isotropic etching processとは 意味・読み方・使い方

The supporting sections 20 and void sections 21 are formed by etching the substrate 1 through an etching process in which at least one isotropic etching step is performed prior to at least one anisotropic etching step.例文帳に追加

尚、支持部２０及び空隙部２１は少なくとも一回の等方性エッチング工程が少なくとも一回の異方性エッチング工程に先行してなるエッチング工程による基板１のエッチングによって作製される。 - 特許庁

In this method, the depth of a pattern can be controlled by the process performing anisotropic etching, and by the process performing isotropic etching, a curved surface structure can be produced.例文帳に追加

本発明の構成によれば、異方性エッチングを行う工程によりパターンの深さを制御することが出来、等方性エッチングを行う工程にり曲面構造にすることが出来る。 - 特許庁

With respect to an etching process in which a polycrystalline silicon layer 12 formed on a semiconductor silicon wafer 10 is patterned in accordance with a resist pattern 13, plasma of a mixed gas containing SF_6 for isotropic etching and HBr for anisotropic etching is utilized for an etching gas species.例文帳に追加

半導体シリコンウェハ１０上の多結晶シリコン層１２をレジストパターン１３に従ってパターニングするエッチング工程に関し、エッチング用のガス種に、等方性エッチング用としてのＳＦ_6と、異方性エッチング用としてのＨＢｒとを含む混合ガスのプラズマを利用する。 - 特許庁

Furthermore, it is preferable that the method includes a process for performing isotropic etching with respect to the inner wall of the trench when the metallic film is removed after the process for forming the trench.例文帳に追加

さらに、前記のトレンチを形成する工程の後に、前記金属膜を除去した後、前記トレンチの内壁を等方性エッチングする工程を有することが望ましい。 - 特許庁

After a polishing process ends, a top surface of the glass substrate is observed using an optical microscope after a pit defect which has an easy-to-observe size is obtained through 5 μm etching using an acid etching solution including hydrogen fluoride, nitric acid, etc., and then isotropic etching of a processing deformed layer (a flaw etc.) remaining at a chamfer part.例文帳に追加

研磨工程終了後、ガラス基板の表面を、フッ酸や硝酸等を含む酸性のエッチング溶液を用いて５μｍエッチングし、面取り部に残留する加工変質層（キズなど）を等方的にエッチングして観察しやすい大きさのピット欠陥にした後、光学顕微鏡を用いて観察する。 - 特許庁

This method has (c) an anisotropic dry etching process of forming a predetermined pattern recess 20 by piercing the tunnel barrier layer 15 of a tunnel junction film 10a, and (d) an isotropic dry etching process of removing a sidewall deposit (22) of the recess 20.例文帳に追加

（ｃ）トンネル接合膜１０ａのトンネルバリア層１５を貫通して、所定パターンの凹部２０を形成する異方性ドライエッチング工程と、（ｄ）凹部２０の側壁付着物（２２）を除去する等方性ドライエッチング工程とを有する。 - 特許庁

Isotropic etching (first process) is performed from the surface of a sample (silicon wafer) 20 provided with masks 21 and the rough shape of a tip part is prepared (b).例文帳に追加

マスク２１を設けた試料（シリコンウェハ）２０の表面から等方性エッチング（第１工程）を行って、先端部のある程度の形状を作成する（ｂ）。 - 特許庁

The isotropic dry etching process is executed in such a way that a reaction gas of 100 Pa-1,000 Pa is introduced and a bias voltage is not applied while plasma is ignited to the reaction gas.例文帳に追加

その等方性ドライエッチング工程は、１００Ｐａ以上１０００Ｐａ以下の反応ガスを導入し、その反応ガスにプラズマを点火しつつバイアス電力を印加しないで行う。 - 特許庁