liquid vapor chemical reactionとは 意味・読み方・使い方

To provide a liquid cooled trap for effectively and efficiently collecting condensable vapor in a chemical vapor reaction system.例文帳に追加

気相化学反応システムにおける凝縮可能な蒸気を、効果的にかつ効率良く収集するための液体冷却捕捉器を提供する。 - 特許庁

The method for treating the alignment layer is applied to the liquid crystal display element utilizing the vertical alignment layer composed of the oblique vapor deposition film of the inorganic oxide, and is characterized by having surface hydroxy groups of the oblique vapor deposition film having been subjected to chemical reaction treatment with a liquid crystalline compound.例文帳に追加

無機酸化物の斜方蒸着膜からなる垂直配向膜を用いた液晶表示素子に適用され、前記斜方蒸着膜の表面水酸基が、液晶性化合物で化学反応処理されていることを特徴とする。 - 特許庁

In producing the multi-walled carbon nanotube 3 with a chemical vapor growth method or with a liquid growth method, the single-walled carbon nanotube 4 is produced by adding an auxiliary reactive agent (H_2S) for an endothermic reaction other than main reactants (CH_4, H_2) of the chemical vapor growth method or the liquid growth method.例文帳に追加

化学的気相成長法または液相成長法により多層カーボンナノチューブ３を生成する際に、化学的気相成長法または液相成長法の主反応剤（ＣＨ_4、Ｈ_2 ）の他に吸熱反応性の反応補助剤（Ｈ_2 Ｓ）を添加して、単層カーボンナノチューブ４を生成する。 - 特許庁

The method is applied to the liquid crystal display element utilizing the vertical orientation film composed of the oblique vapor deposition film of the inorganic oxide, and is characterized by having surface hydroxy groups of the oblique vapor deposition film having been subjected to chemical reaction treatment with a metal alcoholate.例文帳に追加

無機酸化物の斜方蒸着膜からなる垂直配向膜を用いた液晶表示素子に適用され、前記斜方蒸着膜の表面水酸基が、金属アルコラートで化学反応処理されていることを特徴とする。 - 特許庁

To synthesize metal iron powder with a size of several tens nm by vaporizing a low melting point raw material liquid (containing iron atoms) at a high temperature, and condensing the iron atoms or the like in the separated Fe and CO gas by chemical vapor phase condensation reaction.例文帳に追加

鉄原子を含有している低融点原料液体を高温で気化させて、分離されたＦｅとＣＯガスの中、鉄原子等を化学気相凝縮反応によって凝縮させることにより、数十ｎｍサイズの金属鉄粉末を合成する。 - 特許庁

To provide a treatment device for a substrate where troubles in conveyance of a substrate on its elevating/lowering in a reaction chamber of a CVD (Chemical Vapor Deposition) system are reduced, and the drop in the productivity of an array substrate in an LCD (Liquid Crystal Display) or the like is prevented by the reduction of the troubles.例文帳に追加

本発明は、ＣＶＤ装置などの反応室内での基板の昇降時における基板の搬送トラブルを低減し、トラブルの低減によってＬＣＤのアレイ基板などの生産性を落とさない基板の処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for supplying a gas, in which the mass of a source gas to be supplied and the total flow rate of a mixed gas and a dilute gas becomes constant, when a mixture gas of the source gas obtained by vaporizing a liquid material and a carrier gas is supplied as a reaction gas to a chemical vapor deposition unit.例文帳に追加

液体原料を気化した原料ガスとキャリアガスとの混合ガスを希釈ガスと共に反応ガスとして気相成長装置に供給する際、供給される原料ガスの質量および混合ガスと希釈ガスの総流量が一定となるようなガス供給方法およびその装置を提供すること。 - 特許庁