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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > intermediate trenchに関連した英語例文

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intermediate trenchの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 18



例文

Alternatively, the base substrate 10 is cut off by following three dicing steps in total; forming the intermediate dicing trench 32, forming the taper trench 31 on the surface opposite to the side where the intermediate dicing trench 32 is formed, and forming the cut-dicing trench 35 in the taper trench 31 to get through the intermediate dicing trench 32.例文帳に追加

又は、中間ダイシング溝32を設け、中間ダイシング溝32を設けた面と反対側にテーパー溝31を形成した後に、このテーパー溝31に中間ダイシング溝32に達する切断ダイシング溝35を形成する合計3回のダイシングでベース基板10を切断する。 - 特許庁

A base substrate 10 is cut off by following three dicing steps in total; forming an intermediate dicing trench 32 in a taper trench 31 after forming the taper trench 31 or performing a chamfering after forming the intermediate dicing trench 32, and forming a cut-dicing trench 35 to get through the intermediate dicing trench 32 from the opposite side.例文帳に追加

テーパー溝31を形成した後に、このテーパー溝31に中間ダイシング溝32を設け、又は中間ダイシング溝32を設けた後に面取りを施し、次に、反対側から中間ダイシング溝32に達する切断ダイシング溝35を形成する合計3回のダイシングでベース基板10を切断する。 - 特許庁

The trench T has a shallow trench 30a having width L1, a deep trench 40 having width L2 (L2<L1), and an intermediate trench 30b having width changing from the width L1 to the width L2.例文帳に追加

トレンチTが、幅L1の浅部トレンチ30aと、幅L2(ただし、L2<L1)の深部トレンチ40と、幅L1から幅L2に徐々に変化している中間トレンチ30bを備えている。 - 特許庁

The buried insulator 44 is filled into the deep trench 40 and projects into the intermediate trench 30b with the same width.例文帳に追加

埋め込み絶縁体44が、深部トレンチ40を充填しており、同一の幅で中間トレンチ30b内に突出している。 - 特許庁

例文

A trench cut in a semiconductor substrate is filled up halfway with a polycrystalline silicon gate electrode, and an intermediate insulating film is deposited on the gate electrode to fill up the trench for making the surface of the semiconductor substrate flat.例文帳に追加

トレンチの途中までを多結晶シリコンゲート電極で埋め込み、その上に中間絶縁膜を埋め込み平坦化する。 - 特許庁


例文

The method of manufacturing a thin-film solar cell module 1 comprises a step of forming an intermediate contact layer dividing trench in which a conductive dividing trench 23 is formed in an intermediate contact layer 11 by a mechanical scribe method.例文帳に追加

薄膜太陽電池モジュール1の製造方法は、中間コンタクト層11にメカニカルスクライブ法によって導電分離溝23を形成する中間コンタクト層分離溝形成工程を備えていることを特徴とする。 - 特許庁

The module has a structure in which an isolation trench is formed between the intermediate layer having conductivity, light transmissivity and light reflectivity and a connection groove, the isolation trench is filled with a crystalline silicon film and an isolation member of the intermediate layer does not exist between the isolation trench and the connection groove.例文帳に追加

導電性を有し、光透過性及び光反射性を有する中間層と、接続溝の間に分離溝を設け、該分離溝は結晶質シリコン膜で埋め込まれるとともに、該分離溝と該接続溝の間には前記中間層の分離部材が存在しないという構造を有することを特徴とする。 - 特許庁

A thermal oxide film 32 (first insulating layer) covers the wall surface of the shallow trench 30a and that of the intermediate one 30b.例文帳に追加

熱酸化膜32(第1絶縁層)が、浅部トレンチ30aの壁面と中間トレンチ30bの壁面を覆っている。 - 特許庁

The trench widths of the fitting trenches α and β are formed in the same size as the thickness size of the first surface of a tooth intermediate side insulator 22.例文帳に追加

嵌合溝α,βの溝幅は、ティース中間側インシュレータ22の第1面部の厚さ寸法と同等の寸法となっている。 - 特許庁

例文

In this vertical MOS transistor, a polycrystal silicon gate electrode is embedded into the middle part of a trench, and an intermediate insulating film is embedded on the polycrystal silicon gate electrode.例文帳に追加

