing trench 32, and forming a cut-dicing trench 35 to get through the intermediate dicing trench 32 from the opposite side.例文帳に追加

テーパー溝３１を形成した後に、このテーパー溝３１に中間ダイシング溝３２を設け、又は中間ダイシング溝３２を設けた後に面取りを施し、次に、反対側から中間ダイシング溝３２に達する切断ダイシング溝３５を形成する合計３回のダイシングでベース基板１０を切断する。 - 特許庁

The trench T has a shallow trench 30a having width L1, a deep trench 40 having width L2 (L2<L1), and an intermediate trench 30b having width changing from the width L1 to the width L2.例文帳に追加

トレンチＴが、幅Ｌ１の浅部トレンチ３０ａと、幅Ｌ２（ただし、Ｌ２＜Ｌ１）の深部トレンチ４０と、幅Ｌ１から幅Ｌ２に徐々に変化している中間トレンチ３０ｂを備えている。 - 特許庁

The buried insulator 44 is filled into the deep trench 40 and projects into the intermediate trench 30b with the same width.例文帳に追加

埋め込み絶縁体４４が、深部トレンチ４０を充填しており、同一の幅で中間トレンチ３０ｂ内に突出している。 - 特許庁

A trench cut in a semiconductor substrate is filled up halfway with a polycrystalline silicon gate electrode, and an intermediate insulating film is deposited on the gate electrode to fill up the trench for making the surface of the semiconductor substrate flat.例文帳に追加

トレンチの途中までを多結晶シリコンゲート電極で埋め込み、その上に中間絶縁膜を埋め込み平坦化する。 - 特許庁

The method of manufacturing a thin-film solar cell module 1 comprises a step of forming an intermediate contact layer dividing trench in which a conductive dividing trench 23 is formed in an intermediate contact layer 11 by a mechanical scribe method.例文帳に追加

薄膜太陽電池モジュール１の製造方法は、中間コンタクト層１１にメカニカルスクライブ法によって導電分離溝２３を形成する中間コンタクト層分離溝形成工程を備えていることを特徴とする。 - 特許庁

The module has a structure in which an isolation trench is formed between the intermediate layer having conductivity, light transmissivity and light reflectivity and a connection groove, the isolation trench is filled with a crystalline silicon film and an isolation member of the intermediate layer does not exist between the isolation trench and the connection groove.例文帳に追加

導電性を有し、光透過性及び光反射性を有する中間層と、接続溝の間に分離溝を設け、該分離溝は結晶質シリコン膜で埋め込まれるとともに、該分離溝と該接続溝の間には前記中間層の分離部材が存在しないという構造を有することを特徴とする。 - 特許庁