ion etching systemとは 意味・読み方・使い方

In the focus ring for the plasma etching system, concentration of Fe measured in secondary ion mass spectrometry is 1×103 counts or lower, and the plasma etching system using the focus ring is also provided.例文帳に追加

二次イオン質量分析で測定したＦｅ濃度が１×１０^3ｃｏｕｎｔｓ以下であるプラズマエッチング装置用フォーカスリング及び上記のフォーカスリングを有してなるプラズマエッチング装置。 - 特許庁

To provide a magnetic neutral line discharge plasma generation device for ion implantion system, plasma etching system, plasma CVD system or the like, which is free of interference or disturbances by an external magnetic fields.例文帳に追加

外部磁場による干渉や擾乱等のない、イオン注入装置、プラズマエッチング装置、プラズマＣＶＤ装置等用の磁気中性線放電プラズマ発生装置を提供する。 - 特許庁

The film deposition system comprises: a plasma chemical vapor growth means having a plasma linear source 7; an ion etching treatment means having an ion etching roller 5 arranged at prescribed intervals with the plasma linear source 7; and a film conveying means making a film 3 pass between the plasma linear source 7 and the ion etching roller 5.例文帳に追加

本発明の成膜装置は、プラズマリニアソース７を有するプラズマ化学気相成長手段と、プラズマリニアソース７と所定間隔をおいて配置されているイオンエッチングローラー５を有するイオンエッチング処理手段と、プラズマリニアソース７とイオンエッチングローラー５との間においてフィルム３を通過させるフィルム搬送手段と、を具備する。 - 特許庁

When the recipe of plasma cleaning treatment is set, a decision is made whether the recipe is for the plasma etching (PE) system or the reactive ion etching (RIE) system by means of a personal computer 15, and the limitation of plasma treatment is read from an internal memory if the recipe is for the RIE system.例文帳に追加

プラズマ洗浄処理のレシピ設定をする際には、パソコン１５により、プラズマエッチング（ＰＥ）方式かリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）方式かのどちらであるかを判定し、ＲＩＥ方式であればプラズマ処理制限を内部メモリから読み込む。 - 特許庁

Thereafter, a sample stage is arranged on an optical axis of an electronic optical system and the sample cross-section 50 appeared by ion etching is observed by SEM.例文帳に追加

その後、試料ステージが電子光学系の光軸上に配置されて、イオンエッチングで現れた試料断面５０がＳＥＭ観察される。 - 特許庁

The cluster ion beam can decompose gas supplied from a gas injection system 104 and make it deposited or make the gas activated for etching.例文帳に追加

クラスタイオンビームはガス注入システム１０４から供給されるガスを分解して堆積させ、またはガスを活性化させてエッチングすることもできる。 - 特許庁

After a thin film layer 14 having a predetermined shape is deposited on the ceramic layer 12 by using a focused ion beam system, the ceramic layer 12 is patterned by etching using the thin film layer 14 as a mask.例文帳に追加

このセラミック層１２上に、集束イオンビーム装置を用いて所定形状の薄膜層１４を堆積した後、この薄膜層１４をマスクとして、エッチングによりセラミック層１２をパターニングする。 - 特許庁

In the method for simultaneously forming the contact holes on a gate electrode on the Si active layer and via an insulating SiO_2 film, oxide films that are left in the irregularities of the Si active layer are removed effectively, by subsequently performing sputter etching by Ar gas with a sputtering device and continuously performing sputtering deposition after performing reactive ion etching by a fluorine gas system and wet etching by a buffered hydrofluoric acid.例文帳に追加

Ｓｉ活性層上、及び絶縁ＳｉＯ_２膜を介してゲート電極上にコンタクト孔を同時に形成する方法において、フッ素ガス系による反応性イオンエッチング及びバッファードフッ酸によるウェットエッチングの後に、引き続いてスパッタ装置によりＡｒガスによるスパッタエッチング、及びスパッタ成膜を連続して行うことにより、Ｓｉ活性層の凹凸部に残留する酸化膜を効果的に除去する。 - 特許庁