トレンチの途中までを多結晶シリコンゲート電極で埋め込み、その上に中間絶縁膜を埋め込む。 - 特許庁

例文

A plurality of trench electrodes 6 extending from a rear surface 2B up to an intermediate position in a thickness direction toward a surface 2A are provided on the end surface 2C of a board 2, and a plurality of rear surface electrodes 7 connected respectively to the respective trench electrodes 6 are provided on the rear surface 2B of the board 2.例文帳に追加

基板2の端面2Cには、裏面2Bから表面2Aに向けて厚さ方向の途中位置まで伸長した複数の溝電極6を設け、基板2の裏面2Bには、各溝電極6とそれぞれ接続された複数の裏面電極7を設ける。 - 特許庁

The second conductive part 44b protrudes from the first conductive part 44a toward the center of the trench gate 40 when viewed from above, and an end part of the second conductive part 44b does not exceed an intermediate position 43 between a lateral face and the center 41 of the trench gate 40.例文帳に追加

第2導電部44bは、平面視したときに、第1導電部44aからトレンチゲート40の中央に向けて突出しており、その端部はトレンチゲート40の側面と中央41の間の中間位置43を越えていない。 - 特許庁

Impurity concentrations in distal portions (front and back distal portions) 14a of the trench gate electrode 14 covering a wide range of the insulating film 12a adjacent to corners 10a of the trench 10 in a gate intermediately connecting portion 18 and in a partial gate pad 20 are lower than that of an intermediate portion 14c of the trench gate electrode14 or the like.例文帳に追加

トレンチ10のコーナー部10aに隣接する絶縁膜12aを広い範囲で覆うトレンチゲート電極14の端部(前端部、後端部)14a、ゲート中継部18、一部のゲートパッド20の不純物濃度は、トレンチゲート電極14の中間部14c等の不純物濃度に比べて低い。 - 特許庁

An intermediate level dielectric 102 and an intrametal dielectric 104 are formed sequentially on a semiconductor substrate 100 and then a via 106 and a trench 108 are made.例文帳に追加

半導体基板100上に中間レベル誘電体102及び更にその上にイントラメタル誘電体104が形成された後、ビア106とトレンチ108が形成される。 - 特許庁

Within the trench 14, a third silicon oxide film 16 is formed and embedded, and this silicon oxide film 16 is etched only for the predetermined amount so that the end of the silicon oxide film 16 is located at the intermediate portion of the polycrystal silicon film 13.例文帳に追加

トレンチ14内部には第3のシリコン酸化膜16が埋め込み形成され、所定量だけエッチングすることで多結晶シリコン膜13の中間部位にシリコン酸化膜16の端部が位置するように形成される。 - 特許庁

On the remaining part, except for the intermediate connecting part of the device isolation film forming area between the device region and the ground region, a deep trench for exposing an embedded oxide layer is formed by utilizing an etching-proof film pattern.例文帳に追加

素子領域と接地領域との間の素子分離膜形成領域中間連結部を除外した残余部にエッチング防止膜パターンを利用して埋没酸化層が露出される深いトレンチを形成する。 - 特許庁

This intermediate membrane for a clad glass is a thermoplastic resin sheet having embossed patterns comprising depression and projection on both surfaces, the depression part of which is formed of a sunken trench having a curvature R of 20 μm or larger at the bottom of the trench formed by the cross-section of the deepest end.例文帳に追加

熱可塑性樹脂シートの両面に凹部及び凸部からなるエンボス模様が設けられた合わせガラス用中間膜であって、前記エンボス模様は、凹部が凹溝から形成されており、前記凹溝は、その最深部における断面が形成する凹型の底辺の端部における曲率半径Rが20μm以上である合わせガラス用中間膜。 - 特許庁

例文

The trench 107 is prescribed by surfaces including a bottom surface 107b, a flank 107s which connects with the bottom surface 107b and has a 1st inclination to the main surface 101f, and an intermediate surface 101c which is formed between the main surface 101f and bottom surface 107b and has a 2nd inclination less than the 1st inclination to the main surface 101f.例文帳に追加

トレンチ107は、底面107bと、その底面107bに連なり主表面101fに対して第1の傾きを有する側面107sと、主表面101fと底面107bとの間に形成され、主表面101fに対して第1の傾きよりも小さい第2の傾きを有する中間面101cとを含む面により規定されている。 - 特許庁

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