laser dopingとは 意味・読み方・使い方

Further, the laser processing method carries out various laser processings of a processing, reforming or film formation, such as a perforation, etching, doping or annealing, with respect to a processing object (work 26) by using a laser energy generated to a related laser processing device.例文帳に追加

また、レーザ処理方法は、係るレーザ処理装置に発生させたレーザエネルギを用いて被処理物（ワーク２６）に対し、穿孔、エッチング、ドーピング、アニール等、加工・改質・成膜等の各種のレーザ処理を行う。 - 特許庁

There provided is a co-doping of the gain medium of a diode-pumped infrared laser to give the laser resistant to long-term degradation due to high-intensity internal infrared radiation.例文帳に追加

高強度の内部赤外放射による長期劣化への耐性をレーザに付与するための、ダイオード励起赤外レーザの利得媒質の共ドーピングに関する。 - 特許庁

To provide a method to control a carbon doping level in a DBR (Distributed Bragg Reflector) of a VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser).例文帳に追加

垂直キャビティ表面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavirty Surface Emitting Laser ）の分散ブラグ・リフレクタ（ＤＢＲ：Distributed Bragg Reflector）における炭素ドーピング・レベルを制御する方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor laser having an active layer of multiple quantum well structure subjected to modulation doping in which emission efficiency and a modulation band are enhanced sufficiently.例文帳に追加

多重量子井戸構造の活性層に、変調ドープを行った半導体レーザにおいて、発光効率および変調帯域を十分向上させる。 - 特許庁

In a laser doping treatment method, liquid containing a dopant is applied onto the surface of a semiconductor to be doped, then the surface of the semiconductor is irradiated with laser beams, thus adding the dopant to the semiconductor.例文帳に追加

本発明ではドーパントを含む液体を、ドーピングを行う半導体の表面に塗布してから、該半導体の表面にレーザー光を照射することでドーパントを該半導体に添加するレーザードーピング処理方法を提案する。 - 特許庁

The P-type impurities which are directly adjacent to an active layer are doped on a layer in order to manufacture an embedding ribbon laser, and a layer obtained by doping thin N-type impurities is formed on the above layer.例文帳に追加

埋め込みリボンレーザを製造するために、活性層に直接隣接するｐ型不純物がドープされた層に、薄いｎ型不純物がドープされた層が形成される。 - 特許庁

By utilizing the optical filter island 222, a source region 214 and a drain region 218 are formed self-aligningly in a semiconductor structure 200 by applying laser doping technique.例文帳に追加

この光学フィルタアイランド２２２を利用して、レーザドーピング法を用いて、半導体構造２００にソース領域２１４とドレイン領域２１８を自己整合的に形成する。 - 特許庁

In the solar cell 10, an n-type semiconductor region 12n is a region formed, by doping a semiconductor substrate 11 with an n-type dopant by means of radiation of a laser.例文帳に追加

太陽電池１０において、ｎ型半導体領域１２ｎは、レーザの照射によってｎ型ドーパントを半導体基板１１内にドーピングすることによって形成された領域である。 - 特許庁